变压器驱动电路图，驱动变压器设计实验报告
chanong
|高功率晶体管通常需要由变压器驱动，桥式拓扑也需要由变压器驱动。驱动变压器的功能包括电压转换、流量转换、阻抗转换、隔离和电力传输。我们以大功率晶体管驱动器为例，分析一下如何设计高频驱动变压器。初级侧的最大电源电压Vcc(V)、最小工作频率F(KHz)、最大占空比D、磁芯横截面S(mm)和输出电压Vbe(V)是已知的。 1、计算最大导通时间：Ton(uS)=1000*D/F2，计算原边匝数：Np=Vcc*Ton/0.2/S3，计算每匝电压：N=Vcc/Np4，匝数次级匝数：Ns=K*Vbe/N/DK 是由变压器次级线圈的直流阻抗、晶体管rbe和驱动电流决定的系数，并且大于1。EE16磁芯，原边45匝，副边5匝，吸收电路电容0.1UF。电源15V。工作频率33KHZ，占空比0.7。开关管IRF3205。负载基于3 个TIP42C。工作时电流表显示1A左右，但开关管发热，长时间不能达到热饱和。原因可能是初级匝数太少。这个问题是通过增加磁铁的横截面积和增加初级匝数来解决的。
驱动变压器设计与正激变压器设计类似。但最好使用导磁率高的。
电导率高，但不能太高，太高就会饱和。
正向驱动不适合占空比变化范围较大的情况，原因如下： 1. 正向驱动工作时，变压器的励磁电感必须始终保持连续模式。不连续模式容易产生振荡，导致输出浮动和其他问题（例如误触发或无触发）。 2、为保证励磁电感的连续性，可以采用加假负载的方法。该假负载必须根据最小占空比进行设计。例如，10%的功耗为1。根据方程Uo=Ui/(1-D)，对于最大占空比（假设90%），电压增加9 倍，功耗增加U*U/R=81 倍。 3、占空比大时，MOS管的耐压也随之升高，这就增加了需要高耐压的MOS管的成本。原因1和2都是通过实际测量发现并通过仿真验证的问题，理想情况下应组合使用隔直电容。
如果是对称的，则无需添加。必须添加补充（不是50%）。正半周和负半周的占空比相等。