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短路保护的工作原理,短路保护电路图

来源:头条 作者: chanong
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今天我参考了一个经典电路,制作了一个与电机短路保护相关的电路。

这是一个自锁保护电路。如果发生短路:Q3被拉低,Q2导通,形成自锁力,Q3被迫截止。 Q3 之后的负载没有电压。这次不管有没有负载都没关系,所以即使去掉负载也不会输出。如果想在去掉负载后恢复输出,可在Q3的C-E触点上接一个1K左右的电阻。 C2和c3非常重要,自锁后的重启电路就靠这两个电容,否则会启动失败。原则上,通电时电容两端的电压不会突然变化,所以通电时,Q2的基极被C2保持在高电平,使Q2不导通。在加电期间,C3 将Q3 的基极保持在低电平,打开Q3 并向Vout 提供电压。这样,R5位变高,连续性被锁定。但我在引用的时候遇到了问题。我认为R4 显然会使用1K。问题来了。 VOUT 负载电容恶化。原因是R4变小,Q2的Ib变大,Q2变得更容易导通。我们在第三季度也没有得到任何结果。让我们深入探究一下原因:我们如何计算每个部分的值?为了使计算更容易,我们将R3 设置为1k。假设VCC=5V。考虑到电压被拉低,VCC设置为4.5V。如果Q3短路截止,Q3的基极电压将超过3.9V,故可求Q3的Ic=3.9/1K=3.9ma。 Q3Q2使用8550查规格(注意我在网上看到的都是错误的)。

取其中一个计算出的B值(差别不大)B=200,求出Q2=3.9/200=0.0195MA的IB。为了使Q2导通,Q2的基极电压将为4.5-0.6=3.9。由于得到了Q2的基极电压,电流也得到了,所以R4=3.9/0.0195=200K 当然,R4设置为10k也是可以的,但是Q2的Ib偏置电流会很大。由于IC电流也较大,R3的电压增加10%左右,容易使Q3的基极电压升高,因此用R4调节灵敏度。这是第一个。最重要的是R3。如果您希望Q3 处于截止状态,则由Q2 的状态决定。 R3越大,Q2的IC越小,越容易处于截止状态。 Q2 将饱和。这里的解释有点抽象,难以理解,所以我想如果画个具体的图会更容易理解。当晶体管关闭时,CE 两端的电压最高。将其设置为4.5V。随着IB逐渐增大,VCE逐渐变小,饱和时的Ic由RC决定。参见插图。

负载(RC)越小,饱和电流越大,VCE越大,4.5V到VCE的饱和压差越小,其导通时间越短。最重要的是,对应的VR3=4.5-VCE(饱和度),VR3两端的电压越小,太小达不到3.9V,Q3就越无法截止。这是关于R3对灵敏度的影响。我们来看看R4的影响。

当Q2 关断时,电流传输到Q2 的基极,该电流从E 极流经R4 和R5 到地。在这个初始电流的基础上,Q2的基极电流IB逐渐增大,当从上图中的绿线到达与红线垂直的红线时,就达到了Q2的保护基极电流IB(sta)。 Q2. 因此,初始基极电流IB越大,上升到饱和基极电流IB(sta)的速度就越快。

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今天我参考了一个经典电路,制作了一个与电机短路保护相关的电路。

这是一个自锁保护电路。如果发生短路:Q3被拉低,Q2导通,形成自锁力,Q3被迫截止。 Q3 之后的负载没有电压。这次不管有没有负载都没关系,所以即使去掉负载也不会输出。如果想在去掉负载后恢复输出,可在Q3的C-E触点上接一个1K左右的电阻。 C2和c3非常重要,自锁后的重启电路就靠这两个电容,否则会启动失败。原则上,通电时电容两端的电压不会突然变化,所以通电时,Q2的基极被C2保持在高电平,使Q2不导通。在加电期间,C3 将Q3 的基极保持在低电平,打开Q3 并向Vout 提供电压。这样,R5位变高,连续性被锁定。但我在引用的时候遇到了问题。我认为R4 显然会使用1K。问题来了。 VOUT 负载电容恶化。原因是R4变小,Q2的Ib变大,Q2变得更容易导通。我们在第三季度也没有得到任何结果。让我们深入探究一下原因:我们如何计算每个部分的值?为了使计算更容易,我们将R3 设置为1k。假设VCC=5V。考虑到电压被拉低,VCC设置为4.5V。如果Q3短路截止,Q3的基极电压将超过3.9V,故可求Q3的Ic=3.9/1K=3.9ma。 Q3Q2使用8550查规格(注意我在网上看到的都是错误的)。

取其中一个计算出的B值(差别不大)B=200,求出Q2=3.9/200=0.0195MA的IB。为了使Q2导通,Q2的基极电压将为4.5-0.6=3.9。由于得到了Q2的基极电压,电流也得到了,所以R4=3.9/0.0195=200K 当然,R4设置为10k也是可以的,但是Q2的Ib偏置电流会很大。由于IC电流也较大,R3的电压增加10%左右,容易使Q3的基极电压升高,因此用R4调节灵敏度。这是第一个。最重要的是R3。如果您希望Q3 处于截止状态,则由Q2 的状态决定。 R3越大,Q2的IC越小,越容易处于截止状态。 Q2 将饱和。这里的解释有点抽象,难以理解,所以我想如果画个具体的图会更容易理解。当晶体管关闭时,CE 两端的电压最高。将其设置为4.5V。随着IB逐渐增大,VCE逐渐变小,饱和时的Ic由RC决定。参见插图。

负载(RC)越小,饱和电流越大,VCE越大,4.5V到VCE的饱和压差越小,其导通时间越短。最重要的是,对应的VR3=4.5-VCE(饱和度),VR3两端的电压越小,太小达不到3.9V,Q3就越无法截止。这是关于R3对灵敏度的影响。我们来看看R4的影响。

当Q2 关断时,电流传输到Q2 的基极,该电流从E 极流经R4 和R5 到地。在这个初始电流的基础上,Q2的基极电流IB逐渐增大,当从上图中的绿线到达与红线垂直的红线时,就达到了Q2的保护基极电流IB(sta)。 Q2. 因此,初始基极电流IB越大,上升到饱和基极电流IB(sta)的速度就越快。


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