替代集成电路，什么有可能代替集成电路

在电源设计中，我们经常面临控制IC驱动电流不足或者由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为了缓解这个问题，工程师经常使用外部驱动器。包括TI 在内的半导体制造商拥有现成的MOSFET 集成电路驱动器解决方案，但这些解决方案通常不是成本最低的解决方案，工程师通常会选择更便宜的分立器件。

图1 中的原理图显示了可用于缓冲控制IC 输出的NPN/PNP 发送跟随器对。这增加了控制器的驱动能力，并可能将驱动损耗转移到外部组件。许多人觉得这个特定的电路不能提供足够的驱动电流。

图1 一个简单的缓冲器可以驱动超过一安培的电流。

如图2 中的hfe 曲线所示，制造商通常不会为这些低电流器件提供超过0.5A 的电流。然而，如图1 中的波形所示，该电路可以提供远大于0.5A 的电流驱动。对于该波形，缓冲器由50 源驱动，负载是与1 电阻器串联的0.01 uF 电容器。该迹线显示1 电阻两端的电压，因此接线柱每段的电流为2A。这些数字还表明，MMBT2222A 可以提供大约3A 的电流，MMBT3906 可以吸收2A 的电流。

事实上，晶体管与该组件配对（MMBT3904 对应3906，MMBT2907 对应2222）。这两种不同的组合仅供比较之用。这些器件还提供更高的电流和更高的hfe，例如FMMT618/718 对，其在6 A 时的hfe 为100（见图2）。与集成驱动器不同，分立器件是一种成本更低的解决方案，并且具有更高的热性能和电流性能。

图2 FMMT618 等更高电流驱动器可提高驱动能力

（最高：MMBT3904/最低：FMMT618）。

图3 显示了允许跨越隔离边界的简单缓冲器变体。信号电平变压器由对称双极驱动信号驱动。变压器的次级绕组用于产生缓冲器电源并向缓冲器提供输入信号。二极管D1 和D2 调节来自变压器的电压，晶体管Q1 和Q2 用于缓冲变压器的输出阻抗，并提供高电流脉冲来对连接到输出的FET 进行充电和放电。该电路在50% 占空比输入下非常高效，因为它驱动FET 栅极为负，从而提供快速开关并最大限度地减少开关损耗（参见图3 中的底部驱动信号）。这对于相移全桥转换器来说是理想的选择。当使用小于50% 的顶部驱动波形时（参见图3），请使用缓冲变压器。这样做可以避免由于转换振铃而导致的任何开启EFT。从低到零的转变会引入漏感和次级电容，这可能会导致振铃并在变压器外部产生正电压。

图3 仅使用几个组件构建独立驱动器