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|GaN是近两年手机及手机周边厂商经常提及的材料，采用它的电源适配器据说可以同时实现高输出和小型化。
GaN实际上是氮化镓的化学式，与SiC碳化硅、AlN氮化铝等并称为第三代半导体。
氮化镓的GaN纤锌矿结构（大球体为Ga，小球体为N）
距离“半导体”这个词的使用已经过去了100多年，半导体材料也已经发展到了第三代，不过这三代半导体材料并不是替代品，而是各自有着不同的特性，而今天他们就是活跃于各个领域。
第一代半导体材料是指Si、Ge、Ge等材料，它们打开了集成电路的大门，并影响至今。第二代半导体材料非常丰富，包括砷化镓、砷化镓、磷化铟等。磷化铟等有机半导体也属于第二类半导体，适合制作高速、高频、大功率、发光电子器件，促进了无线通信的发展。通信和光通信。
第三代半导体材料除了具有较宽的能隙外，还具有优异的导热性、击穿电场、电子饱和率、抗辐射能力等，因此适用于高温、高频、大功率的半导体材料。制造业。这些设备将有助于推动射频通信、电力电子、激光和电源管理等领域的发展。
*注：“能隙”也可以表示“能带隙”或“带隙宽度”。在固态物理学中，一般指半导体中价带顶部到价带底部的能隙，绝缘体.点.导带。
GaN晶体的长度约为3毫米（照片：维基百科）
GaN作为继SiC之后的第三代半导体，其宽能隙和光谱特性使得在LED照明和激光领域发展极为成熟，在高频器件和功率器件等领域的发展也在取得进展。 我在这。应用领域取得了显着改进，特别是在5G通信的发展、GaN高频器件的使用以及MIMO天线阵列的尺寸和功耗方面。
近两年，手机充电的电源适配器也受益于GaN“红利”，现在可以兼顾原有大功率电源适配器的尺寸。这是GaN材料在“电力”领域的应用之一。设备”。
由于GaN材料的上述特性，该电源适配器可以从根本上降低开关和传导损耗，提高转换器的开关频率，同时缩小变压器的尺寸，提高转换效率，并减少发热和发热。减少热量。可以进一步节省材料，这自然会减小电源适配器的整体尺寸并提高转换效率。
还提供更大的GaN 电源适配器
目前，GaN电源适配器才刚刚开始流行。市场上大功率氮化镓电源适配器的价格超过100元。随着更多制造商进入市场，工艺进一步改进，供应链成本降低。在不久的将来，氮化镓电源适配器一定会普及，已经突破百元大关。