3极管测量好坏方法，怎样测量3极管

晶体管的正式名称是半导体三极管，也称为双极型晶体管或三极管，是一种控制电流的半导体元件，具有将微弱信号放大为幅度较大的电信号的功能，也可用作非接触式开关。晶体管是半导体的基本元件之一，具有放大电流的功能，是电子电路的核心元件。晶体管由两个非常靠近地放置在半导体衬底上的PN 结组成，这两个PN 结将整个半导体分为三部分，中间有基极区，两侧有发射极区。集电极区是PNP和NPN的阵列。

工作原理

理论原理

晶体管（以下简称晶体管）根据材料的不同有两种：锗管和硅管。最常用的晶体管是硅NPN 和锗PNP，尽管它们有两种结构形式：分别为NPN 和PNP。 （N表示负极（英文代表Negative），N型半导体用于高纯硅）代替部分硅原子产生自由电子，在电压刺激下导电P表示正极（PosiTIve）。这意味着添加硼而不是硅以产生大量空穴以利于传导）。工作原理是一样的，只是电源的极性不同，但这里我们只介绍NPN硅管的电流放大原理。

NPN管是由两个N型半导体夹着一个P型半导体组成，发射极区和基极区之间形成的PN结称为发射结，集电区之间形成的PN结称为。基极区称为集电极结，三根引线分别称为发射极e（发射极）、基极b（基极）、集电极c（集电极）。如右图所示

如果b点的电位比e点的电位高零点几伏，则发射结正向偏置，如果C点的电位比b点的电位高几伏，则发射结正向偏置。是向前偏的。成为。集电极结处于反向偏置状态，集电极电源Ec高于基极电压。

在制造晶体管时，必须刻意使发射极区的多数载流子浓度高于基极区的多数载流子浓度，同时基极区必须非常薄，并且严格控制杂质含量。当电源接通时，发射结的正向偏压使发射极区的多数载流子（电子）和基极区的多数载流子（空穴）很容易通过发射结相互扩散。由于前者的浓度基数大于后者，因此通过发射结的电流本质上是电子的流动，这种电子的流动称为发射极电流。

由于基极区很薄，集电极结反向偏置，注入基极区的电子大部分穿过集电极结进入集电极区，形成集电极电流Ic，具有很小（110%）遗迹。基极区中的空穴复合，基极区中复合的空穴由基极功率Eb重新供电，形成基极电流Ibo。根据电流连续性原理：

即=Ib+Ic

这意味着如果您在基极添加一个小Ib，您将在集电极处获得一个大Ic。这就是所谓的电流放大效应。 Ic和Ib保持一定的比例关系如下：

1=Ic/Ib

式中：1——称为直流放大系数。

集电极电流变化量Ic与基极电流变化量Ib之比如下：

=Ic/Ib

式中的称为交流电放大系数，但在低频时，1和的值相差并不大，因此为了方便起见，可以不严格区分两者。从几十个到一百多个。

1=Ic/Ie（Ic和Ie是直流路径中电流的大小）

式中，1也称为直流放大系数，常用于共基极配置的放大器电路，表示发射极电流和集电极电流之间的关系。

=Ic/Ie

式中为交流基极接地电流放大系数。同样，当输入小信号时，和1没有太大区别。

对于表示电流之间关系的两个比例因子，我们有以下关系：

三极管的电流放大特性实际上是利用基极电流的微小变化来控制集电极电流的较大变化。 [2]

如果您知道特定半导体晶体管的基极，则可以使用红色测试引线连接基极，使用黑色测试引线测量其他两个电极引脚。如果被测电阻很大，则该三极管为NPN半导体三极管；如果被测电阻很小，则该三极管为PNP半导体三极管。

半导体晶体管的质量检验

a. 首先选择测量量程：R﹡100或R﹡1K量程

b. 测量PNP半导体晶体管的发射极和集电极的正向电阻。

以红表笔为基极，将黑表笔接发射极，测得的电阻值为发射极的正向电阻。如果将黑表笔接集电极（红表笔不动） ）），测得的电阻为集电极的正向电阻，正向电阻值越小越好。

c.测量PNP半导体三极管发射极和集电极的反向电阻。

以黑表笔为基极，将红表笔分别连接到发射极和集电极，测得的电阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，且反向电阻越小越好。

d、测量NPN半导体三极管发射极和集电极正向电阻的方法与PNP半导体三极管相反。