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自制光控小夜灯电路图,光控小夜灯原理

来源:头条 作者: chanong
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1.实用光控LED小夜灯电路图适合小型电子制作初学者,LED小夜灯节能实用,特别适合有老人和小孩的家庭。

为了显示:

1、光敏电阻的暗电阻是无穷大,光敏电阻约为2K。

2. 除R1 为1/4W 外,所有其他电阻均为1/8W。二极管都是普通整流管,IN4001就够了。

3、白色超高亮LED的工作电压为2.3-2.6V,电流不应超过20mA。

4. 电容器C2 两端的电压为1.2 至3.4V。

5、工作原理:全波整流对C1充电,光敏电阻控制晶体管9014。如果环境明亮,BG1会导通,LED会被短路。如果环境黑暗,它将关闭并打开LED。 LED承受C2的电压并点亮。 D5起到保护作用。总功耗为0.3W。

2、调光夜灯原理调光夜灯电路由自激多谐振荡器、调光开关电路、输出电路、电源电路组成,如图所示。

自激多谐振荡器电路由时基集成电路IC、电阻器R1、电容器C1、C2、二极管VD1和电位器RP1组成。

光控开关电路由光敏电阻RG、电位器RP2、电阻器R2、R4和晶体管V1、V2组成。

输出电路由晶体管V3至V5、电阻器R3、R6、R7、电容器C3、二极管VD2和照明EL组成。

电源电路由降压电容器C5、整流二极管VD3和VD4、稳压二极管VS、滤波电容器C4组成。

AC220V电压经C5降压,经VD3、VD4整流,VS稳压,C4滤波后,产生DC12V电压,供给自激多谐振荡器、调光开关电路、输出电路。

当自激多谐振荡器振荡时,从IC的3脚输出振荡脉冲信号,该信号经V3V5放大,EL发光。调节RP1的阻值,改变自激多谐振荡器的工作频率,控制输出脉冲占空比的大小,从而调节EL的亮度。

当室内有光照时,无论白天还是晚上,光敏电阻RG受光照而阻值下降,V1饱和导通,V2截止,IC失去工作电源,停止工作。EL不发光。

夜间,室内灯光关闭时,RG阻值增大,V1截止,V2导通,自激多谐振荡器及输出电路正常工作,EL点亮。通过调节RP2的阻值可以改变调光开关的灵敏度。选择组件

R1至R4、R6均采用1/4W碳膜或金属膜电阻器,R5采用1/2W金属膜电阻器。

RPl选用线性合成膜电位器或有机固态电位器,Rta选用固态可变电阻器。 RG采用MG45-32光敏电阻。

Cl至C3为多层电容器,C4为耐压25V的铝电解电容器。

VD1选用1N4148硅开关二极管,VD2-VD4选用1N4001或1N4007硅整流二极管。

VS采用1W、12V硅齐纳二极管。

V1-V4均采用S9014或3DG12硅NPN晶体管,V5采用2SD880硅NPN晶体管。

IC采用NE555时基集成电路。 EL 使用小型6.3V、0.1A 灯泡。

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1.实用光控LED小夜灯电路图适合小型电子制作初学者,LED小夜灯节能实用,特别适合有老人和小孩的家庭。

为了显示:

1、光敏电阻的暗电阻是无穷大,光敏电阻约为2K。

2. 除R1 为1/4W 外,所有其他电阻均为1/8W。二极管都是普通整流管,IN4001就够了。

3、白色超高亮LED的工作电压为2.3-2.6V,电流不应超过20mA。

4. 电容器C2 两端的电压为1.2 至3.4V。

5、工作原理:全波整流对C1充电,光敏电阻控制晶体管9014。如果环境明亮,BG1会导通,LED会被短路。如果环境黑暗,它将关闭并打开LED。 LED承受C2的电压并点亮。 D5起到保护作用。总功耗为0.3W。

2、调光夜灯原理调光夜灯电路由自激多谐振荡器、调光开关电路、输出电路、电源电路组成,如图所示。

自激多谐振荡器电路由时基集成电路IC、电阻器R1、电容器C1、C2、二极管VD1和电位器RP1组成。

光控开关电路由光敏电阻RG、电位器RP2、电阻器R2、R4和晶体管V1、V2组成。

输出电路由晶体管V3至V5、电阻器R3、R6、R7、电容器C3、二极管VD2和照明EL组成。

电源电路由降压电容器C5、整流二极管VD3和VD4、稳压二极管VS、滤波电容器C4组成。

AC220V电压经C5降压,经VD3、VD4整流,VS稳压,C4滤波后,产生DC12V电压,供给自激多谐振荡器、调光开关电路、输出电路。

当自激多谐振荡器振荡时,从IC的3脚输出振荡脉冲信号,该信号经V3V5放大,EL发光。调节RP1的阻值,改变自激多谐振荡器的工作频率,控制输出脉冲占空比的大小,从而调节EL的亮度。

当室内有光照时,无论白天还是晚上,光敏电阻RG受光照而阻值下降,V1饱和导通,V2截止,IC失去工作电源,停止工作。EL不发光。

夜间,室内灯光关闭时,RG阻值增大,V1截止,V2导通,自激多谐振荡器及输出电路正常工作,EL点亮。通过调节RP2的阻值可以改变调光开关的灵敏度。选择组件

R1至R4、R6均采用1/4W碳膜或金属膜电阻器,R5采用1/2W金属膜电阻器。

RPl选用线性合成膜电位器或有机固态电位器,Rta选用固态可变电阻器。 RG采用MG45-32光敏电阻。

Cl至C3为多层电容器,C4为耐压25V的铝电解电容器。

VD1选用1N4148硅开关二极管,VD2-VD4选用1N4001或1N4007硅整流二极管。

VS采用1W、12V硅齐纳二极管。

V1-V4均采用S9014或3DG12硅NPN晶体管,V5采用2SD880硅NPN晶体管。

IC采用NE555时基集成电路。 EL 使用小型6.3V、0.1A 灯泡。


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