从零开始学习三极管，讲得很详细，通俗易懂！
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大家好。在本次Maker e Workshop中，您将学**有关三极管的基础知识。
我想大家都熟悉导体和绝缘体的话题，但是对于半导体你了解多少呢？
半导体是室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。简单来说，它既导电又不导电，这很神奇。常见的半导体材�**ü琛⒄嗪蜕榛亍�
接下来，我想教大家如何识别两个英文单词。一个是Positive，意思是积极的、阳刚的、积极的，另一个是Negative，意思是消极的。稍后我们会用到这两个英文单词。
说起中国结，我想大家都听说过或者见过，而且它就是这样的。
然而，今天我们将讨论另一种结，称为P-N 结。什么是P-N结？简单地说，就是采用半导体材料，例如最常见的硅，并在硅基板的一端添加少量杂质，例如硼。形成。类似地，如果将少量的杂质例如磷添加到硅衬底的另一端，则形成N型半导体。在P型掺杂区域和N型掺杂区域紧密接触的地方形成P-N结。
P-N结具有单向导电、反向饱和漏电或击穿导体的特性，即通常所说的正向导通和反向阻断。没错，当您将金属引脚连接到P-N 结的每一端并用特殊材料封装P-N 结时，您就拥有了一个常见的基本组件：—— 二极管。
这也是硅基板，但是如果在一端添加少量的杂质硼元素，在中间添加少量的杂质磷元素，在另一端添加少量的杂质硼元素，就可以创建两个非常好的板子。双极结型晶体管(BJT) 是通过背对背放置P-N 结而形成的。
如果在掺杂过程中两端形成N型半导体，中间形成P型半导体，则双极结型晶体管就变成NPN型。
掺杂过程有意识地使中心区域变得非常薄。该区域称为基础区域。每端的区域具有不同的掺杂浓度和面积。掺杂浓度高，面积相对较小。较小的称为发射极区，其掺杂浓度较低，较大的称为集电极区。
由于电极是从这三个区域引出的，因此我们有基极b、发射极e 和集电极c，将其抽象为如图所示的图形表示。
因此，这里给出了书本上经常看到的两种双极结型晶体管的结构示意图。
接下来，如果您查看NPN 晶体管的电路符号，请注意箭头朝外。
PNP晶体管电路符号，箭头向内流动。
发射极上方的箭头表示发射极结正向偏置时发射极电流的实际方向。
许多初学者很容易混淆这两个电路符号，而不知道如何区分它们。我们刚刚讨论了两个英文单词，它们的第一个字母是P和N。 P 代表正，N 代表负。所以对于NPN来说，P在中间，N在两边。这意味着中心有正极，两侧有负极，电流必须从正极流向负极。而箭头自然会指向外侧。
同样，在PNP中，中间和两侧都有一个负号，如果从正号流向负号，箭头自然会向内流动。
通过这种方式记住事情应该更容易，因为你不必记住它们，你必须灵活地学**和应用它们。
晶体管的种类很多，根据所采用的半导体材料不同，有硅管和锗管，根据工作频率不同，有低频管和高频管，根据功率不同，有小功率管。管子包括中输出管和高输出管，按功能分为开关管、功率管、达林顿管、感光管等。
我们常见的NPN三极管有8050、9013、9014、9018、C1815、D882、TIP41、3DD15、2N3055、2N3773等。
常见的PNP晶体管包括8550、9012、9015、B772、TIP42和2N5884。
其中8050、8550、9013、9012等TO-92封装晶体管属于低功率晶体管。
D882、B772、TIP41、TIP42等是中功率晶体管。
3DD15、2N3055、2N3773、2N5884等金封铁帽三极管为大功率三极管。
以上都是直插式晶体管，但如今SOT-23 封装的芯片晶体管也很常见。
我国生产的晶体管有一套命名规则，大家可以了解一下。
第一部分中的3代表三极管。
第二部分表示装置的材料和结构。 A：PNP 型锗材料B：NPN 型锗材料C：PNP 型硅材料D：NPN 型硅材料。
第三部分代表功能。 U：光电管K：开关管X：低频、小功率管G：高频、小功率管D：低频、大功率管A：高频、大功率管。
例如：3DG6为高频小功率硅管，3AX31为低频小功率锗管，3DD15为低频大功率硅管。
详细视频教程附在这里：点击观看详细视频教程
好了，这个故事就这样结束了。如果您想了解更多有趣好用的DIY作品，欢迎关注并订阅创客e工坊。最后，别忘了支持阿乐。在您的支持下，Ale 可以：成功了。我有动力继续创作。谢谢大家！