esd防静电标准，esd防静电保护管

应用电路双向ESD 保护器件通常是对称的（图1）。可用于承载双极性信号(-VWM Vsignal VWM) 和单极性信号(0 Vsignal VWM) 的信号线。

单向ESD 保护器件是不对称的（图2），通常仅在单极信号线上使用(0 Vsignal VWM)。事实上，它在电路中反向使用，类似于齐纳二极管。行业惯例是将电压和电流的方向指定为正向，例如应用电压。

ESD 二极管特性类别ESD 二极管通常根据其Vc 性能分为三类器件，请参阅下表了解更多信息。

I-V特性类型

特点和优点

非常适合这些人

与二极管类型相同

功能简单、使用方便、保护良好、电压过冲低、响应速度快需要快速响应的应用多用途和低速应用：按钮、开关、音频接口、GPIO、触摸屏.中反激式

改进的保护(Vcl) 可实现更低的电容(CL) VWM 和Vcl 之间的良好平衡适用于与类似二极管类型相同的应用，此外：

适用于高速I/O 和RF 应用的超级反激式

最高保护性能(Vcl) 带来低电容(CL) 具有最严格Vcl 要求的应用：高数据速率应用、使用LVDS 纳米级芯片技术的超精密结构化SoC I/O

ESD电气参数说明以下是TVS二极管的各种参数的表示和解释。分为静态参数和动态参数。

静态参数CL（寄生电容）在高速和射频应用中很重要，但在通用和低速应用中不太重要。

Vrwm 最大工作电压 必须大于或等于指定操作期间保护导体上信号的最大电压（见图6）。常见保护器件的VrWM通常与系统标准和I/O电压（VIO、Vbus）（2.1V、3.3V、5V等）匹配。

Vbr 击穿电压 在指定测试电流It 下测量。

Vtr 触发电压 器件打开（触发）并返回到Vh 时的最大电压。对于回摆式器件，Vtr 略高于Vbr。 Vtr 经过设计验证。

IL 漏电流 器件在VrWM 下运行时流经器件的电流。

Rdyn 动态电阻 表示器件在承受ESD 时I-V 特性的陡度3)。 Rdyn值越低，相应的保护性能越好。它还可以用于预测设备手册中未列出的各种冲击级别（ITLP）下的Vcl值。

动态参数Vcl（钳位电压）是保护性能最重要的指标。对于某些影响级别（ITLP、IPP），

Vcl 必须低于IC 的故障电压（规格）。如果没有，越低越好。

Ipp最大瞬时电流——也称浪涌电流，是保护能力的重要指标。请参阅IEC61000-4-5。值越高，设备越稳健。

Vesd 静电防护能力- 设备在根据标准IEC61000-4-2 设定的条件下可以承受的静电容量。

动态指标必须通过动态测试获得。

一些典型的静电防护设计电路USB2.0保护电路HDMI2.0保护电路RS485浪涌保护电路更多参考电路和器件说明，请关注雷模电子官网和公众号。