超大功率mos管，小功率mos管选型手册
chanong
|MOS管由于与晶体管相比具有更快的开关速度、更低的导通电压以及更容易的电压驱动而越来越受到工程师的欢迎，但如果设计不当，即使是低功率的MOS管也可能导致芯片出现故障。即使你认为它很简单，它最终也会变得更加复杂。这几年我一直从事高频电源的设计和嵌入式开发，对大小功率MOS管有一定的了解，所以我把这些经验总结出来，建立了一个理论模型。下图为MOS管的等效电路及应用电路。
叠加MOS管的微观模型如下图所示。
可以看到MOS管的输入和输出是反相的（正好180度）。这相当于一个逆变器。也可以理解为反向工作的运放，如下图。
上面的模型很好办，尤其是看运放的照片，一眼就能看出是反相积分电路，但是输入电阻较大，导致开关速度比较慢，效果也不好。积分电容Cgd的影响不明显，当开关速度比较高，并且VDD供电电压比较高，比如310V时，流过Cgd的电流比较大，强积分容易引起振荡。称为镜面振动。因此，Cgd也称为米勒电容，而MOS管开关导通或关断的时期，即积分期，称为镜像平台。下图中圈出的部分为镜像平台，右边是镜台。镜面振动严重：
MOS管反馈会产生电容，所以如果电容足够大，前端信号变化快，后端供电电压高，这三者结合起来就会造成积分过充振荡。在I模型中，为了解决这种镜像振荡，在频率和电压不变的情况下，一般可以增大MOS管的驱动电阻来减慢开关沿速度。第二种也是更有效的方法是增加Cgs 电容。如果条件允许，可以在Cd两端放置一个具有低内阻抗效应的小电容器，或者可以使用RC网络作为吸收器。下图为三种常用的大功率MOS管的电容值。通过LCR电桥直接测量。
从图中可以看出，英飞凌6代MOS管和APT7代MOS管的性能比碳化硅差很多，而且各项指标很小，所以可以采用其他手段来减少镜面振动。这是不可能的，要注意保证Cgd尽可能小于Cgs，尤其是电容MOS管。