首页 建筑钢材 中厚 型钢 钢管 涂镀 优特 钢绞 资讯
更多
注册 登录
您当前的位置：钢材 > 钢绞线 > 价格汇总
广告
热门图文
推荐文章

生意社：5月国内液化天然气市场先扬 浏览次

长江有色：29日铜价小跌 后市难觅 浏览次

长江有色：供需困境难解 29日硅价保 浏览次

长江有色：29日铝价小涨 下游刚需 浏览次

长江有色：29日氧化铝期价震荡下跌 浏览次

长江有色：29日铅价上涨 供需双弱成 浏览次

广告
随机浏览

志高空调是不是要倒闭了，志高空调 浏览次

空调大王沦为老赖!扬言"造世界上最 浏览次

啥牌子的空调好，什么品牌的空调质 浏览次

志高空调的前身，志高空调还在生产 浏览次

志高空调ceo是谁，志高空调旗下生产 浏览次

志高空调200款空调的简介和功能，志 浏览次

广告

东风借力，半导体材料国产替代概念股龙头一览

来源:头条 作者: chanong
分享到
关注德勤钢铁网在线：

  • 扫描二维码

    关注√

    德勤钢铁网微信

在线咨询：

  • 扫描或点击关注德勤钢铁网在线客服

（国泉证券制作的报告）

1、半导体材料是半导体产业的基础半导体材料渗透到整个半导体制造工艺，在晶圆制造材料中所占的比例不断增加半导体材料是半导体产业的基础。半导体产业链一般分为设计、制造、应用三个环节。半导体材料位于半导体产业链制造环节的上游，与半导体器件一起构成制造环节上游供应链的核心，是推动半导体产业链发展的基础。半导体材料应用于半导体制造的整个过程。按照应用环节，半导体材料可分为制造材料和封装测试材料。其中，晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩模、光刻胶及支撑材料、湿法电化学、靶材、CMP抛光垫等，封装材料主要包括封装基板、引线框架、键合线、密封材料、陶瓷基板、芯片接合材料等

晶圆制造材料中，硅晶圆是晶圆的基材，掩模版在光刻工艺中作为底板，光刻胶用于将掩模版上的图案转移到硅晶圆上，靶材用于薄板。将被使用。使用特殊气体进行氧化、还原和去除杂质，使用湿电子化学品进行清洁和蚀刻，使用磨料进行平坦化。封装材料中，封装基板和引线框架用于保护和支撑芯片并建立芯片与PCB之间的连接，键合线用于连接芯片和引线框架，键合材料用于芯片。修补；陶瓷封装用于绝缘封装。从细分市场来看，制造材料市场占比63%，其中硅片在制造材料中占比最高。 2021年全球半导体材料市场规模约为643亿美元。其中，制造材料市场约为404亿美元，占比63%，封装测试材料市场约为239亿美元，占比37%。 2021年晶圆制造材料细分市场中，硅晶圆占比最高，达41%，市场份额约126亿美元，掩模版和电子特种气体分别占比16%和15%，市场份额大约将是126亿美元。在约49种CMP材料中，光刻胶、湿法电化学和靶材分别占10%、8%、6%和4%，市场份额分别为30亿美元、25亿美元和20亿美元。 11亿美元。全球半导体材料行业整体市场规模呈上升趋势。根据SEMI数据，2015年至2021年全球半导体材料行业整体市场规模呈扩大趋势。 2015年市场规模为432.9亿美元，预计到2021年将增长至643亿美元，复合年增长率为6.8%。 2019年全球半导体材料行业市场较2018年下降1.12%。这主要是由于2019年下游增速放缓和贸易紧张局势共同影响，半导体行业整体低迷，增速下滑。 2020年至2021年，随着5G和新能源的快速发展，半导体行业的市场需求大幅增长，半导体材料市场规模迅速扩大，2021年相比上年达到643亿美元。每年增长-15.86%。从分产品市场规模来看，晶圆制造材料占比持续提升。 2011-2020年，晶圆制造材料占封装材料的比重持续上升；2011年，晶圆制造材料和封装材料的比重分别为50.63%和49.37%；制造材料和封装材料的比重有所增加。包装材料分别占63.11%和36.89%。晶圆制造材料的比重之所以不断增加，是因为先进制造的不断发展，对晶圆制造工艺中材料的要求提高了，而加工工序的不断增加，也增加了晶圆制造材料的消耗，这是因为

我国集成电路市场保持较高增速，国产半导体材料市场空间广阔。据中国半导体行业协会发布的统计数据，预计2021年中国集成电路产业销售收入为104583万元，比上年增长18.2%。其中，设计业销售额4519亿元（比上年增长19.6%），制造业销售额3176.3亿元（比上年增长24.1%），包装检验业销售额276.3亿元。就成了。 10亿元，比上年增长10.1%。工艺开发和晶圆制造设施扩建刺激了对材料的需求，而贸易紧张局势推动了国内替代工艺的改进，增加了工艺难度和加工步骤数量，并增加了对上游材料的需求。 IC Insights 2020 《Mc clean》 报告显示，过去50 年DRAM、闪存、微处理器和图形处理器的增长趋势继续遵循摩尔定律，这意味着芯片集成度每18 至24 个月就会增加一次。晶体管数量的增加以及工艺和密度的增加，工艺难度和步骤数量增加，对上游材料的要求和性能要求也相应增加。由于晶圆厂产能的扩张，对材料的需求不断增加，中国已成为全球新建晶圆厂数量最多的国家。 SEMI预测，2020年至2024年间，许多晶圆厂将投入运营，其中包括25座8英寸晶圆厂和60座12英寸晶圆厂。新建晶圆厂数量最多的国家是中国，将新建14座8英寸晶圆厂。英寸晶圆厂和15个12英寸晶圆厂。台湾和中国大陆新增2座8英寸晶圆厂和15座12英寸晶圆厂。说到新建8英寸晶圆厂，中国新建的8英寸晶圆厂数量要多得多。关于其他国家/地区。 2021年和2022年中国新开工项目数量将分别为5个和3个，2024年中国国内12英寸晶圆厂市场份额将上升至20%，较2015年增长12%，产量产能将增加，预计较2015年增加12%。达到150万件/月。晶圆厂的扩建将刺激上游半导体材料行业的市场需求。

据IC Insights预测，2022年全球新增10座12英寸晶圆厂预计将使全球晶圆产能增加约8.7%，高于2021年8.5%的增幅。 2022年，全球晶圆厂利用率保持在90%以上，预计将达到93%。 Knometa Research数据显示，2021年全球晶圆产能将达到每月2143万片晶圆（相当于8英寸晶圆），其中中国月产能为350万片晶圆，占全球产量的16%。仅此而已。容量。近两年中国国内产能份额每年增长1%，2011年以来累计增长7%。预计到2024年，中国在全球IC晶圆产能中的占比将达到近19%。根据SEMI数据，2021年台湾仍将是全球最大的半导体材料市场。但增长最快的市场是中国国内市场，2021年将增长21.90%，达到119亿美元，占全球市场的18.56%。我国集成电路仍以进口为主，国产替代还有相当大的空间。中国海关总署数据显示，2021年我国进口芯片总数6354.8亿片，同比增长16.9%，进口金额同比突破4326亿美元。比上年增长23.6%，均创历史新高。 2017年至2021年，日本集成电路进口数量约为出口数量的2倍，进口金额约为出口金额的4倍，日本整体仍高度依赖进口。

美国新的制裁将进一步刺激对国内替代品的需求。此次监管行动主要适用于向中国出口美国设备或零部件的某些先进逻辑或存储芯片制造厂，例如16/14nm以下节点的逻辑集成电路、NAND存储集成电路等。 18nm以下的DRAM集成电路，层数超过128层。进一步限制我国集成电路产业的发展，短期内会对整个产业链造成很大影响，但从长远来看，我国集成电路产业一定会开始走自己的创新之路。预计装备材料国产化趋势将进一步推进，相关国产材料装备将拥有更多验证资源和机会，国产替代周期将缩短。

2、晶圆制造材料：集成电路的材料基础2.1 硅晶圆：半导体器件的主要载体，集成电路构建的基础硅晶圆是半导体器件的主要载体，在半导体材料中所占比例最高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广泛的半导体材料，多晶硅是单质硅的一种。多晶硅通常分为工业级（纯度95%至99%）、太阳能级（纯度99.99%至99.9999%）和电子级（纯度99.9999999%至99.999999999%）。电子级多晶硅通过单晶硅锭的拉制、切割等一系列工艺制成半导体硅片。硅晶圆位于半导体制造产业链的上游。在半导体制造产业链中，硅片是位于制造链上游的基础材料，集成电路结构是建立在硅片的基础上的，硅片是芯片制造的核心原材料。

半导体硅片的制造工艺复杂半导体硅片的制造工艺复杂，主要包括硅片的单晶拉制、切割、抛光、外延等工序。半导体硅片的制造工艺复杂，涉及的工序较多。抛光工艺包括单晶拉制、切割、倒圆、切片、倒角、研磨等。抛光盘是在抛光盘的基础上采用边缘抛光、表面抛光等工艺制造而成。抛光盘是通过外延抛光制造的。硅外延制造工艺硅退火晶片是通过退火热处理制造的，绝缘体上硅SOI是采用特殊工艺制造的。硅片在制造过程中必须经过多次清洗，并且在出售给客户之前必须经过检查和包装。第一步：拉单晶。单晶拉制是半导体硅片制造工艺中的核心技术，常采用直拉法（CZ法）和浮区法（FZ法）。 FZ法纯度高、氧含量低、电阻率高、可耐高电压，但工艺难度大，生产大硅片难度大、成本高，因此8英寸以下尺寸是主流。主要用于中高端功率器件。目前半导体行业主要采用CZ法拉制单晶硅棒，因为CZ法氧含量高，容易生产大尺寸单晶硅棒，工艺成熟，成本低。用过的。单晶拉制技术是直接决定位错、COP（晶体起源坑）、螺纹等晶体特有缺陷密度以及电阻率、电阻率梯度、氧、氧等晶体质量技术指标的技术。碳含量.半导体硅晶圆制造过程中最核心的技术。第2步：切片。将单晶硅棒抛光至相同直径，并根据客户要求的比电阻，使用内径锯或线锯切成约1毫米厚的片，形成硅片。根据目前的工艺和技术水平，普遍采用线切割进行切片，以减少硅材料损失，提高生产效率和表面质量。

第三步：倒角：硅片倒角的目的是去除硅片端面切割加工时产生的棱角、裂纹、毛刺、切屑等缺陷，以及各种端面污染，从而提高质量硅片的边缘。这是关于减少边缘。硅片的表面粗糙度提高了硅片边缘的机械强度并减少了颗粒的表面污染。第四步：研磨。在研磨机中使用磨料将切片抛光至所需厚度，同时提高表面光滑度。研磨的目的是去除切片过程中因切削而产生的表面深度约2025um的机械应力损伤层，以及表面的各种金属离子和其他杂质污染，并得到硅片要有一定的平整度，关键是要有它。表面。第五步：蚀刻和抛光。采用化学蚀刻去除上一步对晶圆表面造成的机械损伤，然后采用硅溶胶机械化学抛光方法使晶圆表面更加光滑。第6步：清洁并检查。产品清洗后经过严格的质量检验，合格后方可销售。此外，它还可用于制造特种硅片，如SOI硅片和外延片。根据掺杂程度的不同，半导体硅片可分为轻掺杂和重掺杂。高掺杂硅片掺杂元素量高，电阻率低，因此常用于功率器件等产品，而轻掺杂硅片掺杂浓度较低，常用于高科技集成电路领域.难度级别和产品质量要求。集成电路占全球半导体市场80%以上，全球对轻掺杂硅片的需求不断增加。半导体硅片以抛光片为基础，按工艺可分为研磨片、抛光片、特种硅片外延片、SOI等。抛光晶圆可用于制造分立器件，轻掺杂抛光晶圆可用于制造大规模集成电路或作为外延片的衬底材料。高掺杂抛光晶圆通常用作外延晶圆的衬底材料。与研磨盘相比，抛光盘具有更好的表面平整度和清洁度。基于抛光晶圆，我们可以生产退火晶圆、外延晶圆、SOI晶圆和键合晶圆。晶圆退火需要在氢气或氩气环境中对抛光晶圆进行高温热处理，以去除晶圆表面附近的氧气，从而提高表面晶体完整性。外延晶圆是在抛光晶圆表面形成的气相生长单晶硅层，可以满足需要晶体完美或不同电阻率的多层结构的需求。 SOI硅晶圆（Silicon-On-Insulators）是通过在两片抛光晶圆之间插入高度电绝缘的氧化膜层制成的，可以实现更高的器件集成度、更低的功耗、更快的速度、更高的性能和可靠性。有源层的形成砷或砷扩散层的形成。结隔离硅片是根据客户设计，采用曝光、离子注入、热扩散等技术，在硅片表面预先形成IC埋层，并在其上生长外延层。

使用最广泛的三种硅晶圆是抛光晶圆、外延晶圆和SOI 晶圆。抛光晶圆直接用于半导体器件的生产，广泛应用于存储芯片、功率器件等，也用作外延片、SOI硅片的衬底材料。在CMOS电路中，用于通用处理器芯片、图形处理器芯片等，也用于制作二极管、IGBT等功率器件，SOI硅片是通过氧化、键合、或抛光抛光后的晶圆加工而成。通过离子注入等工艺，具有耐高压、耐恶劣环境、低功耗、高集成度等特点，主要应用于智能手机、WiFi等无线通信设备的射频前端芯片。它们还用于功率器件、传感器、硅光子器件等芯片产品，价格一般比硅晶圆贵4至5倍。根据应用场景不同，半导体硅片可分为正片和假（附带）片。正片用于半导体产品的生产，而虚片则用于预热机器、填补间隙、测试生产设备的工艺状态和特定工艺的质量。假硅片一般是从晶棒两面的劣质零件切割而成，但由于使用量巨大，在符合条件的情况下，部分产品会被回收再利用。据观研网数据显示，采用65nm工艺的晶圆代工厂，每10片正片需要增加6片假片，而28nm及以下工艺，每10片正片需要增加15到20片假片，需要增加2片。虚拟晶圆。半导体市场拉动硅片市场增长，大硅片需求拉动中国半导体硅片市场增速。根据SEMI数据，2016-2018年全球半导体硅片市场总体呈上升趋势。 2018年至2020年略有下降，2021年恢复上升趋势。全球市场规模为126亿美元。中国国内半导体硅片市场自2015年以来一直快速增长，2021年中国市场规模为16.6亿美元，2015-2021年复合增长率为27%，市场增速明显。硅片出货面积因半导体含量增加而增加，2021年全球硅片出货面积创历史新高。从历史上看，半导体行业的年均增长率一直高于整个电子系统市场的增长率，主要驱动力是电子系统中使用的半导体含量不断增加。例如，从2011年到2021年，电子系统市场将以3.5%的平均复合年增长率增长，而半导体行业将以50%的平均复合年增长率增长。 2011年至2021年，利率为3.5%；据IC Insights预测，2021年电子系统中的半导体含量将增至33.2%的历史新高，最终值预计将超过40%。在半导体内容的推动下，硅晶圆出货面积呈上升趋势，根据SEMI数据，预计2021年全球硅晶圆出货面积将达到141.65亿平方英寸，创历史新高。

集成电路制造工艺的缩小正在推动硅晶圆变得更大。半导体硅晶圆通常可以按两种方式分类：尺寸和工艺。主流半导体硅片分为150mm（6英寸）、200mm（8英寸）、300mm（12英寸）等尺寸。硅晶圆诞生于1960年，最初尺寸为23毫米，但逐渐演变为更大的硅晶圆，并于2002年量产300毫米（12英寸）硅晶圆，目前台积电、英特尔等公司都在生产硅晶圆。也有450mm硅片的研发计划。根据摩尔定律，集成电路上的晶体管数量每18个月增加一倍，成本相应下降一半。较大的硅晶圆尺寸增加了可集成到单个硅晶圆上的芯片数量。芯片尺寸越小，硅片就越小，尺寸越大，单颗芯片的制造成本就越低，可以显着降低边际成本。因此，制造工艺的不断缩小正在推动硅晶圆尺寸的不断增大。先进制造工艺比例的不断增加，正在增加对12英寸芯片的需求。 IC Insight预测，2021年至2024年，亚10纳米工艺在全球芯片制造产能中的份额将快速增加。 2021年10纳米以下工艺占比将达到16%，预计2024年将上升至29%。先进工艺基本以12英寸硅片为主，先进工艺的发展有望刺激需求12英寸硅片。半导体硅片新增需求集中在8英寸、12英寸尺寸，6英寸以下硅片需求稳定。 Omdia数据显示，6英寸以下半导体硅片的需求从2000年到2015年一直呈下降趋势，2015年以来基本稳定，而12英寸硅片的需求则上升至2001年商业化生产的水平。从那时起，这种情况就一直持续着。 8英寸硅片波动相对较小。 Omdia预计，2021年至2025年8英寸和12英寸半导体晶圆的需求将增加，而6英寸及更小晶圆的需求将保持稳定。从2021年出货量来看，12英寸占比47.7%，8英寸占比34.3%，小型占比18.0%；从出货面积来看，2021年12英寸占比70.9%， 8英寸占比70.9%，小尺寸占比22.6%，小尺寸占比6.5%。出于成本考虑，分立器件继续使用小尺寸，而集成电路则转向更大尺寸。由于分立器件价格低廉，厂商投资大型产线的意愿不大，目前仍以6英寸以下硅片为主。集成电路中硅片尺寸增大的经济效果是显而易见的；例如12英寸面积是8英寸的2.25倍，利用率约为8英寸的2.5倍。随着一颗芯片可生产的芯片数量增加，一颗芯片的成本先升高后降低。如果增加硅晶圆尺寸带来的成本节省能够抵消投资更大晶圆生产线的成本，制造商将有动力转向更大尺寸。目前市场上的半导体硅片最大尺寸为12英寸，但由于工艺和技术困难，18英寸（450毫米）硅片尚未实现量产。

2.2掩膜版：图案转移传送带、光刻复制蓝图掩膜版是微电子制造过程中的图案转移母版，是半导体行业制造过程中重要的关键材料。掩模板的作用是通过曝光将设计者的电路图案转移到晶圆上，实现批量生产。掩膜板作为光刻复制图形的基准和蓝图，是连接工业设计和工艺制造的关键环节，掩膜板的精度和质量水平直接影响最终芯片产品的良品率。以晶圆制造为例，制造过程中涉及多次曝光工艺，利用掩模板的曝光遮蔽效应，在半导体晶圆表面形成栅极、源极、漏极、掺杂窗、电极接触孔等。是必须的。光掩模制造对环境要求非常严格。 1、保证恒温恒湿的环境。温度保持在230.5C（10级洁净室）、230.3C（1级洁净室），并保持湿度。 505%RH；2、保证高度净化的空间：大部分区域要求10级净化，但部分区域要求1级净化（灰尘直径大于0.5微米），颗粒数量每立方英尺不得超过1个颗粒的空间）。在半导体制造产业链中，掩模版位于中段。掩模版的主要原材�**ㄑ谀０婊濉⒐庋П∧ぁ⒒约痢昂幸约捌渌ㄖ牧希饕τ糜谄桨逑允酒鳌氲继濉⒋ッ濉⒌缏钒宓闹圃旃讨小Ｆ桨逑允酒鳌氲继宓戎杏蔚缱釉骷痰闹斩擞τ弥饕ㄏ训缱樱ǖ缡印⑹只⒈始潜镜缒浴⑵桨宓缒浴⒖纱┐魃璞福⑾训缱印⑵档缱印⑼缤ㄑ丁ED照明、物联网等领域物联网、医疗电子和工业控制。光掩模制造工艺主要包括CAM图形加工、光刻胶涂覆、激光光刻、显影、蚀刻、剥离、清洗、宏观检查、自动光学检查、精密测量、缺陷处理、光学膜粘贴等。全球掩模版市场稳步向好，半导体光掩模版也在快速增长，全球半导体掩模版市场保持快速发展态势。根据SEMI数据，全球半导体掩模版市场自2012年以来已连续七年持续增长，2019年达到41亿美元，SEMI预计全球半导体掩模版市场将继续保持稳定增长趋势。规模继续增长并超过美国。 44亿美元。从区域来看，随着国内半导体产业全球份额逐步提升，国内半导体掩模版市场规模也在逐渐扩大。根据SEMI数据，2019年国内半导体掩模版市场规模为1.44亿美元，仍处于领先地位。生长。预计2021年将达到1.44亿美元。 1.95 亿美元（复合年增长率： 16.32%）。

半导体掩模版的技术创新主要体现在图案尺寸、精度、制造技术等方面。半导体技术节点从130nm、100nm、90nm、65nm等逐步发展到28nm、14nm、7nm、5nm等，半导体掩模版也从激光直写光刻、湿法工艺、光学检测等逐步发展。电子束光刻、干法、电子显微镜检测。与此同时，在先进工艺半导体掩模制造领域，相移掩模技术（PSM）和光学邻近校正（OPC）技术的使用正在取得进展。 2020年，半导体光掩模的需求首次超过FPD光掩模的需求。据智研咨询数据显示，从光掩模版需求来看，IC光掩模版玻璃基板需求量将从2015年的2.9万平方米增加到2020年5.6万平方米，其中FPD光掩模版玻璃基板需求量2015年也将增加。从2020年到2020年有所增加。 2015年41,000平方米，2020年53,000平方米。 IC光掩模的需求首次超过FPD（平板显示器）光掩模的需求。半导体掩模主要采用成熟工艺制造，未来先进工艺比例预计将增加。总体来看，就各工艺的半导体掩模占比而言，目前主流工艺130nm以上占比54%，28-90nm工艺占比33%，22nm以下工艺占比13%。随着先进工艺的不断发展，半导体掩模在先进工艺中的比例将不断增加。行业竞争环境：美国、日本和韩国的口罩制造商处于领先地位，口罩行业的主要制造商是美国的Phoenix及其韩国子公司PKL，韩国的LG-IT和SKE韩国、日本HOYA、凸版、DNP、中国台湾光掩模、庆亿光电、路威光电。其中，LG-IT和SKE的掩模版产品主要应用于平板显示掩模版领域，且两家公司均拥有G11掩模版生产线，凸版和台湾的光掩模版产品主要应用于平板显示掩模版领域。其掩膜产品主要应用于半导体掩膜领域。 Si、DNP、HOYA的掩模版产品均布局于平板显示掩模版领域和半导体掩模版领域，并且均拥有G11掩模版生产线，清亿光电子和陆伟光电子应用于各种应用。面膜产品。其生产领域广泛，包括平板显示器掩模、半导体掩模、触摸掩模、电路板掩模等。其中，路威光电配备G111掩模生产线。在平板显示器掩模版市场，来自美国、日本、韩国的掩模版制造商占据垄断地位。据Omdia数据显示，2020年全球平板显示器掩模版销量排名前五的厂商分别为菲尼克斯、SKE、HOYA、LG-IT、青艺光电，总销售额约占88%。出售口罩。据Omdia统计，2020年路威光电平板显示掩模板市场份额排名全球第8、国内第2。

在半导体领域，半导体掩模版的主要参与者是为晶圆厂提供支持的掩模版工厂和独立的第三方掩模版制造商。芯片制造所使用的掩模版包含了各个晶圆制造厂的技术秘密，因此晶圆制造厂的先进工艺（45nm以下）使用的掩模版大多是在晶圆厂自己的专业工厂生产的，但更多的是标准化掩模版。用过的。对于更成熟的工艺，例如45nm及以上，出于成本考虑，晶圆厂更愿意从独立的第三方掩模制造商购买掩模。 SEMI数据显示，2019年半导体芯片掩模版市场中，安装在晶圆厂的掩模版工厂占据了65%的份额，而在独立第三方掩模版市场中，半导体芯片掩模版技术主要由Fornic提供。市场集中度较高，以斯里兰卡、日本DNP、凸版为主。未来发展方向：掩模板趋于大型化，高精度FPD掩模版也趋于大型化。近年来，面板厂商积极投资和扩建高世代产线，并且随着面板尺寸越来越大，掩模版开发也变得越来越大，对大尺寸掩模版的需求也随之增加。面板代号是根据生产线上使用的玻璃基板的尺寸来划分的，代号越高的面板，玻璃基板的尺寸越大，需要切割的屏幕就越多，从而减少了操作率和利用率会更高。效率。由于55英寸以上显示产品的需求不断增加，全球平板显示产业正在向8代及以上、10代及以上线迈进。 8.5代线可高效切割32英寸、48英寸、55英寸。电视方面，8.6代线可高效切割50英寸电视、58英寸电视，10.5代线可高效切割65英寸、75英寸电视。此外，还可采用过切等技术，生产差异化尺寸的产品，并可根据市场需求灵活调整。例如，8.5代线切割65寸电视的效率为64%，但切割66寸+32寸电视为一组时，切割效率为94%，8.6代线切割效率为94 %。 90英寸电视的切割效率为74%，但使用90英寸+23.3英寸电视切割时，可以实现91%的切割效率。 10.5代线切割针对65英寸、75英寸电视可实现切割效率。切割效率达到90%以上。 FPD 掩模往往非常准确。超高清视频产业发展前景广阔，正推动掩模版向高分辨率方向发展。《超高清视频产业发展行动计划（2019-2022 年）》表示，“到2022年，我国超高清视频产业总体规模将突破4万亿元，4K产业生态系统基本建成，8K关键技术产品和产业化取得突破。我们将取得巨大进步。”电视终端销量占电视总销量的5%以上，超高清视频用户数已达2亿。掩膜板作为平板显示制造过程中的关键材料，对面板产品的精度起着决定性的作用。这意味着高清技术对掩模精度提出了更高的要求。随着平板显示器分辨率的不断提高，TFT半导体有源层材料逐渐采用LTPS/氧化物技术，并向LTPO（低温多晶氧化物）等新技术演进。掩模版的配套技术要求主要体现在曝光分辨率（最小线宽和接缝）、最小孔或方、CD均匀性、套准精度等方面的不断提高。在半导体领域，掩模技术的更新主要体现在图案尺寸、精度、制造技术等方面。以掩膜版最小图案尺寸为例，180nm工艺节点的半导体产品对应的掩膜版最小图案尺寸约为750nm，65nm工艺节点的产品对应的掩膜版最小图案尺寸约为260nm，28nm的产品对应的掩膜版最小图案尺寸约为750nm。工艺节点约为260nm。 120纳米。半导体掩模图案的尺寸和精度随着半导体技术节点的演进而逐渐提高，目前主流工艺处于100-400nm工艺范围。掩模精度的提高主要体现在基板材料和制造工艺的进一步改进。

石英基板作为基板材料，相比苏打基板具有高透光率、高平整度、低膨胀系数等优点，常用于要求产品图形精度的行业，情况正在逐渐发生变化。从苏打基板到石英基板。在生产技术方面，随着集成电路技术节点的进步，对光罩CD精度、TP精度、贴合精度控制、缺陷管理等要求越来越高。 2.3 特殊气体

：制造工艺不可或缺的原材料，产品需求走向高端化工业气体是现代工业的基础原材料，在国民经济中有着重要地位和作用。按制备方式和应用领域的不同，工业气体可分为大宗气体和特种气体。 大宗气体根据制备方式的不同可分为空分气体和合成气体（空分气体是应用低温原理从空气中分离出组分的气体，合成气体是指由两种或两种以上的物质人工合成的气体），通常指纯度要求低于 5N（N 为Nine 简写，5N 表示小数点后5 个 9，即 0.99999），产销量大的工业气体。特种气体指被应用于特定领域，对纯度、品种、性质有特殊要求的工业气体，根据具体应用不同可分为电子特气、高纯气体和标准气体，广泛应用于集成电路、显示面板、光伏能源、光纤光缆、新能源汽车、航空航天、环保、医疗等领域。 电子特气是市场规模占比最高的特种气体。电子特气是纯度和质量稳定性最高要求最高的特种气体，纯度一般在 6N 以上。特种气体按应用领域分类可分为电子特气、医疗气体、标准气体、激光气体、食品气体、电光源气体等，电子特气在其中占比超过 60%。电子特气广泛应用于集成电路制造领域和半导体照明领域，其中集成电路制造中主要用于硅片制造、氧化、离子注入、CVD、刻蚀等环节，半导体照明中主要用于外延片制造和刻蚀环节。国内电子特气市场高速增长，在集成电路中占比最高全球电子特气市场稳步扩大。根据 TECHCET 数据，2021 年全球电子特气市场规模约 45.4 亿美元，预计 2022 年将达到 50 亿美元，预计2025 年将达到60.2亿美元，2017-2025 年 CAGR 值为 6.2%，全球电子特气市场逐年扩增。中国电子特气市场呈现高速增长的状态。根据中国半导体工业协会和SEMI数据，2021 年中国电子特气市场规模约 196 亿元，预计 2022 年将达到220.8 亿元，2025年达到 316.6 亿元，2016-2025 年 CAGR 值为 14.2%，主要原因是下游行业的高速发展加大企业对电子特气的需求，而国家政策一直在大力发展我国半导体产业，在政策利好与需求升级的双轮驱动下，中国电子特气市场发展迅速。 下游应用中，电子特气在集成电路中占比最高。根据亿渡数据，应用于集成电路的电子特气占比约为 43%，是电子特气占比最高的应用，此外，用于显示面板占比 21%，LED 占比 13%，光伏 6%。集成电路中用于刻蚀和掺杂的电子特气比例最高，分别占比 36%和 34%，主要系当前制程刻蚀环节以干法刻蚀为主，电子特气是主要刻蚀剂；掺杂环节电子特气是提供掺杂元素的主要掺杂剂，所以占比较高。行业竞争格局：高端气体被国外巨头垄断，国产替代需求提升中国电子特气市场被被国外气体巨头垄断。市场竞争方面，全球电子特气市场市场规模占比最高的是德国林德、法国液化空气、美国空气化工和日本大阳日酸四家公司，2020 年分别占比 20.2%、15.5%、6.6%、5.5%，共47.7%。中国电子特气市场方面也由四家公司垄断，市场份额分别为空气化工24.8%、林德22.6%、液化空气 22.3%、大阳日酸 16.1%、共 85.8%。国产特种气体主要劣势在高端气体领域落后于国外。目前国产特种气体产品主要集中于在中低端产品市场，在集成电路制造应用更广的高端特气市场，国产厂商存在产品品类不齐全，品种纯度不高等问题，因此国产电子特气主要集中于清洗和部分蚀刻、光刻低精度环节，对掺杂、沉积以及其他刻蚀、光刻的高精度环节，主要依赖海外进口。 国产特种气体具备运输优势和价格优势。特种气体属于危险化学品，对于产品的包装和运输有很高要求，一旦发生泄漏会引起严重的后果，因此进口特种气体存在多种不便。如国家进出口管制、交付周期长、容器规格要求高、运输不便、售后困难等。而国产特种气体不存在进出口管制问题，运输和售后也更为便利。价格方面国产特气相较于国外更低，约为 60%-80%，有助于下游企业降低生产成本。国家政策大力扶持，助力特种气体国产化。从 2009 年开始，国家不断出台新的政策法规，来支持工业气体行业的发展，重点支持特种气体，尤其是应用于集成电路的电子级特种气体的相关研发和产业化。进入十四五后，中国工业气体工业协会和工信部先后颁布了《中国气体工业“十四五”发展指南》和《“十四五”原材料工业发展规划》，进一步助力特种气体的国产替代发展。2.4 光刻胶：集成电路制造之纽带，光刻刻蚀衔接链光刻胶是半导体制造光刻工艺的关键材料。光刻胶为利用光化学反应进行微细加工图形转移的媒体，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等主要成分组成的对光敏感的感光材料，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 光刻胶成分主要包括溶剂、光引发剂、成膜树脂和添加剂。其中溶剂主要起溶解作用，占比 50%-90%；光引发剂是核心部分，在特定光辐射能下回产生化学反应，占比 1%-6%；成膜树脂起粘合作用，占比 10%-40%；添加剂分为单体和助剂，主要对光化学反应和整体性能起调节作用，占比小于 1%。光刻胶按照用途主要分为半导体用光刻胶、平板显示用光刻胶和PCB 光刻胶三类。自 1959 年被发明以来就应用于半导体产业，是半导体工业最核心的工艺材料之一；随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺，成为PCB 生产的重要材料；二十世纪 90 年代，光刻胶又被运用到平板显示的加工制作，对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。不同品类半导体用光刻胶应用于不同制程节点。光刻胶根据对应波长，主要品类分为紫外光谱（300-450nm）、g-line（436nm）、i-line（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）。目前 g-line、i-line 广泛应用于0.5um以上和0.5-0.35um 制程，KrF 多应用于 0.25-0.13um，ArF 应用于130-7nm，EUV应用于7nm 及以下。光刻胶市场规模稳定扩增，细分市场需求趋向于高端化全球光刻胶市场与国内光刻胶市场稳定扩增。根据reportlinker 数据，2019年全球光刻胶市场规模为 82 亿美元，预计 2021 年市场规模约92 亿美元，预计2026年将达到 123 亿美元，2019-2026 年 CAGR 值为 5.9%。根据中商情报网数据，2017年中国光刻胶市场规模为 58.7 亿元，2021 年中国光刻胶市场规模为93.3亿元，预计 2022 年达到 98.7 亿元，2017-2022CAGR 值为10.9%，保持稳定增长。出货量 EUV 光刻胶 CAGR 增速最快，KrF、ArFi 保持高增速。根据TECHCET数据，2020 年 g&i line、KrF、ArF、ArFi、EUV 光刻胶出货量分别为3658 千升、3307千升、549 千升、1190 千升、18 千升，预计到 2025 年将分别增长至4048千升、4965 千升、602 千升、1630 千升、145 千升，2020-2025 年CAGR 中，EUV光刻胶增速最高为 51.8%，KrF、ArFi 分别为 8.5%和 6.5%，g&i line、ArF 增速为2%、1.8%。 下游出货量应用于 Logic 和 NVM 出货量增长较多，DRAM 保持持平。从下游出货情况看，2021 年 Logic、DRAM、NVM 出货量分别为 5954、1565、1853 千升，预计到2025 年将分别增加至 6774、1615、3002 千升。Logic 和NVM 出货量增长较多，主要系先进制程发展增加了光刻步骤数及存储器的快速放量。 光刻胶产业从欧美转向日本，核心市场被国外占据光刻胶产业从欧美转向日本。在集成电路制造业精细加工从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中，光刻胶起着举足轻重的作用，全球光刻胶供应市场高度集中，核心技术一直掌握在日、美等国际大公司手中。光刻胶产业早先被欧美厂商主导，1950 年，德国 Kalle 公司率先发明g 线、i 线光刻胶；1980 年，IBM 研制成功 KrF 光刻胶技术；1995 年，东京应化研发出KrF 正性光刻胶迅速开始占领光刻胶市场；此后，日本企业开始统治光刻胶市场。JSR和东京应化先后于 2000 和 2001 年推出了 ArF 光刻胶产品；2002 年，东芝开发出22nm的低分子 EUV 光刻胶。光刻胶核心市场主要被国外厂商占据。截止 2021 年，美日韩企业占据了88%的光刻胶市场份额，其中东京应化 27%、陶氏 17%、合成橡胶13%、住友化学12%、韩国东进 11%、富士胶片 8%。光刻胶组分决定了光刻胶的质量，也是光刻胶技术壁垒所在。国内知名光刻胶企业包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等。由于我国光刻胶产业起步较晚，目前市场份额占比较低。国产光刻胶国产替代空间广阔，配套材料市场增长迅速国内光刻胶生产集中于 PCB 光刻胶，半导体光刻胶和平板显示光刻胶具有光阔的国产替代空间。根据 Research in China 数据，全球光刻胶市场三大组成部分是半导体光刻胶、平板显示光刻胶和 PCB 光刻胶，市场份额分别为23.3%、25.9%和23.6%。半导体光刻胶在三者中是技术难度相对高、成长性好的细分市场。目前我国半导体光刻胶和平板显示光刻胶制造能力仍较弱，只占整体生产结构的2%和3%，主要生产技术水平较低的 PCB 用光刻胶，占整体生产结构中的94%，半导体光刻胶及面板光刻胶国产替代空间广阔。晶圆厂扩产叠加贸易摩擦，刺激光刻胶国产替代需求。2022-2025 年是国内晶圆厂产线投产期，外部压力增大，国产光刻胶进入认证窗口。受益于5G 通讯、新能源汽车等行业快速发展，半导体行业进入迅速扩张期。据SEMI 统计，预计至2024年底，中国国内将建立 31 座大型晶圆厂，主要集中于成熟制程，随着晶圆厂产线投产，光刻胶验证进入导入期。另一方面由于中美贸易冲突，刺激光刻胶国产替代需求，国产光刻胶发展迎来机遇。 光刻胶配套材料市场规模不断提升。在光刻胶使用过程中，光刻胶配套材料是光刻胶使用过程中不可或缺的一部分。包括稀释剂、显影液、漂洗液、蚀刻液、去胶液等，主要采用基础化工原料，包括氢氟酸、异丙醇、硝酸、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、无水乙醇、双氧水、硫酸、氢氧化钠等制造。根据SEMI 数据，全球半导体光刻胶配套材料市场规模稳步增长，2016 年为19.1 亿美元，2021年达到了 32.3 亿美元，CAGR 为 11.1%。2.5 湿电子化学品:保证工艺精度的重要材料，国产替代任重道远湿电子化学品又称工艺化学品，是微电子、光电子湿法工艺（主要包括湿法刻蚀、湿法清洗）制程中使用的各种液体化工材料。湿电子化学品按照大类一般可划分为通用化学品（通常为超净高纯试剂）和功能性化学品。湿电子化学品主要用于半导体、光伏太阳能电池、LED 和平板显示等电子信息产品的清洗、蚀刻等工艺环节。半导体行业由于精细加工要求，对湿电子化学品要求更高。SEMI 将半导体用湿电子化学品按金属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等指标制定国际5个等级分类标准。不同线宽的集成电路制程工艺中必须使用不同规格的超净高纯化学品进行蚀刻和清洗，且湿电子化学品的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性均有十分重要的影响。 超净高纯试剂是湿电子化学品的重要组成部分，占比88.2%。超净高纯试剂按照性质划分可分为：酸类、碱类、有机溶剂类和其它类，主要包括双氧水、氢氟酸、硫酸、磷酸、盐酸、硝酸、氢氧化铵等。根据中国电子材料行业协会统计，湿电子化学品中占比较高的是双氧水（18.9%）、氢氟酸（18.1%）、硫酸（17.3%）、硝酸（16.2%）等；在半导体加工领域，需求量较大的产品是硫酸（32.8%）、双氧水（28.1%）、氨水（8.3%）、主要应用于晶圆的清洗环节。湿电子化学品市场稳步增长，中国市场扩张迅速全球湿电子化学品市场规模稳步增长，2025 年需求量增加50%以上。根据智研咨询数据，全球湿电子化学品市场规模 2011 年为 25.3 亿美元，2020 年为56.8亿美元，2011-2020 年 CAGR 值 9.4%。需求量方面，根据中国电子材料行业协会数据，2021 年全球湿电子化学品需求量为 458.3 万吨，半导体需求量209 万吨，显示面板需求量 167.2 万吨，光伏等其他需求量 82.1 万吨。预计到2025 年全球湿电子化学品需求量将达到 697.2 万吨，半导体需求量 313 万吨，显示面板需求量244万吨，光伏等其他需求量 140.2 万吨，总需求量将增加50%以上。湿电子化学品中国市场快速增长，2025 年需求量超过70%。中国湿电子化学品市场规模 2011 年为 27.8 亿元，2021 年为 137.8 亿元，CAGR 值17.3%，高于全球平均增速，预计 2022 年将达到 163.9 亿元，2028 年将达到301.7 亿元。2021年中国湿电子化学品需求量为 213.5 万吨，半导体需求量70.3 万吨，显示面板需求量77.8 万吨，光伏需求量 65.4 万吨。预计到 2025 年中国湿电子化学品需求量将达到 369.6 万吨，半导体需求量 106.9 万吨，显示面板需求量149.5 万吨，光伏需求量 113.1 万吨，总需求量超过 70%。晶圆厂扩产刺激需求，贸易摩擦加速国产替代晶圆厂扩产刺激湿电子化学品材料需求。8 吋及 12 吋产能扩张带动高纯试剂需求进一步提升，12 吋晶圆制造过程中所使用的湿电子化学品约为24 千克/片，8吋晶圆消耗量约为 12 吋晶圆消耗量的五分之一，约为5 千克/片左右，6 吋晶圆消耗量约为 12 吋晶圆消耗量的八分之一左右，约为 3 千克/片。中美贸易摩擦，推动湿电子化学品国产替代进程。湿电子化学品在全球半导体市场规模占比 6.7%，约 20 亿美元，国内市场规模约6 亿美元。在湿电子化学品的主要应用中，半导体用湿电子化学品国产化率较低，约为20%，显示面板国产化率约为 40%，具有广阔的国产替代空间。近年中美贸易持续摩擦，会对电子材料的供应格局产生一定影响，刺激湿电子化学品的国产替代需求，推动国产替代进程。 国外巨头占据湿电子化学品高端市场，国产替代任重道远目前全球范围内从事湿电子化学品研究开发及大规模生产的厂商主要集中在美国、德国、日本、韩国、中国台湾等地区。主要企业包括德国巴斯夫、美国亚什兰化学、Arch 化学，日本关东化学、三菱化学、京都化工、住友化学，中国台湾新林科技，韩国东友精细化工等。前瞻产业研究院数据显示2019 年中国国内在国内湿电子化学品市场供应分布仅占 9%，欧美企业和日本企业占比超过60%。我国湿电子化学品多集中于低端市场，高端市场亟需突破。国内湿电子化学品主要供应光伏市场、低代线平板显示市场和 6 寸及以下半导体市场，G6、G8代线平板显示和 8 寸及以�**氲继迨姓悸式鑫� 10%。我国湿电子化学品由于起步较晚，品类丰富度及提纯技术水平相对落后于国外领先企业，因此多集中于低端市场，但国内厂商积极开拓高端湿电子化学品市场，头部厂商已具备了生产G4、G5标准的部分湿电子化学品品类的能力，同时结合运输、价格和售后等方面的本土化优势，未来湿电子化学品的高端市场国产替代空间广阔。2.6 CMP 材料：抛光液&抛光垫，平坦化技术核心材料CMP 是一种化学腐蚀和机械研磨相结合的平坦化半导体表面工艺，是集成电路晶圆制造中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。半导体制造分为前道工艺和后道工艺，其中前道工艺指在晶圆上形成器件的工艺过程，也称晶圆制造，后道工艺指将晶圆上的器件分离，封装的工艺过程。前道工艺共有七大工艺步骤，分别为氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化，通过循环重复上述工艺，最终在晶圆表面形成立体的多层结构，实现整个集成电路的制造。在晶圆制造的各个阶段，晶圆表面都要进行平坦化处理以保持完全平坦。目的是去除多余的材料，或者是为了建立极其平坦的基底，以便添加下一层电路特征。如果晶圆制造过程中无法做到纳米级全局平坦化，既无法重复进行光刻、刻蚀、薄膜和掺杂等关键工艺，也无法将制程节点缩小至纳米级的先进领域，因此随着超大规模集成电路制造的线宽不断细小化而产生对平坦化的更高要求需求，CMP在先进工艺制程中具有不可替代且越来越重要的作用。全球晶圆厂积极扩产提升 CMP 材料需求。根据国际半导体协会SEMI 数据，2021年全球晶圆制造材料市场同比增长 15.5%，达到 404 亿美元，晶圆封装材料市场规模同比增长 16.5%，达到 239 亿美元。硅、湿化学品、CMP 和光掩模领域在晶圆制造材料市场中增长强劲。 制程缩小提高 CMP 次数，封装工艺进步拓宽CMP 边界晶圆制程缩小需大幅提高 CMP 次数，导致 CMP 抛光耗材在晶圆制造过程中消耗量增加。根据 Cabot 微电子数据，14 纳米以下逻辑芯片工艺要求的关键CMP工艺将达到 20 步以上，使用的抛光液将从 90 纳米的约 5 种抛光液增加到20 余种，种类和用量迅速增长；7 纳米及以下逻辑芯片工艺中 CMP 抛光步骤甚至可能达到30步，使用的抛光液种类接近 30 种。CMP 的应用边界，从最初的STI（浅沟槽隔离层）拓展到 ILD（层间介质）、Metal（金属互连层）、TM（顶层金属）等。目前逻辑芯片正向 7nm 以下先进制程发展，台积电5nm 产品已于2020 年下半年实现量产出货，而芯片制程从成熟制程 28nm，先进制程14nm 上升到7nm后，CMP抛光步骤大幅增加。存储芯片的封装工艺进步，让 CMP 工艺从前道延展到后道。存储芯片由2DNAND向 3D NAND 技术变革，也会使 CMP 抛光步骤数近乎翻倍。集成电路2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入 3D 时代。随着系统级封装等新的封装方式的发展，技术实现方法上出现了倒装、凸块、晶圆级封装、2.5D 封装和3D封装等先进封装技术。目前 64 层 3D NAND 闪存已进入大生产，232 层闪存已经推出，目前处于扩产周期。此外，TSV 硅通孔技术作为一项高密度封装技术也需要用到CMP。TSV 正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。由于TSV技术中需要使用 CMP 工艺，进行通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光，用来平坦化和隔开另一面沉积的导体薄膜，便于金属布线，也会用于晶圆背面金属化和平坦化的减薄抛光，因此 CMP 抛光材料将在先进封装工艺中寻找到新的市场空间。国产替代突破技术壁垒，国内厂商缩短验证周期抛光垫：抛光垫的自身硬度、刚性、可压缩性等机械物理性能对抛光质量、材料去除率和抛光垫的寿命有着明显的影响。硬度即定期保持形状精度的能力，采用硬质抛光垫可以获得较好的工件平面度，使用软质抛光垫可以加工变质层和表面粗糙度都很小的抛光平面。可压缩性决定抛光过程中抛光垫和工件表面的贴合程度，影响材料去除率和表面平坦化程度。可压缩性越大，贴合越紧密，去除率越高。目前，国际先进厂家在 3D-NAND 等高要求的生产环节中应用固定研磨颗粒的抛光垫，其产品融合了原本存在于抛光液的抛光颗粒，抛光垫重要性有望进一步提高。抛光垫行业的壁垒主要包括：技术壁垒、专利壁垒和客户认证壁垒。技术上，抛光垫需要持续试错，形成稳定有效的材料配方、制作工艺及设计图案，从而获得较好的抛光速率和抛光效果，在各项指标上达到较好的平衡。专利上，国产抛光垫目前专利技术仍积累较浅。日本、美国在抛光垫领域技术积累全球领先，中国排名第 5。据《集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析》一文统计，截至 2017 年，在全球 2918 个核心专利族中，有效专利1511个。其中日本有效专利占比 41%，美国占比 33%，处于领先地位。中国有效专利数占比13%，排名第四。公司截止 2021 年底已获得授权的专利686 项，其中抛光垫制造及工艺相关发明及创新有效专利约 54 项，与国际领先企业仍有一定差距。抛光液：抛光液由去离子水、磨料、PH 值调节剂、氧化剂以及分散剂等添加剂组成。在抛光过程中，抛光液中的氧化剂等成分与硅片表面材料产生化学反应并在表面形成化学反应薄膜，后由抛光液中的磨粒在压力和摩擦的作用下将其去除，从而实现抛光。根据应用环节、配方中磨粒、PH 值的不同，抛光液可以进行不同分类。 按照应用环节分类：可分为硅抛光液、铜抛光液、阻挡层抛光液、钨抛光液、钴抛光液、介质层（TDL）抛光液、浅槽隔离（STI）抛光液和硅通孔（TSV）抛光液。按照配方中磨粒分类：可分为二氧化硅、氧化铈、氧化铝磨粒等。二氧化硅磨粒优点是活性强、易于清洗、分散性及选择性好，多用于硅及层间氧化硅介电层的抛光，缺点是硬度大，容易对硅片表面造成损伤，且抛光效率低；氧化铝磨粒优点是抛光效率高，缺点是硬度大、选择性低、易出现团聚，因此抛光液中常需加入各类稳定剂和分散剂，导致成本上升；氧化铈磨粒优点是硬度低，抛光效率高，平坦度高，清洁无污染，缺点是团聚严重，需加入各类稳定剂和分散剂，且铈属于稀有金属，成本偏高。按照 PH 值分类：可分为酸性抛光液和碱性抛光液。酸性抛光优点是抛光效率高、可溶性强，多用于对铜、钨、铝、钛等金属材料进行抛光，缺点是腐蚀性强导致选择性低，易降低抛光设备的寿命及可靠性，所以需要在抛光液中添加抗蚀剂（BTA）提高选择性，但 BTA 对抛光液的稳定性会造成一定影响；碱性抛光液优点是腐蚀性低、选择性高，多用于抛光硅、氧化物及光阻材料等非金属材料的抛光，缺点是抛光效率较低，原因是不容易找到在弱碱性中氧化势高的氧化剂。 根据观研天下数据，2018 年 TOP5 厂商为 Cabot Microelectronics、Versum、日立、富士美、陶氏，合计占市场 80%以上市场份额。然而抛光液市场格局有分散化趋势，国产替代机会更大。美国的 Cabot Microelectronics 是全球抛光液市场龙头，2000 年市占率高达 80%，不过到 2017 年 Cabot Microelectronics 全球市占率降低至 36%。其他主要供应商包括 Hitachi、Fujimi、Versum 等，市占率分别为15%、11%、10%。抛光液市场分散程度相对较高，多元化发展趋势明显，国产厂商实现替代机会较大。目前安集微电子已经形成替代，但全球市占率仅有2%。国内厂商加快验证周期。核心客户认证体系壁垒方面，由于抛光垫和抛光液对芯片良率影响较大，但成本占比较相对较低，在稳定而成熟的FAB 厂中，为确保芯片良率，一般很少替换原有稳定的供应商。半导体Fab 厂具有资本密集和技术密集的属性，对于上游半导体原材料的稳定性和良品率有极高的要求，因此对于原材料供应商认证门槛极高、认证周期较长。目前在半导体产业链安全可控的大环境下，国内厂商速度加快，验证周期缩短到半年左右。2.7 靶材：PVD 沉积核心材料，薄膜沉积重要组成部分靶材是 PVD 的核心材料。物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）技术是制备电子薄膜材料的主要技术之一，是利用物理方法在基板表面沉积薄膜的方式，根据沉积方式的不同，PVD 分为溅射法和蒸镀法，被沉积的材料称为靶材。靶材是 PVD 的核心材料。 溅射法是利用离子源产生的离子，在真空中加速聚集成高速离子流，轰击固体表面，离子和固体表面的原子发生动能交换，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面，从而形成纳米（或微米）薄膜。被轰击的固体是PVD 沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用。真空蒸发镀膜是指在真空条件下，利用膜材加热装置（称为蒸发源）的热能，通过加热蒸发某种物质使其沉积在基板材料表面的一种沉积技术。被蒸发的物质是用真空蒸发镀膜法沉积薄膜材料的原材料，称之为蒸镀材料。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、操作方便、成膜速度快等特点，主要应用于小尺寸基板材料的镀膜。 靶材产业链可以分为金属提纯、靶材制造、镀膜和终端应用四个环节。首先是金属提纯，原材料铝、铜、钽、钛等金属以金属提纯方式形成高纯金属，作为靶材制造的原材料；第二环节是靶材制造，将高纯金属通过加工形成溅射靶材，制造好的靶材包括靶坯和背板两部分，靶坯是溅射靶材的主体，背板起固定靶坯的作用。第三个环节是镀膜，以溅射镀膜为例，以高速离子束流轰击靶坯，溅射出靶坯表面原子，沉积于基板从而制成电子薄膜，电子薄膜按照应用不同有不同分类；最后将薄膜材料应用于半导体芯片、平板显示器、信息存储、光学元器件、薄膜太阳能等不同领域。靶材市场主要分布于平板显示、记录媒体、太阳能电池和半导体四大领域，其中半导体占比约 10%。根据华经产业研究院数据，截至2021 年，四大领域靶材市场占比约 94%，其中平板显示、记录媒体和太阳能电池占比较高，分别为34%、29%和 21%，半导体占比约 10%。半导体靶材市场发展迅速，制造与封装不可或缺根据 SEMI 数据，全球半导体靶材市场规模整体保持增长态势。2021 年为16.95亿美元，同比增长超过 20%，其中晶圆制造用靶材 10.5 亿美元，封装用靶材6.45亿美元。根据智研咨询数据，2021 年中国半导体靶材市场约，预计2022年中国半导体靶材的市场规模将达到 75.1 亿元，同比增长19%，2018-2022 年，中国半导体靶材市场规模一直保持较快增速，CAGR 值为 22.1%。一方面系消费电子、5G、新能源等半导体下游应用快速发展，另一方面由于国内政策推动了半导体产业进一步向国内转移。靶材在晶圆制造与芯片封装中均有应用。在晶圆制造过程中，靶材主要用于晶圆导电层、阻挡层的沉积以及金属栅极的溅镀，在封装过程中主要用于贴片焊线过程中的镀膜。其中铜靶、铝靶常作为导电层，钽靶、钛靶常作为阻挡层，镍铬合金靶、钴靶、钨钛合金靶等常作为接触层。 铜、钽靶材受益于先进制程发展，铝、钛靶材受益于汽车电子发展。在晶圆制造过程中，在 110nm 以上的技术节点，常以铝和钛作为一组导电层和阻挡层来使用，进入 110nm 以下的技术节点后，出于对更高导电性能的要求，用铜替换铝作为导电层，用钽替换钛作为阻挡层。因此，先进制程的发展将刺激铜靶、钽靶的需求量增加，而汽车电子所需的功率芯片通常 110nm 以上制程即可满足，铝靶、钛靶将受益于汽车电子发展。 靶材市场国产化率偏低，国内头部企业成长迅速靶材市场主要被世界巨头垄断，国产公司成长迅速。由于溅射镀膜工艺起源于国外，国外靶材公司相较于国内拥有更长时间的成长历史和技术积淀，在靶材市场处于主导地位，根据华经产业研究院数据，截至 2021 年，美日头部靶材企业占据了全球市场的 80%，其中 JX 日矿金属、霍尼韦尔、东曹和普莱克斯分别占比30%、20%、20%和 10%。国内企业虽然处于国产替代初期，但头部厂商成长迅速，目前江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技、映日科技等在下游各领域头部企业均打开了一定市场。国家政策推进靶材发展，推动靶材国产化。近年来，国家不断出台新的政策法规，来推动靶材行业国产化的发展，特别是集成电路产业的靶材国产化。2021年颁布的《“十四五”规划和 2035 年远景目标纲要》中，重点提到了集成电路攻关方面，高纯靶材为重点攻关方向之一，国家政策的大力扶持进一步助力靶材产业的国产替代发展。 3.相关公司3.1 立昂微：国产硅片龙头，半导体硅片和功率器件产销两旺国产硅片龙头，公司业务涵盖半导体硅片、半导体功率器件和化合物半导体射频芯片，是国内重掺硅片龙头企业。公司主要产品包含6/8/12 英寸硅片、肖特基二极管、MOSFET 和射频芯片。产品应用领域包括通信、计算机、汽车、消费电子、光伏、智能电网、医疗电子以及 5G、物联网、工业控制、航空航天等产业。受益于晶圆制造产能的持续紧张以及下游光伏汽车的高景气度，公司营收和净利润均保持高速增长。公司营业收入及归母净利润稳步增长。2021 年公司营业收入25.41 亿元，较上年同期增长 69.2%，预计 2022 年将达到 38.91 亿元，同比增长53.1%，2015-2021年 CAGR 为 27.5%；2021 年公司实现归母净利润 6.0 亿元，同比增长197.2%，预计 2022 年归母净利润将达到 10.28 亿元，同比增长71.2%，2015-2021年CAGR为 58.4%，营业收入及归母净利润增长强劲。公司毛利率/净利率稳步提升。2015-2017 年，公司毛利率维持在30%左右，2018年以来，公司的毛利率稳步提升，2021 年毛利率达47.5%，比2015 年增加19%，主要得益于半导体功率器件的紧缺和产品结构的改善。2022 年一季度公司延续增长态势，整体毛利率提升至 50.26%。净利率与毛利率保持一致步调，从2015年9.1%提升到了 2021 年 24.5%。 营收分布方面，半导体硅片和半导体功率器件占据了营业收入95%以上。截至2021年，公司半导体硅片营收占比为 57.4%。半导体功率器件占比39.6%，砷化镓芯片占比 1.7%，其他业务占比 1.2%。受益于半导体市场景气，2021 年半导体硅片和半导体功率器件产品销售势头强劲，营收同比增长分别为49.85%和100.34%，同时化合物半导体射频芯片也迅速增量，2021 年销售收入达0.44 亿元。 3.2 沪硅产业：半导体硅片龙头企业，多方面布局半导体材料公司成立于 2015 年，主要从事半导体硅片的研发、生产和销售，是中国国内规模最大的半导体硅片制造企业之一，也是中国国内率先实现300mm 半导体硅片规模化销售的企业。公司硅片产品品类全面，尺寸包括300mm、200mm、150mm、125mm和 100mm，类别涵盖半导体抛光片、外延片、SOI 硅片。公司方面布局半导体材料，除硅片外也布局了压电薄膜材料和光掩模材料。借助内生外延发展，公司已成长为国内半导体硅片龙头企业。公司营业收入持续快速增长。2021 年公司实现营业收入24.67 亿元，同比增长36.2%，预计 2022 年营业收入为 35.11 亿元，同比增加42.3%，近5 年CAGR值高达 55.7%，营业收入持续快速增长。归母净利润方面，公司在2020 年实现扭亏为盈，2021 年保持快速增长，2021 年公司归母净利润为1,46 亿元，同比增长67.8%，预计 2022 年归母净利润为 2.17 亿元，同比增长 48.6%。费率方面持续降低。2016-2021 年公司各项费率持续降低，销售费率从7%降至3%，管理费率从 34%降至 9%，研发费率从 8%降至 5%， 财务费率波动不大，从1%上升2%。总体来看费率持续降低，公司运营情况良好。 3.3 清溢光电：国产掩膜版龙头，景气度持续上行清溢光电成立于 1997 年，于 2019 年 11 月上市，是国产掩膜版的龙头企业。公司主要生产半导体芯片、平板显示、触控及电路板用的掩膜版，客户包括中芯国际、长电科技、士兰微、因特尔、京东方等，在 Omdia 发布的2020 年平板显示用掩膜版企业销售排行中，清溢光电位列全球第五，全国第一。公司营业收入保持上涨态势。2021 年公司营业收入5.44 亿元，较上年同期增长11.7%，预计 2022 年将达到 8.18 亿元，同比增长50.4%，2012-2021 年CAGR为8.6%；2021 年公司实现归母净利润 0.45 亿元，预计2022 年归母净利润将达到0,96亿元，同比增长 113.3%，2012-2021 年归母净利润CAGR 为8.3%。营业收入保持稳定上涨。公司毛利率相对稳定，21 年出现下滑，主要系合肥新工厂产能爬坡影响。2013-2020 年，公司毛利率稳定在 30%以上，2021 年降低至25.0%，主要原因是合肥新工厂产能爬坡，对利润造成一定影响。22-23 年随着新工厂产能释放实现盈利，公司利润会快速回升。3.4 雅克科技：具备全球竞争力的电子材料厂商雅克科技成立于 1997 年，于 2010 年实现深交所中小板上市。此后公司积极探索战略转型，通过内生发展和外延并购先后进军半导体封装材料、半导体前驱体、特种气体及集成电路等领域，成为新兴产业下的平台型公司。雅克科技主营业务包括阻燃剂、半导体材料、彩色光刻胶、LNG 保温绝热板材及LDS 输送业务等，其中半导体材料业务分为半导体前驱体、电子特气、光刻胶、硅微粉和 LDS，前驱体主要应用在集成电路存储芯片、逻辑芯片的薄膜沉积环节；电子特气，主要是六氟化硫和四氟化碳；光刻胶产品主要应用于显示面板的三色子像素制作和 TFT 制作；硅微粉主要运用于集成电路封装材料等；LDS 输送系统主要用于前驱体材料等化学品的输送。 自开启并购后，公司整体收入及盈利水平大幅增长。2016 年公司开启电子材料的并购，收入体量从 8.94 亿元增长到 2021 年 37.82 亿元，5 年CAGR 值高达33.4%。归母净利润方面，2016 年归母净利润为 0.35 亿元，2021 年为2.81 亿元，5年CAGR值为 51.7%。预计 2022 年营业收入 44.17 亿元，同比增长16.67%。预计归母净利润为 6.22 亿元，同比增长 85.86%。主要系光刻胶业务实现自产叠加产品涨价，以及国内客户的开拓，使得净利润增速上升。利润率方面，公司自并购以来，由于电子材料的盈利水平强于公司传统的阻燃剂业务，随着电子材�**蹇檎急忍嵘斯菊迕实纳仙４�2016年销售毛利率 23.2%上升到 2020 年的 35.5%。2021 年，公司销售毛利率下滑至26%，主要系受原材料涨价及彩色光刻胶业务采用代工模式毛利率较低的影响。2022年彩色光刻胶业务实现自产，叠加产品涨价，22Q1 毛利率已经回升至32%。营收分布方面，按产品划分，电子材料占比最高，截至2021 年，公司电子材料营收占比已达 74%。其中，前驱体&SOD 占 22%，光刻胶及配套试剂占32%，电子特气占 10%，球形硅微粉占 6%，LDS 设备占 2.8%。此外LNG 保温复合材料占10%，阻燃剂业务占 12%。按地区划分，2021 年公司国内收入17.4 亿元，国外收入20.4亿元，分别占比 46%和 54%。其中国内业务大幅提升，2020 年为3.66 亿，同比增长 375%，国内业务快速有释放。3.5 华特气体：电子特气先行者，国产替代加速突破公司成立于 1999 年，核心主营业务是特种气体，产品包括高纯六氟乙烷、高纯四氟化碳等约 230 余种特气，普通气体 10 余种，此外还有气体设备与工程服务，主要包括低温绝热气瓶等产品及配套的供气系统设计、安装服务。公司是国产特种气体龙头企业，实现了对国内 IC 制造企业 80%以上的覆盖率，产品竞争力强，打破海外垄断，是唯一通过 ASML 验证的国产气体公司，拥有TI、INTEL、镁光等海外客户。公司营业收入及归母净利润稳步提升。2021 年公司营业收入13.47 亿元，较上年同期增长 34.7%，预计 2022 年将达到 18.42 亿，同比增长36.7%，2014-2021年CAGR 为 11.9%；2021 年公司实现归母净利润 1.29 亿元，同比增长21.7%，预计2022年归母净利润将达到2.11亿元，同比增长63.6%，2014-2021年CAGR为15.2%，营业收入及归母净利润增长强劲。 营收分布方面，电子特种气体是主要收入来源。2021 年公司电子特气收入7.97亿元，收入占比 59.8%；此外设备工程收入 2.69 亿元，收入占比20.2%；工业气体收入 2.66 亿元，收入占比 20%。3.6 昊华科技：科研院所技术引领，材料平台业绩增进公司前身天科股份是西南化工设计院发起，将变压吸附技术及成套、碳一化学成套技术等优质资产整合而成的技术服务型企业。2018 年以来，公司通过陆续收购大股东中国昊华旗下 12 家科研院所，成为中化集团旗下重要的新材料平台型企业，主营业务为航空航天材料、高端氟材料、电子化学品，产品服务于多个国家军、民品核心产业。公司营业收入及归母净利润增长强劲。2021 年公司营业收入74.24 亿元，较上年同期增长 36.9%，预计 2022 年将达到 84.14 亿元，2012-2021 年CAGR 为30.9%；归母净利润方面，2021 年公司实现归母净利润 8.91 亿元，同比增长36.9%，预计2022 年归母净利润将达到 11.31 亿元，同比增长26.9%，2012-2021 年CAGR为32.9%，营业收入及归母净利润增长强劲。公司毛利率/净利率保持稳定。公司 2012-2021 年间毛利率基本维持在25%-35%左右，2021 年公司综合毛利率是 27.53%；净利率与毛利率步调基本保持一致，2021年净利率是 12.16%。分业务板块来看，航空化工材�**蹇槊首罡撸�34.44%，高端氟材�**蹇槊饰� 28.38%。3.7 南大光电：国产光刻胶领军者，先进半导体材料平台型公司南大光电成立于 2000 年，于 2012 年在深圳证券交易所创业板上市，主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料的产品生产、研发和销售。在光刻胶领域，公司于 2020 年研发的 ArF 光刻胶产品是国内通过产品验证的第一只国产ArF 光刻胶，标志着国产光刻胶产品的产业化取得关键性的突破。 公司整体收入及盈利水平大幅增长。2021 年，公司实现营业收入9.84 亿元，同比增长 65.46%。公司 2016 年营业收入为 1.01 亿元，自2016 年以来，营业收入与大幅提升，2016-2021 年 CAGR 高达 57.6%。归母净利润方面从2016 年的0.08亿元增长至 2021 年 1.36 亿元，CAGR 值高达 76.2%。2018 年以来，公司费率整体维持在较低水平。2021 年公司销售费率4.7%，同比下降 0.8pct；管理费率 14.5%，同比下降 4.7pct；研发费率12%，同比上升1.4pct；财务费率 0.6%，同比上升 0.3pct。公司整体费率变动不大，维持在较低水平，公司经营情况良好。营收分布方面，公司业务主要包括 MO 源、电子特气以及其他主营业务，其中MO源以三甲基铟和三甲基镓为主。从公司收入占比来看，从2012 年到2016年，公司收入主要来自 MO 源产品。2017 年电子特气业务开始发力，2019 年公司收购飞源气体，电子特气营收首次超过 MO 源产品营收，2021 年电子特气业务收入7.31亿元，占比 74.3%，MO 源产品业务收入 1.66 亿元，占比16.9%，其他业务占比8.8%。公司自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户的使用认证。2020 年12 月17日，宁波南大光电自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户的使用认证，线制程工艺可以满足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm 光刻需求，是在ArF领域第一只通过产品验证的国产光刻胶。公司预计未来形成年产25 吨193nm光刻胶产品的生产规模，并建成先进光刻胶分析测试中心和高分辨率光刻胶研发中心，为公司新的高端光刻胶产品的研发和产业化提供支持。3.8 彤程新材：光刻胶新品突破，多元化布局电子材料公司成立于 1999 年，主营业务为轮胎橡胶助剂商贸代理，后建立研究中心自产橡胶助剂，是国内特种橡胶助剂龙头企业。近年来公司战略布局光刻胶与可降解材料，KrF 光刻胶与面板光刻胶已形成一定规模，公司目前已建立了由电子材料、轮胎用特种材料和全生物降解材料三大业务支撑的全面布局。公司营业收入保持增长态势，疫情导致利润承压。2021 年公司营业收入23.08亿元，较上年同期增长 12.8%，预计 2022 年将达到 32.35 亿元，同比增长39.7%，2014-2021 年 CAGR 为 3.7%；2021 年公司实现归母净利润3.27 亿元，同比下降20.2%，主要系疫情导致利润承压。预计 2022 年归母净利润将恢复正向增长达到4.43 亿元，同比增长 35.5%，2014-2021 年 CAGR 为12.4%.2021 年毛利率出现下滑，电子化学品业务有望带动毛利率回升。截至到2020年，公司的营收全部由汽车及轮胎用橡胶板块贡献，包括生产和贸易两部分业务，毛利率在 2015-2020 年一直稳定在 30%以上，2021 年公司毛利率冲34%下滑至25%，下滑 9pct，主要系主营业务的自产酚醛树脂和其他主营产品的毛利率均有一定幅度下滑，2021 年披露新产品电子化学品毛利率为 32.54%，随着电子化学品业务展开，毛利率有望回升。公司营收主要集中在橡胶助剂领域，电子材料和可降解塑料有望成为新的增长点。2021 年公司橡胶助剂方面实现营收 21.67 亿元，占总营收比例93.9%，是公司主要的营业收入。电子材料实现营收 1.40 亿元，占总营收的6.1%，可降解材料实现营收 159 万元。随着电子材料业务和可降解塑料业务展开，有望成为公司新的盈利增长点。3.9 江化微：国产湿电子化学品龙头，业绩释放带动盈利高增公司成立于 2001 年，是国产湿电子化学品龙头企业，湿电子化学品品类齐全，拥有数十种湿电子化学品的生产供应能力。公司主要从事超净高纯试剂、光刻胶配套试剂等湿电子化学品的研发、生产和销售，产品广泛应用于平板显示、半导体及 LED、光伏太阳能等多个电子领域，为清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜、掺杂等多步制造工艺过程提供关键材料，公司目前是国内规模最大、品种最齐全、配套性最强的湿电子化学品专业服务提供商之一。 公司营业收入及归母净利润稳步增长。2021 年公司营业收入7.92 亿元，较上年同期增长 40.4%，预计 2022 年将达到 13.8 亿，同比增长74.2%，2012-2021年CAGR为 12.2%；2021 年公司实现归母净利润 0.57 亿元，预计2022 年归母净利润将达到 1.53 亿元，同比预计增长 168.4%，2012-2021 年CAGR 为9.6%，营业收入及归母净利润均保持增长态势。公司业务主要集中于半导体和平面显示领域。2021 年公司在半导体领域实现营收2.84 亿元，占比 47.6%，平板显示领域实现营收 2.86 亿元，占比47.9%。产品主要为超净高纯试剂和光刻胶配套试剂，超净高纯试剂收入3.81 亿元，占比61.8%，光刻胶配套试剂收入 2.16 亿元，占比 35.0%。3.10 鼎龙股份：国产 CMP 抛光垫龙头，CMP 产品线捷报频传湖北鼎龙控股股份有限公司创立于 2000 年，从事集成电路芯片设计及制程工艺材料、光电显示材料、打印复印通用耗材等研发、生产及服务。主要产品包括集成电路 CMP 用抛光垫及清洗液、柔性 OLED 用聚酰亚胺(PI)浆料、彩色聚合碳粉等。公司业务主要分为半导体材料和打印复印通用耗材。半导体材料方面，公司的CMP抛光垫打破了国外垄断，是国内唯一一家全面掌握抛光垫全流程核心研发和制造技术的 CMP 抛光垫供应商，深度渗透国内晶圆厂供应链，已进入国内四大头部晶圆厂。PI 浆料，公司是国内唯一实现柔性 OLED 显示基板材料PI 浆料量产、并在面板 G6 代线测试通过的企业。打印复印通用耗材方面，公司是中国产能规模最大的彩色化学碳粉制造商，中国最大的成品彩色再生硒鼓制造商，以及中国最大的永固紫颜料制造商。2021 年，公司打印复印通用耗材产品营收占总营收85.43%，半导体材料占 13.05%。2021 年公司营收同比增长 29.7%至 23.56 亿元。18-19 年，由于硒鼓终端市场竞争加剧，市场价格下降，公司营收受挫。另一方面，公司积极投入泛半导体材料领域，转型阵痛期公司归母净利润下滑。2020 年公司泛半导体材料领域迎来收获期，营收增长。同年计提珠海名图、超俊科技 3.7 亿元商誉减值、股权激励费用增加、汇兑损失增加，导致公司业绩亏损 1.60 亿元。2021 年公司迎来泛半导体材料收获期，营收 23.56 亿元，净利润 2.14 亿元。由于公司处于转型关键期，快速推进半导体材料各产品线的开发进度，大力布局半导体先进封装材料，导致研发费用率较高，2021 年研发费用率10.84%，同比增加 1.78pct。2021 年，公司总计研发投入 2.84 亿元，较上年同期大幅增长52.33%；近三年公司累计研发投入金额 6.39 亿元，占近三年公司总营业收入比例为12.00%。2021 年，其他费用率均下滑，管理费用率下降4.67pct 至7.53%，销售费用率下降 1.22pct 至 4.66%，财务费用下降 0.99pct 至0.36%。半导体市场繁荣及封装技术、制程升级带动 CMP 需求。CMP 作为晶圆制造的关键工艺，其相关耗材如 CMP 抛光垫市场随半导体需求增长而扩容。IC Insights 预计，2022年全球晶圆产能将增长 8.7%。随着制程缩小和封装技术的更新迭代，CMP应用范围拓宽，次数也大幅增加。SEMI 统计，2021 年全球 CMP 抛光垫市场约9 亿美元，抛光液约 14 亿美元。半导体耗材领域有客户、技术、专利三大壁垒，公司已阶段性实现突破。21 年底，公司客户已突破国内四大晶圆厂等，清洗液等新产品也顺利通过客户认证，放量在即。 折叠手机方兴未艾，PI 浆料为柔性 OLED 面板核心材料。聚酰亚胺(PI)是制造柔性屏幕基板的首选材料，随各类折叠终端兴起，有望迎来市场大幅扩容。DSCC统计 2021 年全球折叠屏手机出货 798 万部（YoY 254%），预计将以CAGR47%增长至 2026 年。相应的柔性 AMOLED 基板 PI 浆料市场，据CINNO 预测，2025年将超4亿美元，2020-2025 年 CAGR 32%。伴随国内主要面板厂柔性OLED 产线建设基本完成，公司 YPI 产品已同步导入，YPI 业务即将进入快速成长期。此外，公司PSPI、INK 验证顺利，计划量产。 打印复印耗材领域全产业链布局，夯实龙头地位。2012-2019 年，公司兼并收购，快速实现全产业链布局，上游具备彩色碳粉、打印芯片等自主可控生产能力，下游涉及硒鼓、墨盒。打印机在信息安全领域有重要的地位，公司全产业链布局有望在打印机国产化趋势中发挥优势。面对国内竞争加剧的硒鼓市场，公司建设多条智能化产线实现降本增效，市场继续向龙头集中。3.11 安集科技：国产抛光液龙头，全品类布局提升核心竞争力安集科技成立于 2006 年，2019 年登录科创板，深耕于CMP 抛光液和湿电子化学品，产品已成功应用于芯片制造和先进封装领域，包括逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率器件、传感器、第三代半导体等。其中CMP 抛光液位居国内龙头，成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断，实现了进口替代，使我国具备在该领域的自助供应能力。 公司营业收入及归母净利润高速增长。2021 年公司共实现营业收入6.87亿元，同比增长 62.57%，其中化学机械抛光液 5.94 亿元，占比86.5%，光刻胶去除剂0.91 亿元，占比 13.2%。预计 2022 年收入 10.4 亿元，同比增长51.85%。2016-2022年，公司营业收入一直保持增长态势，2016 年公司营业收入为1.96 亿元，截至2021 年增长 251%，CAGR 值 28,4%。归母净利润方面，2016 年归母净利润为0.37亿元，2021 年为 1.25 亿元，预计 2022 年为 2.25 亿元，CAGR 为35.0%。 全品类布局 CMP 抛光液，核心竞争力进一步提升。公司化学机械抛光液包括硅/多晶硅抛光液、浅槽隔离（STI）抛光液、金属栅极抛光液、介电材料（二氧化硅、氮化硅）抛光液、钨抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、三维集成（TSV、混合键合等）抛光液、硅衬底抛光液和应用于第三代宽带半导体的抛光液等系列产品。其中，在用于 28nm 技术节点 HKMG 工艺的铝抛光液取得重大突破，通过客户验证，打破了国外厂商垄断并实现量产，2021年抛光液实现营收5.94亿元，同比增长58.45%；毛利率 55.41%，同比提升 0.61%。此外，公司在山东安特加码抛光液原材料硅溶胶产品顺利通过测试；研发端加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主可控能力，进一步提高了公司在 CMP 抛光液领域核心竞争力。湿电子化学品拓宽产品线布局，打开成长空间。公司拓展湿电子化学品产品线布局，目前拥有光刻胶剥离液、刻蚀液、刻蚀后清洗液、抛光后清洗液品类，产品广泛应用于 14nm 以上节点逻辑电路及 3D NAND、DRAM 等存储器件。2021年湿电子化学品实现营收 9087 万元，同比增长 92.17%，增速明显，有望打开公司第二成长空间。3.12 江丰电子：国产靶材龙头企业，半导体零部件打造新盈利增长点公司是国内高纯溅射靶材的龙头企业，业务遍布全球。公司自2005 年成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发生产和销售，通过多年技术积累，已经成为中芯国际、台积电、京东方、SunPower 等国内外知名厂商的靶材供应商，是国内高纯溅射靶材的龙头企业。公司主要产品包括铝靶、钽靶、钛靶及半导体零部件等，2021年公司实现营收 15.93 亿元，其中钽靶、铝靶、钛靶营收分别为5.17 亿元、2.76亿元、2.13 亿元，占比分别为 32.5%、17.4%、13.4%。公司业务遍布全球，产品远销海外，2021 年，公司产品在国内和海外营收占比分别为43.4%和56.6%。公司自 2012 年起，营业收入逐年增长，归母净利润整体也成增长态势。2012年公司营业收入为 1.26 亿元，2021 年为 15.94 亿元，预计2022 年营业收入23.73亿元，同比增长 48.9%，2012-2021 年 CAGR 值 32.5%。归母净利润方面整体呈增长态势，2012 年归母净利润为 0.08 元，2021 年归母净利润为1.07 亿元，预计2022 年为归母净利润为 2.45 亿元，2012-2021 年CAGR 值为34.2%。2021年归母净利润下滑主要系管理、研发、财务费用的大幅增加。靶材市场空间广阔，公司领衔国产替代。半导体靶材方面，随着泛半导体产业向国内转移，预计靶材需求将进一步提升，智研咨询预测2022 年中国半导体靶材的市场规模将达到 75.1 亿元，同比增长 19%；平面显示靶材方面，智研咨询预测2025年预计达到 320 亿元，2018-2025 年年我国平板显示面板用靶材市场CAGR为18.1%，平板显示面板靶材市场提升。公司作为靶材领域国产替代龙头企业，有望直接受益。益于晶圆厂扩产，半导体设备及零部件市场空间提升。根据SEMI 预计，2021年原始设备制造商的半导体制造设备全球销售总额将达到1030 亿美元的新高，比2020 年的 710 亿美元的历史记录增长 44.7%。预计2022 年全球半导体制造设备市场总额将扩大到 1140 亿美元，有望连续第三年创历史新高。半导体零部件作为设备主要组成部分，市场空间提升。江丰立足靶材主业积累的高纯材料生产和精密加工技术，拓展了 PVD 压环、准直器，CVD 腔体、喷淋头，CMP 耗材等零部件产品，增长空间充分打开。3.13 有研新材：集成电路靶材龙头，“电磁光医”多面开花公司是国内集成电路用超高纯金属靶材的龙头企业。公司主营业务分布于“电磁光医”四大领域，具体业务高端金属靶材、先进稀土材料、红外光学材料、生物医用材料等，其中靶材和稀土材料为主要业绩来源，目前已实现铜系列靶材、钴靶材等垂直一体化，有下游稳定客户供应，是半导体材�**胁牧煊蚬娲贰Ｒ滴癯中头糯芰Τ中嵘�2021 年公司实现营业收入160 亿元，同比增加 23.82%，2012 年公司营业收入为 4.09 亿元，2012-2021 年CAGR 值高达50.4%，盈利能力持续提升。归母净利润方面，公司 2016 年归母净利润为0.12 亿元，2021年达到 1.31 亿元，近 3 年 CAGR 为 67.2%，保持高速增长。21 年公司在产品分类做了进一步细分，将电板块盈利拆分为铂族、贵金属加工和薄膜材料三类。铂族业务产品收入高但毛利率低，21 年毛利收入为1.65亿元，毛利率 1.42%；薄膜材料主要为集成电路靶材，21 年毛利收入为1.86 亿元，毛利率 21.38%；公司稀土业务 21 年收入 2.14 亿元，占比最高，毛利率7.91%。稀土材料和薄膜材料毛利分别占比 30.7%和 26.7%，为两大主要业绩来源。红外光学材料、医疗器械材料毛利率较高，21 年分别为 28.9%和46.9%，毛利占比分别为9.8和 3.4%。3.14 晶瑞电材：国产化电子材料领军者，半导体与新能源材料双轮驱动晶瑞电子材料股份有限公司是一家集研发、生产和销售于一体的科技型新材料公司，为国内外新兴科技领域提供关键材料和技术服务。主要产品为微电子化学品，按照组成成分和应用工艺不同可分为超净高纯试剂、光刻胶及配套材料和锂电池材料。产品广泛应用于半导体和新能源行业，具体应用到下游电子信息产品的清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜、浆料制备等工艺环节。截至2021 年，公司超净高纯试剂产能 48700t/年，光刻胶及配套材料产能8100t/年，锂电池材料产能37000t/年，基础化工材料产能 318000t/年。半导体材料和锂电池材料两大业务方向快速发展，推动公司营业收入快速提升。公司 2021 年营业收入为 18.32 亿元，同比增长 79.21%；归母净利润2.01亿元，同比增长 161.20%；扣非净利润 1.15 亿元，同比增长159.59%。2016-2021年，公司营收年均复合增速 33.0%，归母净利润年均复合增速42.6%，营业收入快速提升。3.15 路维光电：“以屏带芯”打造国内领先的掩膜版企业路维光电致力于掩膜版的研发、生产和销售，产品主要用于平板显示、半导体、触控和电路板等行业。公司的前身路维电子成立于1997 年，成立之初主要从事菲林的生产，产品主要用于 PCB 行业。随着国内平板显示与半导体产业的快速发展，以及内嵌式触控技术的转变，公司在 2014 年左右开始大规模进入平板显示及半导体封装、器件领域。随着国内 G10.5、G11 高世代显示面板产线的建设与扩张，公司 2018 年开始建设国内首条 G11 高世代掩膜版产线，于2019 年成功下线国内首张 G11 TFT 掩膜版。目前公司立足于平板显示掩膜版和半导体掩膜版两大核心产品线，形成“以屏带芯”的业务发展格局。2017 年以来公司营业收入快速增长。17-21 年公司营收分别为1.07、1.45、2.18、4.02、4.94 亿元，营收 CAGR 为 46.6%，实现快速增长，主要得益于：1)全球平板显示行业产能加速向国内转移、国内半导体设计和代工产业兴起，国内平板显示及半导体领域的主流厂商市场份额迅速增加、产业链国产化步伐加快，对掩膜版等核心材料的市场需求提升，公司抓住机遇，产销规模迅速扩大；2)公司技术实力不断增强，突破了 G11、G8.6 掩膜版诸多技术与工艺难点，并不断提升产品精度；3)公司产品线日益丰富和完善。按基板材料不同，公司主要产品为石英掩膜版和苏打掩膜版，其他类产品营收占比较小且逐年下降。近几年公司追踪下游客户对石英掩膜版需求快速提升的市场变化，适时将研发资源集中于更高精度的产品领域，并相应调整了投资重心和产能规划，公司石英掩膜版营收从 2018 年的 7153.43 万元增长至2021 年的4.28亿元(CAGR: 81.6%)，营收占比从 2018 年的 49.3%提升至86.8%。此外，苏打掩膜版的营收稳中略降，营收占比从 2018 年的 44.0%下降至2021 年的11.7%。（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）精选报告来源：【未来智库】。「链接」
责任编辑：德勤钢铁网 标签：

热门搜索

三级螺纹钢有哪些型号规格？怎么挑

三级螺纹钢和三级抗震的区别是什么

x四代土影黑土腿中间

废文网李鬼分站的安安静静备胎计划

一级二级三级螺纹钢用途有什么区别

2023年新电费收费标准？公布2023年

相关文章

广告
诚聘英才|关于我们|广告服务|合作伙伴|法律声明|征稿启事|网站地图|友链申请
渝ICP备2023009091号-71

钢结构钢钢网是钢铁行业的门户网站，涵盖螺纹钢、钢管、中厚板、型钢、涂镀、优特钢、钢绞线等品种，包含今日钢材价格最新行情走势、今日螺纹钢价格、钢铁市场、钢铁行业分析等信息,为钢企提供最新的钢材价格行情资讯。
免责声明：本站部分信息来自互联网，并不带表本站观点！若侵害了您的利益，请联系我们及时删除！
德勤钢铁网 |价格汇总

东风借力，半导体材料国产替代概念股龙头一览

chanong

|

（国泉证券制作的报告）

1、半导体材料是半导体产业的基础半导体材料渗透到整个半导体制造工艺，在晶圆制造材料中所占的比例不断增加半导体材料是半导体产业的基础。半导体产业链一般分为设计、制造、应用三个环节。半导体材料位于半导体产业链制造环节的上游，与半导体器件一起构成制造环节上游供应链的核心，是推动半导体产业链发展的基础。半导体材料应用于半导体制造的整个过程。按照应用环节，半导体材料可分为制造材料和封装测试材料。其中，晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩模、光刻胶及支撑材料、湿法电化学、靶材、CMP抛光垫等，封装材料主要包括封装基板、引线框架、键合线、密封材料、陶瓷基板、芯片接合材料等

晶圆制造材料中，硅晶圆是晶圆的基材，掩模版在光刻工艺中作为底板，光刻胶用于将掩模版上的图案转移到硅晶圆上，靶材用于薄板。将被使用。使用特殊气体进行氧化、还原和去除杂质，使用湿电子化学品进行清洁和蚀刻，使用磨料进行平坦化。封装材料中，封装基板和引线框架用于保护和支撑芯片并建立芯片与PCB之间的连接，键合线用于连接芯片和引线框架，键合材料用于芯片。修补；陶瓷封装用于绝缘封装。从细分市场来看，制造材料市场占比63%，其中硅片在制造材料中占比最高。 2021年全球半导体材料市场规模约为643亿美元。其中，制造材料市场约为404亿美元，占比63%，封装测试材料市场约为239亿美元，占比37%。 2021年晶圆制造材料细分市场中，硅晶圆占比最高，达41%，市场份额约126亿美元，掩模版和电子特种气体分别占比16%和15%，市场份额大约将是126亿美元。在约49种CMP材料中，光刻胶、湿法电化学和靶材分别占10%、8%、6%和4%，市场份额分别为30亿美元、25亿美元和20亿美元。 11亿美元。全球半导体材料行业整体市场规模呈上升趋势。根据SEMI数据，2015年至2021年全球半导体材料行业整体市场规模呈扩大趋势。 2015年市场规模为432.9亿美元，预计到2021年将增长至643亿美元，复合年增长率为6.8%。 2019年全球半导体材料行业市场较2018年下降1.12%。这主要是由于2019年下游增速放缓和贸易紧张局势共同影响，半导体行业整体低迷，增速下滑。 2020年至2021年，随着5G和新能源的快速发展，半导体行业的市场需求大幅增长，半导体材料市场规模迅速扩大，2021年相比上年达到643亿美元。每年增长-15.86%。从分产品市场规模来看，晶圆制造材料占比持续提升。 2011-2020年，晶圆制造材料占封装材料的比重持续上升；2011年，晶圆制造材料和封装材料的比重分别为50.63%和49.37%；制造材料和封装材料的比重有所增加。包装材料分别占63.11%和36.89%。晶圆制造材料的比重之所以不断增加，是因为先进制造的不断发展，对晶圆制造工艺中材料的要求提高了，而加工工序的不断增加，也增加了晶圆制造材料的消耗，这是因为

我国集成电路市场保持较高增速，国产半导体材料市场空间广阔。据中国半导体行业协会发布的统计数据，预计2021年中国集成电路产业销售收入为104583万元，比上年增长18.2%。其中，设计业销售额4519亿元（比上年增长19.6%），制造业销售额3176.3亿元（比上年增长24.1%），包装检验业销售额276.3亿元。就成了。 10亿元，比上年增长10.1%。工艺开发和晶圆制造设施扩建刺激了对材料的需求，而贸易紧张局势推动了国内替代工艺的改进，增加了工艺难度和加工步骤数量，并增加了对上游材料的需求。 IC Insights 2020 《Mc clean》 报告显示，过去50 年DRAM、闪存、微处理器和图形处理器的增长趋势继续遵循摩尔定律，这意味着芯片集成度每18 至24 个月就会增加一次。晶体管数量的增加以及工艺和密度的增加，工艺难度和步骤数量增加，对上游材料的要求和性能要求也相应增加。由于晶圆厂产能的扩张，对材料的需求不断增加，中国已成为全球新建晶圆厂数量最多的国家。 SEMI预测，2020年至2024年间，许多晶圆厂将投入运营，其中包括25座8英寸晶圆厂和60座12英寸晶圆厂。新建晶圆厂数量最多的国家是中国，将新建14座8英寸晶圆厂。英寸晶圆厂和15个12英寸晶圆厂。台湾和中国大陆新增2座8英寸晶圆厂和15座12英寸晶圆厂。说到新建8英寸晶圆厂，中国新建的8英寸晶圆厂数量要多得多。关于其他国家/地区。 2021年和2022年中国新开工项目数量将分别为5个和3个，2024年中国国内12英寸晶圆厂市场份额将上升至20%，较2015年增长12%，产量产能将增加，预计较2015年增加12%。达到150万件/月。晶圆厂的扩建将刺激上游半导体材料行业的市场需求。

据IC Insights预测，2022年全球新增10座12英寸晶圆厂预计将使全球晶圆产能增加约8.7%，高于2021年8.5%的增幅。 2022年，全球晶圆厂利用率保持在90%以上，预计将达到93%。 Knometa Research数据显示，2021年全球晶圆产能将达到每月2143万片晶圆（相当于8英寸晶圆），其中中国月产能为350万片晶圆，占全球产量的16%。仅此而已。容量。近两年中国国内产能份额每年增长1%，2011年以来累计增长7%。预计到2024年，中国在全球IC晶圆产能中的占比将达到近19%。根据SEMI数据，2021年台湾仍将是全球最大的半导体材料市场。但增长最快的市场是中国国内市场，2021年将增长21.90%，达到119亿美元，占全球市场的18.56%。我国集成电路仍以进口为主，国产替代还有相当大的空间。中国海关总署数据显示，2021年我国进口芯片总数6354.8亿片，同比增长16.9%，进口金额同比突破4326亿美元。比上年增长23.6%，均创历史新高。 2017年至2021年，日本集成电路进口数量约为出口数量的2倍，进口金额约为出口金额的4倍，日本整体仍高度依赖进口。

美国新的制裁将进一步刺激对国内替代品的需求。此次监管行动主要适用于向中国出口美国设备或零部件的某些先进逻辑或存储芯片制造厂，例如16/14nm以下节点的逻辑集成电路、NAND存储集成电路等。 18nm以下的DRAM集成电路，层数超过128层。进一步限制我国集成电路产业的发展，短期内会对整个产业链造成很大影响，但从长远来看，我国集成电路产业一定会开始走自己的创新之路。预计装备材料国产化趋势将进一步推进，相关国产材料装备将拥有更多验证资源和机会，国产替代周期将缩短。

2、晶圆制造材料：集成电路的材料基础2.1 硅晶圆：半导体器件的主要载体，集成电路构建的基础硅晶圆是半导体器件的主要载体，在半导体材料中所占比例最高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广泛的半导体材料，多晶硅是单质硅的一种。多晶硅通常分为工业级（纯度95%至99%）、太阳能级（纯度99.99%至99.9999%）和电子级（纯度99.9999999%至99.999999999%）。电子级多晶硅通过单晶硅锭的拉制、切割等一系列工艺制成半导体硅片。硅晶圆位于半导体制造产业链的上游。在半导体制造产业链中，硅片是位于制造链上游的基础材料，集成电路结构是建立在硅片的基础上的，硅片是芯片制造的核心原材料。

半导体硅片的制造工艺复杂半导体硅片的制造工艺复杂，主要包括硅片的单晶拉制、切割、抛光、外延等工序。半导体硅片的制造工艺复杂，涉及的工序较多。抛光工艺包括单晶拉制、切割、倒圆、切片、倒角、研磨等。抛光盘是在抛光盘的基础上采用边缘抛光、表面抛光等工艺制造而成。抛光盘是通过外延抛光制造的。硅外延制造工艺硅退火晶片是通过退火热处理制造的，绝缘体上硅SOI是采用特殊工艺制造的。硅片在制造过程中必须经过多次清洗，并且在出售给客户之前必须经过检查和包装。第一步：拉单晶。单晶拉制是半导体硅片制造工艺中的核心技术，常采用直拉法（CZ法）和浮区法（FZ法）。 FZ法纯度高、氧含量低、电阻率高、可耐高电压，但工艺难度大，生产大硅片难度大、成本高，因此8英寸以下尺寸是主流。主要用于中高端功率器件。目前半导体行业主要采用CZ法拉制单晶硅棒，因为CZ法氧含量高，容易生产大尺寸单晶硅棒，工艺成熟，成本低。用过的。单晶拉制技术是直接决定位错、COP（晶体起源坑）、螺纹等晶体特有缺陷密度以及电阻率、电阻率梯度、氧、氧等晶体质量技术指标的技术。碳含量.半导体硅晶圆制造过程中最核心的技术。第2步：切片。将单晶硅棒抛光至相同直径，并根据客户要求的比电阻，使用内径锯或线锯切成约1毫米厚的片，形成硅片。根据目前的工艺和技术水平，普遍采用线切割进行切片，以减少硅材料损失，提高生产效率和表面质量。

第三步：倒角：硅片倒角的目的是去除硅片端面切割加工时产生的棱角、裂纹、毛刺、切屑等缺陷，以及各种端面污染，从而提高质量硅片的边缘。这是关于减少边缘。硅片的表面粗糙度提高了硅片边缘的机械强度并减少了颗粒的表面污染。第四步：研磨。在研磨机中使用磨料将切片抛光至所需厚度，同时提高表面光滑度。研磨的目的是去除切片过程中因切削而产生的表面深度约2025um的机械应力损伤层，以及表面的各种金属离子和其他杂质污染，并得到硅片要有一定的平整度，关键是要有它。表面。第五步：蚀刻和抛光。采用化学蚀刻去除上一步对晶圆表面造成的机械损伤，然后采用硅溶胶机械化学抛光方法使晶圆表面更加光滑。第6步：清洁并检查。产品清洗后经过严格的质量检验，合格后方可销售。此外，它还可用于制造特种硅片，如SOI硅片和外延片。根据掺杂程度的不同，半导体硅片可分为轻掺杂和重掺杂。高掺杂硅片掺杂元素量高，电阻率低，因此常用于功率器件等产品，而轻掺杂硅片掺杂浓度较低，常用于高科技集成电路领域.难度级别和产品质量要求。集成电路占全球半导体市场80%以上，全球对轻掺杂硅片的需求不断增加。半导体硅片以抛光片为基础，按工艺可分为研磨片、抛光片、特种硅片外延片、SOI等。抛光晶圆可用于制造分立器件，轻掺杂抛光晶圆可用于制造大规模集成电路或作为外延片的衬底材料。高掺杂抛光晶圆通常用作外延晶圆的衬底材料。与研磨盘相比，抛光盘具有更好的表面平整度和清洁度。基于抛光晶圆，我们可以生产退火晶圆、外延晶圆、SOI晶圆和键合晶圆。晶圆退火需要在氢气或氩气环境中对抛光晶圆进行高温热处理，以去除晶圆表面附近的氧气，从而提高表面晶体完整性。外延晶圆是在抛光晶圆表面形成的气相生长单晶硅层，可以满足需要晶体完美或不同电阻率的多层结构的需求。 SOI硅晶圆（Silicon-On-Insulators）是通过在两片抛光晶圆之间插入高度电绝缘的氧化膜层制成的，可以实现更高的器件集成度、更低的功耗、更快的速度、更高的性能和可靠性。有源层的形成砷或砷扩散层的形成。结隔离硅片是根据客户设计，采用曝光、离子注入、热扩散等技术，在硅片表面预先形成IC埋层，并在其上生长外延层。

使用最广泛的三种硅晶圆是抛光晶圆、外延晶圆和SOI 晶圆。抛光晶圆直接用于半导体器件的生产，广泛应用于存储芯片、功率器件等，也用作外延片、SOI硅片的衬底材料。在CMOS电路中，用于通用处理器芯片、图形处理器芯片等，也用于制作二极管、IGBT等功率器件，SOI硅片是通过氧化、键合、或抛光抛光后的晶圆加工而成。通过离子注入等工艺，具有耐高压、耐恶劣环境、低功耗、高集成度等特点，主要应用于智能手机、WiFi等无线通信设备的射频前端芯片。它们还用于功率器件、传感器、硅光子器件等芯片产品，价格一般比硅晶圆贵4至5倍。根据应用场景不同，半导体硅片可分为正片和假（附带）片。正片用于半导体产品的生产，而虚片则用于预热机器、填补间隙、测试生产设备的工艺状态和特定工艺的质量。假硅片一般是从晶棒两面的劣质零件切割而成，但由于使用量巨大，在符合条件的情况下，部分产品会被回收再利用。据观研网数据显示，采用65nm工艺的晶圆代工厂，每10片正片需要增加6片假片，而28nm及以下工艺，每10片正片需要增加15到20片假片，需要增加2片。虚拟晶圆。半导体市场拉动硅片市场增长，大硅片需求拉动中国半导体硅片市场增速。根据SEMI数据，2016-2018年全球半导体硅片市场总体呈上升趋势。 2018年至2020年略有下降，2021年恢复上升趋势。全球市场规模为126亿美元。中国国内半导体硅片市场自2015年以来一直快速增长，2021年中国市场规模为16.6亿美元，2015-2021年复合增长率为27%，市场增速明显。硅片出货面积因半导体含量增加而增加，2021年全球硅片出货面积创历史新高。从历史上看，半导体行业的年均增长率一直高于整个电子系统市场的增长率，主要驱动力是电子系统中使用的半导体含量不断增加。例如，从2011年到2021年，电子系统市场将以3.5%的平均复合年增长率增长，而半导体行业将以50%的平均复合年增长率增长。 2011年至2021年，利率为3.5%；据IC Insights预测，2021年电子系统中的半导体含量将增至33.2%的历史新高，最终值预计将超过40%。在半导体内容的推动下，硅晶圆出货面积呈上升趋势，根据SEMI数据，预计2021年全球硅晶圆出货面积将达到141.65亿平方英寸，创历史新高。

集成电路制造工艺的缩小正在推动硅晶圆变得更大。半导体硅晶圆通常可以按两种方式分类：尺寸和工艺。主流半导体硅片分为150mm（6英寸）、200mm（8英寸）、300mm（12英寸）等尺寸。硅晶圆诞生于1960年，最初尺寸为23毫米，但逐渐演变为更大的硅晶圆，并于2002年量产300毫米（12英寸）硅晶圆，目前台积电、英特尔等公司都在生产硅晶圆。也有450mm硅片的研发计划。根据摩尔定律，集成电路上的晶体管数量每18个月增加一倍，成本相应下降一半。较大的硅晶圆尺寸增加了可集成到单个硅晶圆上的芯片数量。芯片尺寸越小，硅片就越小，尺寸越大，单颗芯片的制造成本就越低，可以显着降低边际成本。因此，制造工艺的不断缩小正在推动硅晶圆尺寸的不断增大。先进制造工艺比例的不断增加，正在增加对12英寸芯片的需求。 IC Insight预测，2021年至2024年，亚10纳米工艺在全球芯片制造产能中的份额将快速增加。 2021年10纳米以下工艺占比将达到16%，预计2024年将上升至29%。先进工艺基本以12英寸硅片为主，先进工艺的发展有望刺激需求12英寸硅片。半导体硅片新增需求集中在8英寸、12英寸尺寸，6英寸以下硅片需求稳定。 Omdia数据显示，6英寸以下半导体硅片的需求从2000年到2015年一直呈下降趋势，2015年以来基本稳定，而12英寸硅片的需求则上升至2001年商业化生产的水平。从那时起，这种情况就一直持续着。 8英寸硅片波动相对较小。 Omdia预计，2021年至2025年8英寸和12英寸半导体晶圆的需求将增加，而6英寸及更小晶圆的需求将保持稳定。从2021年出货量来看，12英寸占比47.7%，8英寸占比34.3%，小型占比18.0%；从出货面积来看，2021年12英寸占比70.9%， 8英寸占比70.9%，小尺寸占比22.6%，小尺寸占比6.5%。出于成本考虑，分立器件继续使用小尺寸，而集成电路则转向更大尺寸。由于分立器件价格低廉，厂商投资大型产线的意愿不大，目前仍以6英寸以下硅片为主。集成电路中硅片尺寸增大的经济效果是显而易见的；例如12英寸面积是8英寸的2.25倍，利用率约为8英寸的2.5倍。随着一颗芯片可生产的芯片数量增加，一颗芯片的成本先升高后降低。如果增加硅晶圆尺寸带来的成本节省能够抵消投资更大晶圆生产线的成本，制造商将有动力转向更大尺寸。目前市场上的半导体硅片最大尺寸为12英寸，但由于工艺和技术困难，18英寸（450毫米）硅片尚未实现量产。

2.2掩膜版：图案转移传送带、光刻复制蓝图掩膜版是微电子制造过程中的图案转移母版，是半导体行业制造过程中重要的关键材料。掩模板的作用是通过曝光将设计者的电路图案转移到晶圆上，实现批量生产。掩膜板作为光刻复制图形的基准和蓝图，是连接工业设计和工艺制造的关键环节，掩膜板的精度和质量水平直接影响最终芯片产品的良品率。以晶圆制造为例，制造过程中涉及多次曝光工艺，利用掩模板的曝光遮蔽效应，在半导体晶圆表面形成栅极、源极、漏极、掺杂窗、电极接触孔等。是必须的。光掩模制造对环境要求非常严格。 1、保证恒温恒湿的环境。温度保持在230.5C（10级洁净室）、230.3C（1级洁净室），并保持湿度。 505%RH；2、保证高度净化的空间：大部分区域要求10级净化，但部分区域要求1级净化（灰尘直径大于0.5微米），颗粒数量每立方英尺不得超过1个颗粒的空间）。在半导体制造产业链中，掩模版位于中段。掩模版的主要原材�**ㄑ谀０婊濉⒐庋П∧ぁ⒒约痢昂幸约捌渌ㄖ牧希饕τ糜谄桨逑允酒鳌氲继濉⒋ッ濉⒌缏钒宓闹圃旃讨小Ｆ桨逑允酒鳌氲继宓戎杏蔚缱釉骷痰闹斩擞τ弥饕ㄏ训缱樱ǖ缡印⑹只⒈始潜镜缒浴⑵桨宓缒浴⒖纱┐魃璞福⑾训缱印⑵档缱印⑼缤ㄑ丁ED照明、物联网等领域物联网、医疗电子和工业控制。光掩模制造工艺主要包括CAM图形加工、光刻胶涂覆、激光光刻、显影、蚀刻、剥离、清洗、宏观检查、自动光学检查、精密测量、缺陷处理、光学膜粘贴等。全球掩模版市场稳步向好，半导体光掩模版也在快速增长，全球半导体掩模版市场保持快速发展态势。根据SEMI数据，全球半导体掩模版市场自2012年以来已连续七年持续增长，2019年达到41亿美元，SEMI预计全球半导体掩模版市场将继续保持稳定增长趋势。规模继续增长并超过美国。 44亿美元。从区域来看，随着国内半导体产业全球份额逐步提升，国内半导体掩模版市场规模也在逐渐扩大。根据SEMI数据，2019年国内半导体掩模版市场规模为1.44亿美元，仍处于领先地位。生长。预计2021年将达到1.44亿美元。 1.95 亿美元（复合年增长率： 16.32%）。

半导体掩模版的技术创新主要体现在图案尺寸、精度、制造技术等方面。半导体技术节点从130nm、100nm、90nm、65nm等逐步发展到28nm、14nm、7nm、5nm等，半导体掩模版也从激光直写光刻、湿法工艺、光学检测等逐步发展。电子束光刻、干法、电子显微镜检测。与此同时，在先进工艺半导体掩模制造领域，相移掩模技术（PSM）和光学邻近校正（OPC）技术的使用正在取得进展。 2020年，半导体光掩模的需求首次超过FPD光掩模的需求。据智研咨询数据显示，从光掩模版需求来看，IC光掩模版玻璃基板需求量将从2015年的2.9万平方米增加到2020年5.6万平方米，其中FPD光掩模版玻璃基板需求量2015年也将增加。从2020年到2020年有所增加。 2015年41,000平方米，2020年53,000平方米。 IC光掩模的需求首次超过FPD（平板显示器）光掩模的需求。半导体掩模主要采用成熟工艺制造，未来先进工艺比例预计将增加。总体来看，就各工艺的半导体掩模占比而言，目前主流工艺130nm以上占比54%，28-90nm工艺占比33%，22nm以下工艺占比13%。随着先进工艺的不断发展，半导体掩模在先进工艺中的比例将不断增加。行业竞争环境：美国、日本和韩国的口罩制造商处于领先地位，口罩行业的主要制造商是美国的Phoenix及其韩国子公司PKL，韩国的LG-IT和SKE韩国、日本HOYA、凸版、DNP、中国台湾光掩模、庆亿光电、路威光电。其中，LG-IT和SKE的掩模版产品主要应用于平板显示掩模版领域，且两家公司均拥有G11掩模版生产线，凸版和台湾的光掩模版产品主要应用于平板显示掩模版领域。其掩膜产品主要应用于半导体掩膜领域。 Si、DNP、HOYA的掩模版产品均布局于平板显示掩模版领域和半导体掩模版领域，并且均拥有G11掩模版生产线，清亿光电子和陆伟光电子应用于各种应用。面膜产品。其生产领域广泛，包括平板显示器掩模、半导体掩模、触摸掩模、电路板掩模等。其中，路威光电配备G111掩模生产线。在平板显示器掩模版市场，来自美国、日本、韩国的掩模版制造商占据垄断地位。据Omdia数据显示，2020年全球平板显示器掩模版销量排名前五的厂商分别为菲尼克斯、SKE、HOYA、LG-IT、青艺光电，总销售额约占88%。出售口罩。据Omdia统计，2020年路威光电平板显示掩模板市场份额排名全球第8、国内第2。

在半导体领域，半导体掩模版的主要参与者是为晶圆厂提供支持的掩模版工厂和独立的第三方掩模版制造商。芯片制造所使用的掩模版包含了各个晶圆制造厂的技术秘密，因此晶圆制造厂的先进工艺（45nm以下）使用的掩模版大多是在晶圆厂自己的专业工厂生产的，但更多的是标准化掩模版。用过的。对于更成熟的工艺，例如45nm及以上，出于成本考虑，晶圆厂更愿意从独立的第三方掩模制造商购买掩模。 SEMI数据显示，2019年半导体芯片掩模版市场中，安装在晶圆厂的掩模版工厂占据了65%的份额，而在独立第三方掩模版市场中，半导体芯片掩模版技术主要由Fornic提供。市场集中度较高，以斯里兰卡、日本DNP、凸版为主。未来发展方向：掩模板趋于大型化，高精度FPD掩模版也趋于大型化。近年来，面板厂商积极投资和扩建高世代产线，并且随着面板尺寸越来越大，掩模版开发也变得越来越大，对大尺寸掩模版的需求也随之增加。面板代号是根据生产线上使用的玻璃基板的尺寸来划分的，代号越高的面板，玻璃基板的尺寸越大，需要切割的屏幕就越多，从而减少了操作率和利用率会更高。效率。由于55英寸以上显示产品的需求不断增加，全球平板显示产业正在向8代及以上、10代及以上线迈进。 8.5代线可高效切割32英寸、48英寸、55英寸。电视方面，8.6代线可高效切割50英寸电视、58英寸电视，10.5代线可高效切割65英寸、75英寸电视。此外，还可采用过切等技术，生产差异化尺寸的产品，并可根据市场需求灵活调整。例如，8.5代线切割65寸电视的效率为64%，但切割66寸+32寸电视为一组时，切割效率为94%，8.6代线切割效率为94 %。 90英寸电视的切割效率为74%，但使用90英寸+23.3英寸电视切割时，可以实现91%的切割效率。 10.5代线切割针对65英寸、75英寸电视可实现切割效率。切割效率达到90%以上。 FPD 掩模往往非常准确。超高清视频产业发展前景广阔，正推动掩模版向高分辨率方向发展。《超高清视频产业发展行动计划（2019-2022 年）》表示，“到2022年，我国超高清视频产业总体规模将突破4万亿元，4K产业生态系统基本建成，8K关键技术产品和产业化取得突破。我们将取得巨大进步。”电视终端销量占电视总销量的5%以上，超高清视频用户数已达2亿。掩膜板作为平板显示制造过程中的关键材料，对面板产品的精度起着决定性的作用。这意味着高清技术对掩模精度提出了更高的要求。随着平板显示器分辨率的不断提高，TFT半导体有源层材料逐渐采用LTPS/氧化物技术，并向LTPO（低温多晶氧化物）等新技术演进。掩模版的配套技术要求主要体现在曝光分辨率（最小线宽和接缝）、最小孔或方、CD均匀性、套准精度等方面的不断提高。在半导体领域，掩模技术的更新主要体现在图案尺寸、精度、制造技术等方面。以掩膜版最小图案尺寸为例，180nm工艺节点的半导体产品对应的掩膜版最小图案尺寸约为750nm，65nm工艺节点的产品对应的掩膜版最小图案尺寸约为260nm，28nm的产品对应的掩膜版最小图案尺寸约为750nm。工艺节点约为260nm。 120纳米。半导体掩模图案的尺寸和精度随着半导体技术节点的演进而逐渐提高，目前主流工艺处于100-400nm工艺范围。掩模精度的提高主要体现在基板材料和制造工艺的进一步改进。

石英基板作为基板材料，相比苏打基板具有高透光率、高平整度、低膨胀系数等优点，常用于要求产品图形精度的行业，情况正在逐渐发生变化。从苏打基板到石英基板。在生产技术方面，随着集成电路技术节点的进步，对光罩CD精度、TP精度、贴合精度控制、缺陷管理等要求越来越高。 2.3 特殊气体

：制造工艺不可或缺的原材料，产品需求走向高端化工业气体是现代工业的基础原材料，在国民经济中有着重要地位和作用。按制备方式和应用领域的不同，工业气体可分为大宗气体和特种气体。 大宗气体根据制备方式的不同可分为空分气体和合成气体（空分气体是应用低温原理从空气中分离出组分的气体，合成气体是指由两种或两种以上的物质人工合成的气体），通常指纯度要求低于 5N（N 为Nine 简写，5N 表示小数点后5 个 9，即 0.99999），产销量大的工业气体。特种气体指被应用于特定领域，对纯度、品种、性质有特殊要求的工业气体，根据具体应用不同可分为电子特气、高纯气体和标准气体，广泛应用于集成电路、显示面板、光伏能源、光纤光缆、新能源汽车、航空航天、环保、医疗等领域。 电子特气是市场规模占比最高的特种气体。电子特气是纯度和质量稳定性最高要求最高的特种气体，纯度一般在 6N 以上。特种气体按应用领域分类可分为电子特气、医疗气体、标准气体、激光气体、食品气体、电光源气体等，电子特气在其中占比超过 60%。电子特气广泛应用于集成电路制造领域和半导体照明领域，其中集成电路制造中主要用于硅片制造、氧化、离子注入、CVD、刻蚀等环节，半导体照明中主要用于外延片制造和刻蚀环节。国内电子特气市场高速增长，在集成电路中占比最高全球电子特气市场稳步扩大。根据 TECHCET 数据，2021 年全球电子特气市场规模约 45.4 亿美元，预计 2022 年将达到 50 亿美元，预计2025 年将达到60.2亿美元，2017-2025 年 CAGR 值为 6.2%，全球电子特气市场逐年扩增。中国电子特气市场呈现高速增长的状态。根据中国半导体工业协会和SEMI数据，2021 年中国电子特气市场规模约 196 亿元，预计 2022 年将达到220.8 亿元，2025年达到 316.6 亿元，2016-2025 年 CAGR 值为 14.2%，主要原因是下游行业的高速发展加大企业对电子特气的需求，而国家政策一直在大力发展我国半导体产业，在政策利好与需求升级的双轮驱动下，中国电子特气市场发展迅速。 下游应用中，电子特气在集成电路中占比最高。根据亿渡数据，应用于集成电路的电子特气占比约为 43%，是电子特气占比最高的应用，此外，用于显示面板占比 21%，LED 占比 13%，光伏 6%。集成电路中用于刻蚀和掺杂的电子特气比例最高，分别占比 36%和 34%，主要系当前制程刻蚀环节以干法刻蚀为主，电子特气是主要刻蚀剂；掺杂环节电子特气是提供掺杂元素的主要掺杂剂，所以占比较高。行业竞争格局：高端气体被国外巨头垄断，国产替代需求提升中国电子特气市场被被国外气体巨头垄断。市场竞争方面，全球电子特气市场市场规模占比最高的是德国林德、法国液化空气、美国空气化工和日本大阳日酸四家公司，2020 年分别占比 20.2%、15.5%、6.6%、5.5%，共47.7%。中国电子特气市场方面也由四家公司垄断，市场份额分别为空气化工24.8%、林德22.6%、液化空气 22.3%、大阳日酸 16.1%、共 85.8%。国产特种气体主要劣势在高端气体领域落后于国外。目前国产特种气体产品主要集中于在中低端产品市场，在集成电路制造应用更广的高端特气市场，国产厂商存在产品品类不齐全，品种纯度不高等问题，因此国产电子特气主要集中于清洗和部分蚀刻、光刻低精度环节，对掺杂、沉积以及其他刻蚀、光刻的高精度环节，主要依赖海外进口。 国产特种气体具备运输优势和价格优势。特种气体属于危险化学品，对于产品的包装和运输有很高要求，一旦发生泄漏会引起严重的后果，因此进口特种气体存在多种不便。如国家进出口管制、交付周期长、容器规格要求高、运输不便、售后困难等。而国产特种气体不存在进出口管制问题，运输和售后也更为便利。价格方面国产特气相较于国外更低，约为 60%-80%，有助于下游企业降低生产成本。国家政策大力扶持，助力特种气体国产化。从 2009 年开始，国家不断出台新的政策法规，来支持工业气体行业的发展，重点支持特种气体，尤其是应用于集成电路的电子级特种气体的相关研发和产业化。进入十四五后，中国工业气体工业协会和工信部先后颁布了《中国气体工业“十四五”发展指南》和《“十四五”原材料工业发展规划》，进一步助力特种气体的国产替代发展。2.4 光刻胶：集成电路制造之纽带，光刻刻蚀衔接链光刻胶是半导体制造光刻工艺的关键材料。光刻胶为利用光化学反应进行微细加工图形转移的媒体，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等主要成分组成的对光敏感的感光材料，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。 光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。 光刻胶成分主要包括溶剂、光引发剂、成膜树脂和添加剂。其中溶剂主要起溶解作用，占比 50%-90%；光引发剂是核心部分，在特定光辐射能下回产生化学反应，占比 1%-6%；成膜树脂起粘合作用，占比 10%-40%；添加剂分为单体和助剂，主要对光化学反应和整体性能起调节作用，占比小于 1%。光刻胶按照用途主要分为半导体用光刻胶、平板显示用光刻胶和PCB 光刻胶三类。自 1959 年被发明以来就应用于半导体产业，是半导体工业最核心的工艺材料之一；随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺，成为PCB 生产的重要材料；二十世纪 90 年代，光刻胶又被运用到平板显示的加工制作，对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。不同品类半导体用光刻胶应用于不同制程节点。光刻胶根据对应波长，主要品类分为紫外光谱（300-450nm）、g-line（436nm）、i-line（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）。目前 g-line、i-line 广泛应用于0.5um以上和0.5-0.35um 制程，KrF 多应用于 0.25-0.13um，ArF 应用于130-7nm，EUV应用于7nm 及以下。光刻胶市场规模稳定扩增，细分市场需求趋向于高端化全球光刻胶市场与国内光刻胶市场稳定扩增。根据reportlinker 数据，2019年全球光刻胶市场规模为 82 亿美元，预计 2021 年市场规模约92 亿美元，预计2026年将达到 123 亿美元，2019-2026 年 CAGR 值为 5.9%。根据中商情报网数据，2017年中国光刻胶市场规模为 58.7 亿元，2021 年中国光刻胶市场规模为93.3亿元，预计 2022 年达到 98.7 亿元，2017-2022CAGR 值为10.9%，保持稳定增长。出货量 EUV 光刻胶 CAGR 增速最快，KrF、ArFi 保持高增速。根据TECHCET数据，2020 年 g&i line、KrF、ArF、ArFi、EUV 光刻胶出货量分别为3658 千升、3307千升、549 千升、1190 千升、18 千升，预计到 2025 年将分别增长至4048千升、4965 千升、602 千升、1630 千升、145 千升，2020-2025 年CAGR 中，EUV光刻胶增速最高为 51.8%，KrF、ArFi 分别为 8.5%和 6.5%，g&i line、ArF 增速为2%、1.8%。 下游出货量应用于 Logic 和 NVM 出货量增长较多，DRAM 保持持平。从下游出货情况看，2021 年 Logic、DRAM、NVM 出货量分别为 5954、1565、1853 千升，预计到2025 年将分别增加至 6774、1615、3002 千升。Logic 和NVM 出货量增长较多，主要系先进制程发展增加了光刻步骤数及存储器的快速放量。 光刻胶产业从欧美转向日本，核心市场被国外占据光刻胶产业从欧美转向日本。在集成电路制造业精细加工从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中，光刻胶起着举足轻重的作用，全球光刻胶供应市场高度集中，核心技术一直掌握在日、美等国际大公司手中。光刻胶产业早先被欧美厂商主导，1950 年，德国 Kalle 公司率先发明g 线、i 线光刻胶；1980 年，IBM 研制成功 KrF 光刻胶技术；1995 年，东京应化研发出KrF 正性光刻胶迅速开始占领光刻胶市场；此后，日本企业开始统治光刻胶市场。JSR和东京应化先后于 2000 和 2001 年推出了 ArF 光刻胶产品；2002 年，东芝开发出22nm的低分子 EUV 光刻胶。光刻胶核心市场主要被国外厂商占据。截止 2021 年，美日韩企业占据了88%的光刻胶市场份额，其中东京应化 27%、陶氏 17%、合成橡胶13%、住友化学12%、韩国东进 11%、富士胶片 8%。光刻胶组分决定了光刻胶的质量，也是光刻胶技术壁垒所在。国内知名光刻胶企业包括南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等。由于我国光刻胶产业起步较晚，目前市场份额占比较低。国产光刻胶国产替代空间广阔，配套材料市场增长迅速国内光刻胶生产集中于 PCB 光刻胶，半导体光刻胶和平板显示光刻胶具有光阔的国产替代空间。根据 Research in China 数据，全球光刻胶市场三大组成部分是半导体光刻胶、平板显示光刻胶和 PCB 光刻胶，市场份额分别为23.3%、25.9%和23.6%。半导体光刻胶在三者中是技术难度相对高、成长性好的细分市场。目前我国半导体光刻胶和平板显示光刻胶制造能力仍较弱，只占整体生产结构的2%和3%，主要生产技术水平较低的 PCB 用光刻胶，占整体生产结构中的94%，半导体光刻胶及面板光刻胶国产替代空间广阔。晶圆厂扩产叠加贸易摩擦，刺激光刻胶国产替代需求。2022-2025 年是国内晶圆厂产线投产期，外部压力增大，国产光刻胶进入认证窗口。受益于5G 通讯、新能源汽车等行业快速发展，半导体行业进入迅速扩张期。据SEMI 统计，预计至2024年底，中国国内将建立 31 座大型晶圆厂，主要集中于成熟制程，随着晶圆厂产线投产，光刻胶验证进入导入期。另一方面由于中美贸易冲突，刺激光刻胶国产替代需求，国产光刻胶发展迎来机遇。 光刻胶配套材料市场规模不断提升。在光刻胶使用过程中，光刻胶配套材料是光刻胶使用过程中不可或缺的一部分。包括稀释剂、显影液、漂洗液、蚀刻液、去胶液等，主要采用基础化工原料，包括氢氟酸、异丙醇、硝酸、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、无水乙醇、双氧水、硫酸、氢氧化钠等制造。根据SEMI 数据，全球半导体光刻胶配套材料市场规模稳步增长，2016 年为19.1 亿美元，2021年达到了 32.3 亿美元，CAGR 为 11.1%。2.5 湿电子化学品:保证工艺精度的重要材料，国产替代任重道远湿电子化学品又称工艺化学品，是微电子、光电子湿法工艺（主要包括湿法刻蚀、湿法清洗）制程中使用的各种液体化工材料。湿电子化学品按照大类一般可划分为通用化学品（通常为超净高纯试剂）和功能性化学品。湿电子化学品主要用于半导体、光伏太阳能电池、LED 和平板显示等电子信息产品的清洗、蚀刻等工艺环节。半导体行业由于精细加工要求，对湿电子化学品要求更高。SEMI 将半导体用湿电子化学品按金属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等指标制定国际5个等级分类标准。不同线宽的集成电路制程工艺中必须使用不同规格的超净高纯化学品进行蚀刻和清洗，且湿电子化学品的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性均有十分重要的影响。 超净高纯试剂是湿电子化学品的重要组成部分，占比88.2%。超净高纯试剂按照性质划分可分为：酸类、碱类、有机溶剂类和其它类，主要包括双氧水、氢氟酸、硫酸、磷酸、盐酸、硝酸、氢氧化铵等。根据中国电子材料行业协会统计，湿电子化学品中占比较高的是双氧水（18.9%）、氢氟酸（18.1%）、硫酸（17.3%）、硝酸（16.2%）等；在半导体加工领域，需求量较大的产品是硫酸（32.8%）、双氧水（28.1%）、氨水（8.3%）、主要应用于晶圆的清洗环节。湿电子化学品市场稳步增长，中国市场扩张迅速全球湿电子化学品市场规模稳步增长，2025 年需求量增加50%以上。根据智研咨询数据，全球湿电子化学品市场规模 2011 年为 25.3 亿美元，2020 年为56.8亿美元，2011-2020 年 CAGR 值 9.4%。需求量方面，根据中国电子材料行业协会数据，2021 年全球湿电子化学品需求量为 458.3 万吨，半导体需求量209 万吨，显示面板需求量 167.2 万吨，光伏等其他需求量 82.1 万吨。预计到2025 年全球湿电子化学品需求量将达到 697.2 万吨，半导体需求量 313 万吨，显示面板需求量244万吨，光伏等其他需求量 140.2 万吨，总需求量将增加50%以上。湿电子化学品中国市场快速增长，2025 年需求量超过70%。中国湿电子化学品市场规模 2011 年为 27.8 亿元，2021 年为 137.8 亿元，CAGR 值17.3%，高于全球平均增速，预计 2022 年将达到 163.9 亿元，2028 年将达到301.7 亿元。2021年中国湿电子化学品需求量为 213.5 万吨，半导体需求量70.3 万吨，显示面板需求量77.8 万吨，光伏需求量 65.4 万吨。预计到 2025 年中国湿电子化学品需求量将达到 369.6 万吨，半导体需求量 106.9 万吨，显示面板需求量149.5 万吨，光伏需求量 113.1 万吨，总需求量超过 70%。晶圆厂扩产刺激需求，贸易摩擦加速国产替代晶圆厂扩产刺激湿电子化学品材料需求。8 吋及 12 吋产能扩张带动高纯试剂需求进一步提升，12 吋晶圆制造过程中所使用的湿电子化学品约为24 千克/片，8吋晶圆消耗量约为 12 吋晶圆消耗量的五分之一，约为5 千克/片左右，6 吋晶圆消耗量约为 12 吋晶圆消耗量的八分之一左右，约为 3 千克/片。中美贸易摩擦，推动湿电子化学品国产替代进程。湿电子化学品在全球半导体市场规模占比 6.7%，约 20 亿美元，国内市场规模约6 亿美元。在湿电子化学品的主要应用中，半导体用湿电子化学品国产化率较低，约为20%，显示面板国产化率约为 40%，具有广阔的国产替代空间。近年中美贸易持续摩擦，会对电子材料的供应格局产生一定影响，刺激湿电子化学品的国产替代需求，推动国产替代进程。 国外巨头占据湿电子化学品高端市场，国产替代任重道远目前全球范围内从事湿电子化学品研究开发及大规模生产的厂商主要集中在美国、德国、日本、韩国、中国台湾等地区。主要企业包括德国巴斯夫、美国亚什兰化学、Arch 化学，日本关东化学、三菱化学、京都化工、住友化学，中国台湾新林科技，韩国东友精细化工等。前瞻产业研究院数据显示2019 年中国国内在国内湿电子化学品市场供应分布仅占 9%，欧美企业和日本企业占比超过60%。我国湿电子化学品多集中于低端市场，高端市场亟需突破。国内湿电子化学品主要供应光伏市场、低代线平板显示市场和 6 寸及以下半导体市场，G6、G8代线平板显示和 8 寸及以�**氲继迨姓悸式鑫� 10%。我国湿电子化学品由于起步较晚，品类丰富度及提纯技术水平相对落后于国外领先企业，因此多集中于低端市场，但国内厂商积极开拓高端湿电子化学品市场，头部厂商已具备了生产G4、G5标准的部分湿电子化学品品类的能力，同时结合运输、价格和售后等方面的本土化优势，未来湿电子化学品的高端市场国产替代空间广阔。2.6 CMP 材料：抛光液&抛光垫，平坦化技术核心材料CMP 是一种化学腐蚀和机械研磨相结合的平坦化半导体表面工艺，是集成电路晶圆制造中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。半导体制造分为前道工艺和后道工艺，其中前道工艺指在晶圆上形成器件的工艺过程，也称晶圆制造，后道工艺指将晶圆上的器件分离，封装的工艺过程。前道工艺共有七大工艺步骤，分别为氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化，通过循环重复上述工艺，最终在晶圆表面形成立体的多层结构，实现整个集成电路的制造。在晶圆制造的各个阶段，晶圆表面都要进行平坦化处理以保持完全平坦。目的是去除多余的材料，或者是为了建立极其平坦的基底，以便添加下一层电路特征。如果晶圆制造过程中无法做到纳米级全局平坦化，既无法重复进行光刻、刻蚀、薄膜和掺杂等关键工艺，也无法将制程节点缩小至纳米级的先进领域，因此随着超大规模集成电路制造的线宽不断细小化而产生对平坦化的更高要求需求，CMP在先进工艺制程中具有不可替代且越来越重要的作用。全球晶圆厂积极扩产提升 CMP 材料需求。根据国际半导体协会SEMI 数据，2021年全球晶圆制造材料市场同比增长 15.5%，达到 404 亿美元，晶圆封装材料市场规模同比增长 16.5%，达到 239 亿美元。硅、湿化学品、CMP 和光掩模领域在晶圆制造材料市场中增长强劲。 制程缩小提高 CMP 次数，封装工艺进步拓宽CMP 边界晶圆制程缩小需大幅提高 CMP 次数，导致 CMP 抛光耗材在晶圆制造过程中消耗量增加。根据 Cabot 微电子数据，14 纳米以下逻辑芯片工艺要求的关键CMP工艺将达到 20 步以上，使用的抛光液将从 90 纳米的约 5 种抛光液增加到20 余种，种类和用量迅速增长；7 纳米及以下逻辑芯片工艺中 CMP 抛光步骤甚至可能达到30步，使用的抛光液种类接近 30 种。CMP 的应用边界，从最初的STI（浅沟槽隔离层）拓展到 ILD（层间介质）、Metal（金属互连层）、TM（顶层金属）等。目前逻辑芯片正向 7nm 以下先进制程发展，台积电5nm 产品已于2020 年下半年实现量产出货，而芯片制程从成熟制程 28nm，先进制程14nm 上升到7nm后，CMP抛光步骤大幅增加。存储芯片的封装工艺进步，让 CMP 工艺从前道延展到后道。存储芯片由2DNAND向 3D NAND 技术变革，也会使 CMP 抛光步骤数近乎翻倍。集成电路2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入 3D 时代。随着系统级封装等新的封装方式的发展，技术实现方法上出现了倒装、凸块、晶圆级封装、2.5D 封装和3D封装等先进封装技术。目前 64 层 3D NAND 闪存已进入大生产，232 层闪存已经推出，目前处于扩产周期。此外，TSV 硅通孔技术作为一项高密度封装技术也需要用到CMP。TSV 正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。由于TSV技术中需要使用 CMP 工艺，进行通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光，用来平坦化和隔开另一面沉积的导体薄膜，便于金属布线，也会用于晶圆背面金属化和平坦化的减薄抛光，因此 CMP 抛光材料将在先进封装工艺中寻找到新的市场空间。国产替代突破技术壁垒，国内厂商缩短验证周期抛光垫：抛光垫的自身硬度、刚性、可压缩性等机械物理性能对抛光质量、材料去除率和抛光垫的寿命有着明显的影响。硬度即定期保持形状精度的能力，采用硬质抛光垫可以获得较好的工件平面度，使用软质抛光垫可以加工变质层和表面粗糙度都很小的抛光平面。可压缩性决定抛光过程中抛光垫和工件表面的贴合程度，影响材料去除率和表面平坦化程度。可压缩性越大，贴合越紧密，去除率越高。目前，国际先进厂家在 3D-NAND 等高要求的生产环节中应用固定研磨颗粒的抛光垫，其产品融合了原本存在于抛光液的抛光颗粒，抛光垫重要性有望进一步提高。抛光垫行业的壁垒主要包括：技术壁垒、专利壁垒和客户认证壁垒。技术上，抛光垫需要持续试错，形成稳定有效的材料配方、制作工艺及设计图案，从而获得较好的抛光速率和抛光效果，在各项指标上达到较好的平衡。专利上，国产抛光垫目前专利技术仍积累较浅。日本、美国在抛光垫领域技术积累全球领先，中国排名第 5。据《集成电路制造业用高分子聚合物抛光垫专利分析》一文统计，截至 2017 年，在全球 2918 个核心专利族中，有效专利1511个。其中日本有效专利占比 41%，美国占比 33%，处于领先地位。中国有效专利数占比13%，排名第四。公司截止 2021 年底已获得授权的专利686 项，其中抛光垫制造及工艺相关发明及创新有效专利约 54 项，与国际领先企业仍有一定差距。抛光液：抛光液由去离子水、磨料、PH 值调节剂、氧化剂以及分散剂等添加剂组成。在抛光过程中，抛光液中的氧化剂等成分与硅片表面材料产生化学反应并在表面形成化学反应薄膜，后由抛光液中的磨粒在压力和摩擦的作用下将其去除，从而实现抛光。根据应用环节、配方中磨粒、PH 值的不同，抛光液可以进行不同分类。 按照应用环节分类：可分为硅抛光液、铜抛光液、阻挡层抛光液、钨抛光液、钴抛光液、介质层（TDL）抛光液、浅槽隔离（STI）抛光液和硅通孔（TSV）抛光液。按照配方中磨粒分类：可分为二氧化硅、氧化铈、氧化铝磨粒等。二氧化硅磨粒优点是活性强、易于清洗、分散性及选择性好，多用于硅及层间氧化硅介电层的抛光，缺点是硬度大，容易对硅片表面造成损伤，且抛光效率低；氧化铝磨粒优点是抛光效率高，缺点是硬度大、选择性低、易出现团聚，因此抛光液中常需加入各类稳定剂和分散剂，导致成本上升；氧化铈磨粒优点是硬度低，抛光效率高，平坦度高，清洁无污染，缺点是团聚严重，需加入各类稳定剂和分散剂，且铈属于稀有金属，成本偏高。按照 PH 值分类：可分为酸性抛光液和碱性抛光液。酸性抛光优点是抛光效率高、可溶性强，多用于对铜、钨、铝、钛等金属材料进行抛光，缺点是腐蚀性强导致选择性低，易降低抛光设备的寿命及可靠性，所以需要在抛光液中添加抗蚀剂（BTA）提高选择性，但 BTA 对抛光液的稳定性会造成一定影响；碱性抛光液优点是腐蚀性低、选择性高，多用于抛光硅、氧化物及光阻材料等非金属材料的抛光，缺点是抛光效率较低，原因是不容易找到在弱碱性中氧化势高的氧化剂。 根据观研天下数据，2018 年 TOP5 厂商为 Cabot Microelectronics、Versum、日立、富士美、陶氏，合计占市场 80%以上市场份额。然而抛光液市场格局有分散化趋势，国产替代机会更大。美国的 Cabot Microelectronics 是全球抛光液市场龙头，2000 年市占率高达 80%，不过到 2017 年 Cabot Microelectronics 全球市占率降低至 36%。其他主要供应商包括 Hitachi、Fujimi、Versum 等，市占率分别为15%、11%、10%。抛光液市场分散程度相对较高，多元化发展趋势明显，国产厂商实现替代机会较大。目前安集微电子已经形成替代，但全球市占率仅有2%。国内厂商加快验证周期。核心客户认证体系壁垒方面，由于抛光垫和抛光液对芯片良率影响较大，但成本占比较相对较低，在稳定而成熟的FAB 厂中，为确保芯片良率，一般很少替换原有稳定的供应商。半导体Fab 厂具有资本密集和技术密集的属性，对于上游半导体原材料的稳定性和良品率有极高的要求，因此对于原材料供应商认证门槛极高、认证周期较长。目前在半导体产业链安全可控的大环境下，国内厂商速度加快，验证周期缩短到半年左右。2.7 靶材：PVD 沉积核心材料，薄膜沉积重要组成部分靶材是 PVD 的核心材料。物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）技术是制备电子薄膜材料的主要技术之一，是利用物理方法在基板表面沉积薄膜的方式，根据沉积方式的不同，PVD 分为溅射法和蒸镀法，被沉积的材料称为靶材。靶材是 PVD 的核心材料。 溅射法是利用离子源产生的离子，在真空中加速聚集成高速离子流，轰击固体表面，离子和固体表面的原子发生动能交换，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面，从而形成纳米（或微米）薄膜。被轰击的固体是PVD 沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用。真空蒸发镀膜是指在真空条件下，利用膜材加热装置（称为蒸发源）的热能，通过加热蒸发某种物质使其沉积在基板材料表面的一种沉积技术。被蒸发的物质是用真空蒸发镀膜法沉积薄膜材料的原材料，称之为蒸镀材料。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、操作方便、成膜速度快等特点，主要应用于小尺寸基板材料的镀膜。 靶材产业链可以分为金属提纯、靶材制造、镀膜和终端应用四个环节。首先是金属提纯，原材料铝、铜、钽、钛等金属以金属提纯方式形成高纯金属，作为靶材制造的原材料；第二环节是靶材制造，将高纯金属通过加工形成溅射靶材，制造好的靶材包括靶坯和背板两部分，靶坯是溅射靶材的主体，背板起固定靶坯的作用。第三个环节是镀膜，以溅射镀膜为例，以高速离子束流轰击靶坯，溅射出靶坯表面原子，沉积于基板从而制成电子薄膜，电子薄膜按照应用不同有不同分类；最后将薄膜材料应用于半导体芯片、平板显示器、信息存储、光学元器件、薄膜太阳能等不同领域。靶材市场主要分布于平板显示、记录媒体、太阳能电池和半导体四大领域，其中半导体占比约 10%。根据华经产业研究院数据，截至2021 年，四大领域靶材市场占比约 94%，其中平板显示、记录媒体和太阳能电池占比较高，分别为34%、29%和 21%，半导体占比约 10%。半导体靶材市场发展迅速，制造与封装不可或缺根据 SEMI 数据，全球半导体靶材市场规模整体保持增长态势。2021 年为16.95亿美元，同比增长超过 20%，其中晶圆制造用靶材 10.5 亿美元，封装用靶材6.45亿美元。根据智研咨询数据，2021 年中国半导体靶材市场约，预计2022年中国半导体靶材的市场规模将达到 75.1 亿元，同比增长19%，2018-2022 年，中国半导体靶材市场规模一直保持较快增速，CAGR 值为 22.1%。一方面系消费电子、5G、新能源等半导体下游应用快速发展，另一方面由于国内政策推动了半导体产业进一步向国内转移。靶材在晶圆制造与芯片封装中均有应用。在晶圆制造过程中，靶材主要用于晶圆导电层、阻挡层的沉积以及金属栅极的溅镀，在封装过程中主要用于贴片焊线过程中的镀膜。其中铜靶、铝靶常作为导电层，钽靶、钛靶常作为阻挡层，镍铬合金靶、钴靶、钨钛合金靶等常作为接触层。 铜、钽靶材受益于先进制程发展，铝、钛靶材受益于汽车电子发展。在晶圆制造过程中，在 110nm 以上的技术节点，常以铝和钛作为一组导电层和阻挡层来使用，进入 110nm 以下的技术节点后，出于对更高导电性能的要求，用铜替换铝作为导电层，用钽替换钛作为阻挡层。因此，先进制程的发展将刺激铜靶、钽靶的需求量增加，而汽车电子所需的功率芯片通常 110nm 以上制程即可满足，铝靶、钛靶将受益于汽车电子发展。 靶材市场国产化率偏低，国内头部企业成长迅速靶材市场主要被世界巨头垄断，国产公司成长迅速。由于溅射镀膜工艺起源于国外，国外靶材公司相较于国内拥有更长时间的成长历史和技术积淀，在靶材市场处于主导地位，根据华经产业研究院数据，截至 2021 年，美日头部靶材企业占据了全球市场的 80%，其中 JX 日矿金属、霍尼韦尔、东曹和普莱克斯分别占比30%、20%、20%和 10%。国内企业虽然处于国产替代初期，但头部厂商成长迅速，目前江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技、映日科技等在下游各领域头部企业均打开了一定市场。国家政策推进靶材发展，推动靶材国产化。近年来，国家不断出台新的政策法规，来推动靶材行业国产化的发展，特别是集成电路产业的靶材国产化。2021年颁布的《“十四五”规划和 2035 年远景目标纲要》中，重点提到了集成电路攻关方面，高纯靶材为重点攻关方向之一，国家政策的大力扶持进一步助力靶材产业的国产替代发展。 3.相关公司3.1 立昂微：国产硅片龙头，半导体硅片和功率器件产销两旺国产硅片龙头，公司业务涵盖半导体硅片、半导体功率器件和化合物半导体射频芯片，是国内重掺硅片龙头企业。公司主要产品包含6/8/12 英寸硅片、肖特基二极管、MOSFET 和射频芯片。产品应用领域包括通信、计算机、汽车、消费电子、光伏、智能电网、医疗电子以及 5G、物联网、工业控制、航空航天等产业。受益于晶圆制造产能的持续紧张以及下游光伏汽车的高景气度，公司营收和净利润均保持高速增长。公司营业收入及归母净利润稳步增长。2021 年公司营业收入25.41 亿元，较上年同期增长 69.2%，预计 2022 年将达到 38.91 亿元，同比增长53.1%，2015-2021年 CAGR 为 27.5%；2021 年公司实现归母净利润 6.0 亿元，同比增长197.2%，预计 2022 年归母净利润将达到 10.28 亿元，同比增长71.2%，2015-2021年CAGR为 58.4%，营业收入及归母净利润增长强劲。公司毛利率/净利率稳步提升。2015-2017 年，公司毛利率维持在30%左右，2018年以来，公司的毛利率稳步提升，2021 年毛利率达47.5%，比2015 年增加19%，主要得益于半导体功率器件的紧缺和产品结构的改善。2022 年一季度公司延续增长态势，整体毛利率提升至 50.26%。净利率与毛利率保持一致步调，从2015年9.1%提升到了 2021 年 24.5%。 营收分布方面，半导体硅片和半导体功率器件占据了营业收入95%以上。截至2021年，公司半导体硅片营收占比为 57.4%。半导体功率器件占比39.6%，砷化镓芯片占比 1.7%，其他业务占比 1.2%。受益于半导体市场景气，2021 年半导体硅片和半导体功率器件产品销售势头强劲，营收同比增长分别为49.85%和100.34%，同时化合物半导体射频芯片也迅速增量，2021 年销售收入达0.44 亿元。 3.2 沪硅产业：半导体硅片龙头企业，多方面布局半导体材料公司成立于 2015 年，主要从事半导体硅片的研发、生产和销售，是中国国内规模最大的半导体硅片制造企业之一，也是中国国内率先实现300mm 半导体硅片规模化销售的企业。公司硅片产品品类全面，尺寸包括300mm、200mm、150mm、125mm和 100mm，类别涵盖半导体抛光片、外延片、SOI 硅片。公司方面布局半导体材料，除硅片外也布局了压电薄膜材料和光掩模材料。借助内生外延发展，公司已成长为国内半导体硅片龙头企业。公司营业收入持续快速增长。2021 年公司实现营业收入24.67 亿元，同比增长36.2%，预计 2022 年营业收入为 35.11 亿元，同比增加42.3%，近5 年CAGR值高达 55.7%，营业收入持续快速增长。归母净利润方面，公司在2020 年实现扭亏为盈，2021 年保持快速增长，2021 年公司归母净利润为1,46 亿元，同比增长67.8%，预计 2022 年归母净利润为 2.17 亿元，同比增长 48.6%。费率方面持续降低。2016-2021 年公司各项费率持续降低，销售费率从7%降至3%，管理费率从 34%降至 9%，研发费率从 8%降至 5%， 财务费率波动不大，从1%上升2%。总体来看费率持续降低，公司运营情况良好。 3.3 清溢光电：国产掩膜版龙头，景气度持续上行清溢光电成立于 1997 年，于 2019 年 11 月上市，是国产掩膜版的龙头企业。公司主要生产半导体芯片、平板显示、触控及电路板用的掩膜版，客户包括中芯国际、长电科技、士兰微、因特尔、京东方等，在 Omdia 发布的2020 年平板显示用掩膜版企业销售排行中，清溢光电位列全球第五，全国第一。公司营业收入保持上涨态势。2021 年公司营业收入5.44 亿元，较上年同期增长11.7%，预计 2022 年将达到 8.18 亿元，同比增长50.4%，2012-2021 年CAGR为8.6%；2021 年公司实现归母净利润 0.45 亿元，预计2022 年归母净利润将达到0,96亿元，同比增长 113.3%，2012-2021 年归母净利润CAGR 为8.3%。营业收入保持稳定上涨。公司毛利率相对稳定，21 年出现下滑，主要系合肥新工厂产能爬坡影响。2013-2020 年，公司毛利率稳定在 30%以上，2021 年降低至25.0%，主要原因是合肥新工厂产能爬坡，对利润造成一定影响。22-23 年随着新工厂产能释放实现盈利，公司利润会快速回升。3.4 雅克科技：具备全球竞争力的电子材料厂商雅克科技成立于 1997 年，于 2010 年实现深交所中小板上市。此后公司积极探索战略转型，通过内生发展和外延并购先后进军半导体封装材料、半导体前驱体、特种气体及集成电路等领域，成为新兴产业下的平台型公司。雅克科技主营业务包括阻燃剂、半导体材料、彩色光刻胶、LNG 保温绝热板材及LDS 输送业务等，其中半导体材料业务分为半导体前驱体、电子特气、光刻胶、硅微粉和 LDS，前驱体主要应用在集成电路存储芯片、逻辑芯片的薄膜沉积环节；电子特气，主要是六氟化硫和四氟化碳；光刻胶产品主要应用于显示面板的三色子像素制作和 TFT 制作；硅微粉主要运用于集成电路封装材料等；LDS 输送系统主要用于前驱体材料等化学品的输送。 自开启并购后，公司整体收入及盈利水平大幅增长。2016 年公司开启电子材料的并购，收入体量从 8.94 亿元增长到 2021 年 37.82 亿元，5 年CAGR 值高达33.4%。归母净利润方面，2016 年归母净利润为 0.35 亿元，2021 年为2.81 亿元，5年CAGR值为 51.7%。预计 2022 年营业收入 44.17 亿元，同比增长16.67%。预计归母净利润为 6.22 亿元，同比增长 85.86%。主要系光刻胶业务实现自产叠加产品涨价，以及国内客户的开拓，使得净利润增速上升。利润率方面，公司自并购以来，由于电子材料的盈利水平强于公司传统的阻燃剂业务，随着电子材�**蹇檎急忍嵘斯菊迕实纳仙４�2016年销售毛利率 23.2%上升到 2020 年的 35.5%。2021 年，公司销售毛利率下滑至26%，主要系受原材料涨价及彩色光刻胶业务采用代工模式毛利率较低的影响。2022年彩色光刻胶业务实现自产，叠加产品涨价，22Q1 毛利率已经回升至32%。营收分布方面，按产品划分，电子材料占比最高，截至2021 年，公司电子材料营收占比已达 74%。其中，前驱体&SOD 占 22%，光刻胶及配套试剂占32%，电子特气占 10%，球形硅微粉占 6%，LDS 设备占 2.8%。此外LNG 保温复合材料占10%，阻燃剂业务占 12%。按地区划分，2021 年公司国内收入17.4 亿元，国外收入20.4亿元，分别占比 46%和 54%。其中国内业务大幅提升，2020 年为3.66 亿，同比增长 375%，国内业务快速有释放。3.5 华特气体：电子特气先行者，国产替代加速突破公司成立于 1999 年，核心主营业务是特种气体，产品包括高纯六氟乙烷、高纯四氟化碳等约 230 余种特气，普通气体 10 余种，此外还有气体设备与工程服务，主要包括低温绝热气瓶等产品及配套的供气系统设计、安装服务。公司是国产特种气体龙头企业，实现了对国内 IC 制造企业 80%以上的覆盖率，产品竞争力强，打破海外垄断，是唯一通过 ASML 验证的国产气体公司，拥有TI、INTEL、镁光等海外客户。公司营业收入及归母净利润稳步提升。2021 年公司营业收入13.47 亿元，较上年同期增长 34.7%，预计 2022 年将达到 18.42 亿，同比增长36.7%，2014-2021年CAGR 为 11.9%；2021 年公司实现归母净利润 1.29 亿元，同比增长21.7%，预计2022年归母净利润将达到2.11亿元，同比增长63.6%，2014-2021年CAGR为15.2%，营业收入及归母净利润增长强劲。 营收分布方面，电子特种气体是主要收入来源。2021 年公司电子特气收入7.97亿元，收入占比 59.8%；此外设备工程收入 2.69 亿元，收入占比20.2%；工业气体收入 2.66 亿元，收入占比 20%。3.6 昊华科技：科研院所技术引领，材料平台业绩增进公司前身天科股份是西南化工设计院发起，将变压吸附技术及成套、碳一化学成套技术等优质资产整合而成的技术服务型企业。2018 年以来，公司通过陆续收购大股东中国昊华旗下 12 家科研院所，成为中化集团旗下重要的新材料平台型企业，主营业务为航空航天材料、高端氟材料、电子化学品，产品服务于多个国家军、民品核心产业。公司营业收入及归母净利润增长强劲。2021 年公司营业收入74.24 亿元，较上年同期增长 36.9%，预计 2022 年将达到 84.14 亿元，2012-2021 年CAGR 为30.9%；归母净利润方面，2021 年公司实现归母净利润 8.91 亿元，同比增长36.9%，预计2022 年归母净利润将达到 11.31 亿元，同比增长26.9%，2012-2021 年CAGR为32.9%，营业收入及归母净利润增长强劲。公司毛利率/净利率保持稳定。公司 2012-2021 年间毛利率基本维持在25%-35%左右，2021 年公司综合毛利率是 27.53%；净利率与毛利率步调基本保持一致，2021年净利率是 12.16%。分业务板块来看，航空化工材�**蹇槊首罡撸�34.44%，高端氟材�**蹇槊饰� 28.38%。3.7 南大光电：国产光刻胶领军者，先进半导体材料平台型公司南大光电成立于 2000 年，于 2012 年在深圳证券交易所创业板上市，主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料的产品生产、研发和销售。在光刻胶领域，公司于 2020 年研发的 ArF 光刻胶产品是国内通过产品验证的第一只国产ArF 光刻胶，标志着国产光刻胶产品的产业化取得关键性的突破。 公司整体收入及盈利水平大幅增长。2021 年，公司实现营业收入9.84 亿元，同比增长 65.46%。公司 2016 年营业收入为 1.01 亿元，自2016 年以来，营业收入与大幅提升，2016-2021 年 CAGR 高达 57.6%。归母净利润方面从2016 年的0.08亿元增长至 2021 年 1.36 亿元，CAGR 值高达 76.2%。2018 年以来，公司费率整体维持在较低水平。2021 年公司销售费率4.7%，同比下降 0.8pct；管理费率 14.5%，同比下降 4.7pct；研发费率12%，同比上升1.4pct；财务费率 0.6%，同比上升 0.3pct。公司整体费率变动不大，维持在较低水平，公司经营情况良好。营收分布方面，公司业务主要包括 MO 源、电子特气以及其他主营业务，其中MO源以三甲基铟和三甲基镓为主。从公司收入占比来看，从2012 年到2016年，公司收入主要来自 MO 源产品。2017 年电子特气业务开始发力，2019 年公司收购飞源气体，电子特气营收首次超过 MO 源产品营收，2021 年电子特气业务收入7.31亿元，占比 74.3%，MO 源产品业务收入 1.66 亿元，占比16.9%，其他业务占比8.8%。公司自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户的使用认证。2020 年12 月17日，宁波南大光电自主研发的 ArF 光刻胶产品成功通过客户的使用认证，线制程工艺可以满足 45nm-90nm 光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm 光刻需求，是在ArF领域第一只通过产品验证的国产光刻胶。公司预计未来形成年产25 吨193nm光刻胶产品的生产规模，并建成先进光刻胶分析测试中心和高分辨率光刻胶研发中心，为公司新的高端光刻胶产品的研发和产业化提供支持。3.8 彤程新材：光刻胶新品突破，多元化布局电子材料公司成立于 1999 年，主营业务为轮胎橡胶助剂商贸代理，后建立研究中心自产橡胶助剂，是国内特种橡胶助剂龙头企业。近年来公司战略布局光刻胶与可降解材料，KrF 光刻胶与面板光刻胶已形成一定规模，公司目前已建立了由电子材料、轮胎用特种材料和全生物降解材料三大业务支撑的全面布局。公司营业收入保持增长态势，疫情导致利润承压。2021 年公司营业收入23.08亿元，较上年同期增长 12.8%，预计 2022 年将达到 32.35 亿元，同比增长39.7%，2014-2021 年 CAGR 为 3.7%；2021 年公司实现归母净利润3.27 亿元，同比下降20.2%，主要系疫情导致利润承压。预计 2022 年归母净利润将恢复正向增长达到4.43 亿元，同比增长 35.5%，2014-2021 年 CAGR 为12.4%.2021 年毛利率出现下滑，电子化学品业务有望带动毛利率回升。截至到2020年，公司的营收全部由汽车及轮胎用橡胶板块贡献，包括生产和贸易两部分业务，毛利率在 2015-2020 年一直稳定在 30%以上，2021 年公司毛利率冲34%下滑至25%，下滑 9pct，主要系主营业务的自产酚醛树脂和其他主营产品的毛利率均有一定幅度下滑，2021 年披露新产品电子化学品毛利率为 32.54%，随着电子化学品业务展开，毛利率有望回升。公司营收主要集中在橡胶助剂领域，电子材料和可降解塑料有望成为新的增长点。2021 年公司橡胶助剂方面实现营收 21.67 亿元，占总营收比例93.9%，是公司主要的营业收入。电子材料实现营收 1.40 亿元，占总营收的6.1%，可降解材料实现营收 159 万元。随着电子材料业务和可降解塑料业务展开，有望成为公司新的盈利增长点。3.9 江化微：国产湿电子化学品龙头，业绩释放带动盈利高增公司成立于 2001 年，是国产湿电子化学品龙头企业，湿电子化学品品类齐全，拥有数十种湿电子化学品的生产供应能力。公司主要从事超净高纯试剂、光刻胶配套试剂等湿电子化学品的研发、生产和销售，产品广泛应用于平板显示、半导体及 LED、光伏太阳能等多个电子领域，为清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜、掺杂等多步制造工艺过程提供关键材料，公司目前是国内规模最大、品种最齐全、配套性最强的湿电子化学品专业服务提供商之一。 公司营业收入及归母净利润稳步增长。2021 年公司营业收入7.92 亿元，较上年同期增长 40.4%，预计 2022 年将达到 13.8 亿，同比增长74.2%，2012-2021年CAGR为 12.2%；2021 年公司实现归母净利润 0.57 亿元，预计2022 年归母净利润将达到 1.53 亿元，同比预计增长 168.4%，2012-2021 年CAGR 为9.6%，营业收入及归母净利润均保持增长态势。公司业务主要集中于半导体和平面显示领域。2021 年公司在半导体领域实现营收2.84 亿元，占比 47.6%，平板显示领域实现营收 2.86 亿元，占比47.9%。产品主要为超净高纯试剂和光刻胶配套试剂，超净高纯试剂收入3.81 亿元，占比61.8%，光刻胶配套试剂收入 2.16 亿元，占比 35.0%。3.10 鼎龙股份：国产 CMP 抛光垫龙头，CMP 产品线捷报频传湖北鼎龙控股股份有限公司创立于 2000 年，从事集成电路芯片设计及制程工艺材料、光电显示材料、打印复印通用耗材等研发、生产及服务。主要产品包括集成电路 CMP 用抛光垫及清洗液、柔性 OLED 用聚酰亚胺(PI)浆料、彩色聚合碳粉等。公司业务主要分为半导体材料和打印复印通用耗材。半导体材料方面，公司的CMP抛光垫打破了国外垄断，是国内唯一一家全面掌握抛光垫全流程核心研发和制造技术的 CMP 抛光垫供应商，深度渗透国内晶圆厂供应链，已进入国内四大头部晶圆厂。PI 浆料，公司是国内唯一实现柔性 OLED 显示基板材料PI 浆料量产、并在面板 G6 代线测试通过的企业。打印复印通用耗材方面，公司是中国产能规模最大的彩色化学碳粉制造商，中国最大的成品彩色再生硒鼓制造商，以及中国最大的永固紫颜料制造商。2021 年，公司打印复印通用耗材产品营收占总营收85.43%，半导体材料占 13.05%。2021 年公司营收同比增长 29.7%至 23.56 亿元。18-19 年，由于硒鼓终端市场竞争加剧，市场价格下降，公司营收受挫。另一方面，公司积极投入泛半导体材料领域，转型阵痛期公司归母净利润下滑。2020 年公司泛半导体材料领域迎来收获期，营收增长。同年计提珠海名图、超俊科技 3.7 亿元商誉减值、股权激励费用增加、汇兑损失增加，导致公司业绩亏损 1.60 亿元。2021 年公司迎来泛半导体材料收获期，营收 23.56 亿元，净利润 2.14 亿元。由于公司处于转型关键期，快速推进半导体材料各产品线的开发进度，大力布局半导体先进封装材料，导致研发费用率较高，2021 年研发费用率10.84%，同比增加 1.78pct。2021 年，公司总计研发投入 2.84 亿元，较上年同期大幅增长52.33%；近三年公司累计研发投入金额 6.39 亿元，占近三年公司总营业收入比例为12.00%。2021 年，其他费用率均下滑，管理费用率下降4.67pct 至7.53%，销售费用率下降 1.22pct 至 4.66%，财务费用下降 0.99pct 至0.36%。半导体市场繁荣及封装技术、制程升级带动 CMP 需求。CMP 作为晶圆制造的关键工艺，其相关耗材如 CMP 抛光垫市场随半导体需求增长而扩容。IC Insights 预计，2022年全球晶圆产能将增长 8.7%。随着制程缩小和封装技术的更新迭代，CMP应用范围拓宽，次数也大幅增加。SEMI 统计，2021 年全球 CMP 抛光垫市场约9 亿美元，抛光液约 14 亿美元。半导体耗材领域有客户、技术、专利三大壁垒，公司已阶段性实现突破。21 年底，公司客户已突破国内四大晶圆厂等，清洗液等新产品也顺利通过客户认证，放量在即。 折叠手机方兴未艾，PI 浆料为柔性 OLED 面板核心材料。聚酰亚胺(PI)是制造柔性屏幕基板的首选材料，随各类折叠终端兴起，有望迎来市场大幅扩容。DSCC统计 2021 年全球折叠屏手机出货 798 万部（YoY 254%），预计将以CAGR47%增长至 2026 年。相应的柔性 AMOLED 基板 PI 浆料市场，据CINNO 预测，2025年将超4亿美元，2020-2025 年 CAGR 32%。伴随国内主要面板厂柔性OLED 产线建设基本完成，公司 YPI 产品已同步导入，YPI 业务即将进入快速成长期。此外，公司PSPI、INK 验证顺利，计划量产。 打印复印耗材领域全产业链布局，夯实龙头地位。2012-2019 年，公司兼并收购，快速实现全产业链布局，上游具备彩色碳粉、打印芯片等自主可控生产能力，下游涉及硒鼓、墨盒。打印机在信息安全领域有重要的地位，公司全产业链布局有望在打印机国产化趋势中发挥优势。面对国内竞争加剧的硒鼓市场，公司建设多条智能化产线实现降本增效，市场继续向龙头集中。3.11 安集科技：国产抛光液龙头，全品类布局提升核心竞争力安集科技成立于 2006 年，2019 年登录科创板，深耕于CMP 抛光液和湿电子化学品，产品已成功应用于芯片制造和先进封装领域，包括逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率器件、传感器、第三代半导体等。其中CMP 抛光液位居国内龙头，成功打破了国外厂商对集成电路领域化学机械抛光液的垄断，实现了进口替代，使我国具备在该领域的自助供应能力。 公司营业收入及归母净利润高速增长。2021 年公司共实现营业收入6.87亿元，同比增长 62.57%，其中化学机械抛光液 5.94 亿元，占比86.5%，光刻胶去除剂0.91 亿元，占比 13.2%。预计 2022 年收入 10.4 亿元，同比增长51.85%。2016-2022年，公司营业收入一直保持增长态势，2016 年公司营业收入为1.96 亿元，截至2021 年增长 251%，CAGR 值 28,4%。归母净利润方面，2016 年归母净利润为0.37亿元，2021 年为 1.25 亿元，预计 2022 年为 2.25 亿元，CAGR 为35.0%。 全品类布局 CMP 抛光液，核心竞争力进一步提升。公司化学机械抛光液包括硅/多晶硅抛光液、浅槽隔离（STI）抛光液、金属栅极抛光液、介电材料（二氧化硅、氮化硅）抛光液、钨抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、三维集成（TSV、混合键合等）抛光液、硅衬底抛光液和应用于第三代宽带半导体的抛光液等系列产品。其中，在用于 28nm 技术节点 HKMG 工艺的铝抛光液取得重大突破，通过客户验证，打破了国外厂商垄断并实现量产，2021年抛光液实现营收5.94亿元，同比增长58.45%；毛利率 55.41%，同比提升 0.61%。此外，公司在山东安特加码抛光液原材料硅溶胶产品顺利通过测试；研发端加强了氧化铈颗粒的制备和抛光性能的自主可控能力，进一步提高了公司在 CMP 抛光液领域核心竞争力。湿电子化学品拓宽产品线布局，打开成长空间。公司拓展湿电子化学品产品线布局，目前拥有光刻胶剥离液、刻蚀液、刻蚀后清洗液、抛光后清洗液品类，产品广泛应用于 14nm 以上节点逻辑电路及 3D NAND、DRAM 等存储器件。2021年湿电子化学品实现营收 9087 万元，同比增长 92.17%，增速明显，有望打开公司第二成长空间。3.12 江丰电子：国产靶材龙头企业，半导体零部件打造新盈利增长点公司是国内高纯溅射靶材的龙头企业，业务遍布全球。公司自2005 年成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发生产和销售，通过多年技术积累，已经成为中芯国际、台积电、京东方、SunPower 等国内外知名厂商的靶材供应商，是国内高纯溅射靶材的龙头企业。公司主要产品包括铝靶、钽靶、钛靶及半导体零部件等，2021年公司实现营收 15.93 亿元，其中钽靶、铝靶、钛靶营收分别为5.17 亿元、2.76亿元、2.13 亿元，占比分别为 32.5%、17.4%、13.4%。公司业务遍布全球，产品远销海外，2021 年，公司产品在国内和海外营收占比分别为43.4%和56.6%。公司自 2012 年起，营业收入逐年增长，归母净利润整体也成增长态势。2012年公司营业收入为 1.26 亿元，2021 年为 15.94 亿元，预计2022 年营业收入23.73亿元，同比增长 48.9%，2012-2021 年 CAGR 值 32.5%。归母净利润方面整体呈增长态势，2012 年归母净利润为 0.08 元，2021 年归母净利润为1.07 亿元，预计2022 年为归母净利润为 2.45 亿元，2012-2021 年CAGR 值为34.2%。2021年归母净利润下滑主要系管理、研发、财务费用的大幅增加。靶材市场空间广阔，公司领衔国产替代。半导体靶材方面，随着泛半导体产业向国内转移，预计靶材需求将进一步提升，智研咨询预测2022 年中国半导体靶材的市场规模将达到 75.1 亿元，同比增长 19%；平面显示靶材方面，智研咨询预测2025年预计达到 320 亿元，2018-2025 年年我国平板显示面板用靶材市场CAGR为18.1%，平板显示面板靶材市场提升。公司作为靶材领域国产替代龙头企业，有望直接受益。益于晶圆厂扩产，半导体设备及零部件市场空间提升。根据SEMI 预计，2021年原始设备制造商的半导体制造设备全球销售总额将达到1030 亿美元的新高，比2020 年的 710 亿美元的历史记录增长 44.7%。预计2022 年全球半导体制造设备市场总额将扩大到 1140 亿美元，有望连续第三年创历史新高。半导体零部件作为设备主要组成部分，市场空间提升。江丰立足靶材主业积累的高纯材料生产和精密加工技术，拓展了 PVD 压环、准直器，CVD 腔体、喷淋头，CMP 耗材等零部件产品，增长空间充分打开。3.13 有研新材：集成电路靶材龙头，“电磁光医”多面开花公司是国内集成电路用超高纯金属靶材的龙头企业。公司主营业务分布于“电磁光医”四大领域，具体业务高端金属靶材、先进稀土材料、红外光学材料、生物医用材料等，其中靶材和稀土材料为主要业绩来源，目前已实现铜系列靶材、钴靶材等垂直一体化，有下游稳定客户供应，是半导体材�**胁牧煊蚬娲贰Ｒ滴癯中头糯芰Τ中嵘�2021 年公司实现营业收入160 亿元，同比增加 23.82%，2012 年公司营业收入为 4.09 亿元，2012-2021 年CAGR 值高达50.4%，盈利能力持续提升。归母净利润方面，公司 2016 年归母净利润为0.12 亿元，2021年达到 1.31 亿元，近 3 年 CAGR 为 67.2%，保持高速增长。21 年公司在产品分类做了进一步细分，将电板块盈利拆分为铂族、贵金属加工和薄膜材料三类。铂族业务产品收入高但毛利率低，21 年毛利收入为1.65亿元，毛利率 1.42%；薄膜材料主要为集成电路靶材，21 年毛利收入为1.86 亿元，毛利率 21.38%；公司稀土业务 21 年收入 2.14 亿元，占比最高，毛利率7.91%。稀土材料和薄膜材料毛利分别占比 30.7%和 26.7%，为两大主要业绩来源。红外光学材料、医疗器械材料毛利率较高，21 年分别为 28.9%和46.9%，毛利占比分别为9.8和 3.4%。3.14 晶瑞电材：国产化电子材料领军者，半导体与新能源材料双轮驱动晶瑞电子材料股份有限公司是一家集研发、生产和销售于一体的科技型新材料公司，为国内外新兴科技领域提供关键材料和技术服务。主要产品为微电子化学品，按照组成成分和应用工艺不同可分为超净高纯试剂、光刻胶及配套材料和锂电池材料。产品广泛应用于半导体和新能源行业，具体应用到下游电子信息产品的清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜、浆料制备等工艺环节。截至2021 年，公司超净高纯试剂产能 48700t/年，光刻胶及配套材料产能8100t/年，锂电池材料产能37000t/年，基础化工材料产能 318000t/年。半导体材料和锂电池材料两大业务方向快速发展，推动公司营业收入快速提升。公司 2021 年营业收入为 18.32 亿元，同比增长 79.21%；归母净利润2.01亿元，同比增长 161.20%；扣非净利润 1.15 亿元，同比增长159.59%。2016-2021年，公司营收年均复合增速 33.0%，归母净利润年均复合增速42.6%，营业收入快速提升。3.15 路维光电：“以屏带芯”打造国内领先的掩膜版企业路维光电致力于掩膜版的研发、生产和销售，产品主要用于平板显示、半导体、触控和电路板等行业。公司的前身路维电子成立于1997 年，成立之初主要从事菲林的生产，产品主要用于 PCB 行业。随着国内平板显示与半导体产业的快速发展，以及内嵌式触控技术的转变，公司在 2014 年左右开始大规模进入平板显示及半导体封装、器件领域。随着国内 G10.5、G11 高世代显示面板产线的建设与扩张，公司 2018 年开始建设国内首条 G11 高世代掩膜版产线，于2019 年成功下线国内首张 G11 TFT 掩膜版。目前公司立足于平板显示掩膜版和半导体掩膜版两大核心产品线，形成“以屏带芯”的业务发展格局。2017 年以来公司营业收入快速增长。17-21 年公司营收分别为1.07、1.45、2.18、4.02、4.94 亿元，营收 CAGR 为 46.6%，实现快速增长，主要得益于：1)全球平板显示行业产能加速向国内转移、国内半导体设计和代工产业兴起，国内平板显示及半导体领域的主流厂商市场份额迅速增加、产业链国产化步伐加快，对掩膜版等核心材料的市场需求提升，公司抓住机遇，产销规模迅速扩大；2)公司技术实力不断增强，突破了 G11、G8.6 掩膜版诸多技术与工艺难点，并不断提升产品精度；3)公司产品线日益丰富和完善。按基板材料不同，公司主要产品为石英掩膜版和苏打掩膜版，其他类产品营收占比较小且逐年下降。近几年公司追踪下游客户对石英掩膜版需求快速提升的市场变化，适时将研发资源集中于更高精度的产品领域，并相应调整了投资重心和产能规划，公司石英掩膜版营收从 2018 年的 7153.43 万元增长至2021 年的4.28亿元(CAGR: 81.6%)，营收占比从 2018 年的 49.3%提升至86.8%。此外，苏打掩膜版的营收稳中略降，营收占比从 2018 年的 44.0%下降至2021 年的11.7%。（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）精选报告来源：【未来智库】。「链接」
价格汇总