存储卡速度标准，存储卡速度等级分类

我们都知道，NAND闪存是比机械硬盘更快、更安全、更稳定的存储介质，可用于存储硬盘、闪存盘、存储卡、智能手机、平板电脑等内置设备。智能手机，征服。电视等存储空间设备（市场）。

问题是，如果采用NAND作为存储单元，为什么存储卡和SSD硬盘的读写性能会有如此大的差异呢？简单来说，存储卡、手机、SSD固态硬盘内置的闪存芯片的封装标准是不同的，例如SSD闪存芯片的表面积对应一些尺寸。与闪存驱动器相比，存储卡中包含的闪存芯片尺寸更小。一般来说，相同容量但封装尺寸更大的闪存芯片（这意味着SSD性能本质上更好）或者容量更大的单芯片（内部可以形成双通道工作模式），潜力和性能都会增加。另外，NAND闪存本身也在不断发展，毫无疑问，2021年主流闪存的性能将远远好于几年前的闪存。影响闪存本身性能的因素有很多，包括工艺技术、闪存架构、3D堆叠技术等。其中，我们熟悉的闪存架构有SLC、MLC、TLC、QLC。目前，TLC在中高端闪存中占据主导地位，但QLC的性能虽然在下降，但却为内存市场做出了贡献其成本优势正在逐渐蚕食TLC闪存。制程技术与3D堆叠技术相辅相成，配合最新制程+96层或144层3D NAND技术，可将1TB容量封装成NAND闪存芯片。

目前，许多1TB SSD PCB主板只需要一颗闪存芯片。我们先来了解一下存储卡速度的奥秘。如果您对闪存盘感兴趣，请继续关注CFan以获取更多更新。存储卡速度之谜存储卡有多种不同格式，包括安全数字存储卡(SD)、微型SD 卡（也称为TF）、紧凑型闪存(CF) 和记忆棒(MS)。目前最常用的标准是SD和MicroSD（TF），逐渐演变成SDHC（SD2.0）、SDXC（SD3.0）和SDUC（SD7.0）标准。虽然存储卡重量轻、体积小，但除了裸露的金手指之外，主控芯片和闪存芯片也封装在里面，算得上“完整”。

但存储卡的主控只需要实现最基本的功能，与SSD硬盘不同的是，它不需要闪存颗粒的读写优化、写入策略优化等，体积和功耗显着增加。非常低，没有存在感。存储卡的性能主要取决于SD规格标准和所使用的总线接口。以用途最广泛的MicroSD存储卡为例，目前市面上的卡大多为SDXC+UHS-I，读取速度一般在100MB/s至170MB/s之间。

使用UHS-II或UHS-III总线标准的存储卡在速度上与SATA SSD相当，但价格更昂贵并且使用两排金手指。大多数与此类存储卡兼容的设备是专业单反相机和摄像机。

SD7.x是最新的SD卡规范标准。它引入了PCIe总线和NVMe协议，理论读取速度达到985MB/s。威刚目前销售符合此标准的Premier Extreme SDXC SD Express 存储卡。但SD7.x存储卡的价格就更加恐怖了，而且支持这种存储卡的设备也非常少见。

存储卡通常是（相对）最慢的NAND 介质存储产品，其性能高度依赖于终端设备（手机、相机、笔记本等）中的读卡器和控制芯片以及相关OEM 制造商。马苏。由于我们希望增加这方面的预算，因此我们的存储卡已经配备了超高速SD7。