mos管参数kp，常用mos管型号及参数

最大额定参数

最大额定参数、满值采集条件（Ta=25）

VDSS 最大漏源电压

漏源电压额定值（VDSS）是指如果栅极和源极短路，在发生雪崩击穿之前漏极和源极之间可以施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。有关V(BR)DSS 的更多信息，请参阅静电特性。

VGS 最大栅源电压

VGS 额定电压是栅极和源极之间可施加的最大电压。设置该电压额定值的主要目的是防止电压过高对栅极氧化层造成损坏。实用的栅极氧化物可以承受远高于额定电压的电压，但这取决于制造工艺，因此将VGS 保持在额定电压范围内可确保应用可靠性。

ID——连续漏电流

ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)且管子表面温度为25或更高时允许的最大连续直流电流。该参数是额定结到外壳热阻RJC 和外壳温度的函数。

由于开关损耗不包含在ID中，因此将管子表面温度保持在25（Tcase）实际上是很困难的。因此，硬开关应用中的实际开关电流通常小于TC=25C 时ID 额定值的一半，通常为1/3 至1/4。此外，热阻JA 可用于估计特定温度下的ID，使该值更加真实。

IDM - 脉冲漏极电流

该参数反映了器件可以处理的脉冲电流水平，该电流远高于连续直流电流。定义IDM的目的是线路的欧姆面积。对于给定的栅源电压，最大漏极电流出现在MOSFET 导通后。如图所示，对于给定的栅源电压，如果工作点处于线性区，则漏极电流的增加会增加漏源电压，从而增加导通损耗。长时间大功率工作可能会导致设备故障。因此，额定IDM 应设置为低于典型栅极驱动电压范围。区域划分点位于Vgs与曲线的交点处。

因此，必须设置电流密度的上限，以防止芯片因温度过高而烧毁。这基本上是为了防止过多的电流流过封装引线，因为整个芯片上的“最弱连接”可能是封装引线而不是芯片。

考虑到IDM的热效应，温升取决于脉冲宽度、脉冲之间的时间间隔、散热条件、RDS(on)以及脉冲电流波形和幅度。仅仅满足脉冲电流不超过IDM 限制并不能保证结温不会超过最大允许值。要估计脉冲电流下的结温，请参阅热特性和机械特性中瞬时热阻的讨论。

PD - 允许的总通道功率损耗

允许的总通道功率损耗校准器件可以耗散的最大功率耗散，并且可以表示为外壳温度为25C 时最大结温和热阻的函数。

TJ、TSTG - 运行和储存期间的环境温度范围

这两个参数校准器件操作和存储环境允许的结温范围。该温度范围旨在满足设备的最低工作寿命要求。如果保证设备在此温度范围内运行，其使用寿命将显着延长。

EAS - 单脉冲雪崩击穿能量

如果电压过冲（通常由于漏电流和杂散电感）不超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，并且不需要雪崩耗散功能。雪崩击穿能量校准设备可以承受的瞬时过冲电压的安全值。这取决于雪崩击穿时需要耗散的能量。

具有定义的雪崩能量额定值的设备通常也定义了EAS 额定值。额定雪崩屈服能量与额定UIS 含义相同。 EAS 指定设备可以安全吸收的反向雪崩产生能量的量。

L 是电感值，iD 是流过电感的峰值电流，该电流迅速转换为测量设备的漏极电流。当电感器两端的电压超过MOSFET 的击穿电压时，就会发生雪崩击穿。当发生雪崩击穿时，即使MOSFET 处于截止状态，电感电流也会流过MOSFET 器件。电感器中存储的能量与杂散电感中存储并由MOSFET 耗散的能量类似。

当MOSFET并联时，不同器件之间很难达到完全相同的击穿电压。正常情况下，给定器件首先经历雪崩击穿，然后所有雪崩击穿电流（能量）流过该器件。

EAR - 重复雪崩能量

虽然重复雪崩能量已经成为“行业标准”，但如果不设定频率、其他损耗和冷却量，这个参数就没有意义。散热（冷却）要求通常会限制重复的雪崩能量。预测雪崩击穿产生的能量也很困难。

EAR等级的真正含义是校准器件能够承受的重复雪崩击穿能量。此定义的先决条件是频率没有限制，以便设备不会过热。这对于可能发生雪崩击穿的设备来说是现实的。在验证器件设计的过程中，在工作条件下测量器件或散热器的温度通常很有用，以观察MOSFET器件是否过热，特别是对于可能发生雪崩击穿的器件来说是最好的。

IAR - 雪崩击穿电流

在某些器件中，雪崩电流IAR 必须受到限制，因为雪崩击穿期间电流往往集中在芯片上。这样，雪崩电流就成为雪崩击穿能量规格中的“深潜”，揭示了器件的真实性能。

静电性能

V(BR)DSS：漏源击穿电压（击穿电压）

V(BR)DSS（也称为VBDSS）是指在一定温度下、栅源短路情况下，漏极电流达到一定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压就是雪崩击穿电压。

V(BR)DSS 具有正温度系数，在低温下V(BR)DSS 低于25C 时的最大额定漏源电压。在-50C 时，V(BR)DSS 约为25C 时最大漏源电压额定值的90%。

VGS(th)、VGS(off)：阈值电压

VGS(th)是指施加栅源电压并且电流开始流向漏极时的电压，或者MOSFET关断并且电流消失时的电压。还指定了测试条件（漏极电流、漏极-源极电压、结温）。通常，所有MOS 栅极器件都具有不同的阈值电压。因此，定义了VGS(th)的变化范围。 VGS(th) 是负温度系数；随着温度升高，MOSFET 以较低的栅源电压导通。

RDS(on)：导通电阻

RDS(on) 是在25C 下测量的指定漏极电流（通常是ID 电流的一半）、栅源电压和漏源电阻。

IDSS：零栅极电压漏极电流

IDSS是指栅源电压为零时，特定漏源电压下的漏源漏电流。漏电流随温度增加而增加，因此IDSS 是在室温和高温下指定的。漏电流引起的功耗可以通过IDSS乘以漏源电压来计算，但这部分的功耗通常可以忽略不计。

IGSS - 栅源漏电流

IGSS是指在给定栅源电压下流经栅极的漏电流。

动态电特性

Ciss：输入电容

输入电容是通过将漏极和源极短路，用交流信号测得的栅源电容。 Ciss由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，即Ciss=Cgs+Cgd。该器件仅在输入电容器充电至阈值电压时开启，仅在输入电容器放电至特定值时关闭。因此，驱动电路和Ciss直接影响器件的开通和关断延迟。

Coss：输出电容

输出电容是通过短接栅极和源极，用交流信号测量的漏源电容。 Coss 由并联的漏源电容Cds 和栅漏电容Cgd 组成。即Coss=Cds+Cgd。对于软开关应用，Coss 非常重要，因为它会在电路中引起谐振。

Crss：反向传输容量

如果源极接地，则在漏极和栅极之间测量的电容就是反向传输电容。反向传输电容对应于栅漏电容。 Cres=Cgd，反向传输电容也称为米勒电容，是开关上升时间和下降时间的重要参数之一，也影响关断延迟时间。随着漏源电压的增加，电容，尤其是输出电容和反向传输电容减小。

Qgs、Qgd、Qg：栅极电荷

栅极电荷值反映了端子之间电容器中存储的电荷，并且由于电容器电荷根据开关期间的电压而变化，因此在设计栅极驱动电路时必须始终考虑栅极电荷的影响。

Qgs 是从0 电荷到第一个拐点的部分，Qgd 是从第一个到第二拐点的部分（也称为“镜像”电荷），Qg 是从0 点到指定驱动器的部分电压部分等于VGS。

漏极电流和漏源电压的变化对栅极电荷值的影响相对较小，并且栅极电荷不随温度变化。规定了测试条件。栅极电荷曲线反映在数据表中，其中还包括固定漏极电流和变化漏源极电压下相应的栅极电荷变化曲线。图中，平台电压VGS(pl)随着电流的增大而略有增大（随着电流的减小，平台电压也减小）。平台电压也与阈值电压成正比，因此不同的阈值电压将产生不同的平台电压。

下图更详细、更适用。

td(on)：导通延迟时间

导通延迟时间是指从栅源电压上升到栅极驱动电压的10%到漏极电流上升到规定电流的10%的时间。

td(off)：关断延迟时间

关断延迟时间是指从栅源电压下降到栅极驱动电压的90%到漏极电流下降到规定电流的90%所经过的时间。这表示电流传输到负载之前发生的延迟。

tr：上升时间

上升时间是漏极电流从10% 上升到90% 所需的时间。

tf：下降时间

下降时间是漏极电流从90% 下降到10% 所需的时间。