三安光电拟定增募资70亿投入半导体研发与产业化项目

11月11日，全球领先的LED芯片公司三安光电（）发布2019年非公开发行A股预案，拟非公开发行不超过8.16亿股，发行总量募集资金不超过70亿元，将投资于半导体研发及产业化项目。

根据预案披露，本次非公开发行拟募集资金总额不超过700万元，其中长沙先锋高新投资合伙企业（有限合伙）（以下简称“先锋高新”，实际（长沙市国资委控股）拟认购金额为50亿元，格力电器拟认购金额为20亿元。 本次非公开发行股票数量为募集资金总额除以本次非公开发行股票的发行价格，不超过本次发行前总股本 4,078,424,928 股的 20%，即不超过815,684,985股（含815,684,985股）。

此外，本次发行完成后，按照非公开发行股份数量上限计算，领航高科持股比例将超过5%，构成公司关联方； 格力电器持股比例低于5%三安光电股票，不构成公司关联方。 值得一提的是，格力电器此前斥资30亿投资闻泰科技增发收购安世半导体，并获得闻泰科技3.45%的股权。

公告称，本次非公开发行募集资金总额扣除发行费用后拟投资“半导体研发及产业化项目（一期）”（计划总投资约138亿元） ）。 主要投资中高端产品，包括高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED、高功率三基色激光器、汽车LED照明、高端功率高亮度LED、紫外/红外LED、太阳能电池芯片等。

三安光电表示，随着本次投资项目的顺利实施，基于此前的产业布局，本次投资项目的主要产品将填补国内空白。 公司将提高高端和新兴应用领域产品产能，加快产品研发。 结构升级，提高市场份额，顺应LED行业产品结构调整的发展趋势。

资料显示，三安光电主要从事化合物半导体材料的研究、开发和应用，重点涉及砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝等新型半导体材料的外延片和芯片。蓝宝石。 主要工作。

三安光电“半导体研发及产业化项目（一期）”基本情况

根据规划，三安光电半导体研发及产业化项目（一期）建设主要包括三大业务板块及公共配套建设。 三大业务板块为：氮化镓（GaN）业务板块、砷化镓（GaAs）业务板块、特种封装业务板块。

本次募集资金项目实施后，将完成高端氮化镓LED衬底、外延、芯片等四个产品方向的研发； 高端砷化镓LED外延、芯片； 高功率氮化镓激光器； 以及特殊包装产品的应用。 生产基地。 其中，各业务板块具体产能规划如下：

1、氮化镓业务板块：（1）氮化镓芯片年产量769.2万片，其中：第五代显示芯片（Mini背光/Micro LED）161.6万片/年、超高效节能芯片530.8万片/年、UV芯片（UV）芯片30.8万片/年，高功率芯片46万片/年； （2）PSS基板年产量923.4万片； （3）高功率激光器年产量141.8万只。

2、砷化镓（GaAs）业务板块：（1）砷化镓LED芯片年产量123.2万片，其中：第五代显示芯片（Mini/Micro LED）17.6万片/年，ITO红光芯片34.9万片/年。 年，RS红光芯片19.1万枚/年，大功率红外产品14.2万枚/年，植物生长灯芯片14.40三安光电股份有限公司2019年非公开发行A股股票计划24万枚/年、大功率户外照明芯片72000颗/年、汽车级芯片70000颗/年、医疗健康芯片88000颗/年； （2）太阳能电池芯片年产量40.5万片，其中：商业卫星电池13.5万片/年，临近空间装置27万片/年。

3、特种封装业务板块：（1）UV LED封装81.40kk/年； （2）Mini LED芯片级封装8,483.00kk/年； （3）汽车级LED封装57.80kk/年； （4）大功率LED封装63.20kk/年； (5) IR LED 封装 39.00kk/年。

从上述介绍来看，三安光电本次募集的70亿主要计划投资于以砷化镓、氮化镓为代表的高端化合物半导体的研发和应用。

从目前的产业链调查来看，种种迹象表明，为了应对中美贸易摩擦和技术战，国内化合物半导体自主可控刻不容缓。 目前，从国家政策产业基金到电子终端品牌大家都投入、出力，帮助国产化合物半导体尽快实现自主可控。

特别值得一提的是，几个月前，华为投资了国内第三代半导体材料领先企业山东天岳新材料科技有限公司，持股10%。 公司是我国第三代半导体材料碳化硅衬底及芯片生产的龙头企业。 据产业链研究，华为除了投资化合物半导体行业相关企业外，还派出核心技术人员与化合物产业链重点企业合作开发产品，加速国内化合物半导体技术能力提升，其中就包括三安集成。

为什么化合物半导体如此重要？

化合物半导体材料是由两种或两种以上元素按一定原子比形成的化合物，具有一定的带隙宽度和能带结构等半导体特性。 它们被称为化合物半导体材料。

第二代、第三代半导体材料采用以III-V族为代表的化合物半导体，其在通信射频、光通信、电力电子等领域的应用逐渐增多。 与第一代由硅（Si）、锗（Ge）等单一元素形成的半导体不同，化合物半导体是指由两种或两种以上元素配比形成的化合物，如砷化镓（GaAs）、氮化合物例如碳化镓（GaN）和碳化硅（SiC）具有一定的半导体特性，例如带隙宽度和能带结构。 它们在电子迁移率、带隙宽度、功耗等指标上表现更好，并且具有高频特性。 、耐辐射、耐高压等特点。 其中GaAs为第二代半导体，氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽带隙材料为第三代半导体。

根据化合物半导体材料的材料性质不同，可分为宽带隙半导体材料和窄带隙半导体材料。 如果带隙宽度Eg<2.3eV（电子伏特），则称为窄带隙半导体，如锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）； 若禁带宽度Eg>2.3eV则称为宽带隙半导体，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、H碳化硅（HSiC）、氮化铝（AlN）、氮化铝镓（ALGaN）等。 宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等特点，非常适合制造耐辐射材料。 、高频、大功率、高密度集成电子器件。

第三代半导体材料是宽禁带半导体材料，其应用领域与传统硅材料不同。 传统的硅半导体大多用于制造存储器、处理器、数字电路和模拟电路等传统集成电路芯片。 第三大半导体，如碳化硅，由于能承受较大的电压和电流，特别适合制造高功率器件、微波射频器件、光电器件等。 尤其是在功率半导体领域，未来碳化硅成本下降后，有望部分替代硅基IGBT。

在各种化合物半导体材料中，GaAs目前占据主流市场，未来GaN/SiC市场将迎来良好的发展机遇。

GaAs目前占据主流市场，应用于通信领域。 2G、3G、4G时代PA的主要材料是GaAs，全球市场容量接近百亿美元。

GaN功率大，高频性能优异。 目前市场容量约为10亿美元，用于军事等特殊领域。 SiC在高功率应用中具有显着优势。 作为高功率材料，应用于汽车和工业电力电子领域。 目前市场容量约为10亿美元。 4亿美元，预计到2023年将超过15亿美元。

随着进入5G时代，市场对宽禁带产品的需求增加，SiC、GaN等第三代半导体将更能适应未来的应用需求。

▲按工艺划分的射频功率器件市场份额（来源：Yole）

全球化合物半导体市场格局

在化合物半导体的射频和功率器件市场，目前以IDM厂商为主，代工模式为辅。 IDM工厂分为两大阵营：美国厂商（如Qorvo、MACOM等）和日本厂商（如等），而制造代工厂主要是台湾厂商文茂、环宇和汉磊。 从市场份额来看，IDM厂商占据主流市场份额。

目前第三代半导体SiC/GaN器件的供应商主要是外资厂商，国内厂商也在逐渐成长。 海外SIC/GaN供应商包括富士、英飞凌、三菱、安森美、意法半导体、罗姆、东芝等。 与此同时，台积电和全球领先企业也开始提供GaN-on-Si代工业务。 文茂专注于SiC基GaN领域，瞄准5G基站。 X-Fab、汉磊和环宇提供SiC和GaN的基础代工服务。 在晶圆代工业务带动下，第三代半导体材料市场规模进一步扩大。 目前，国内下游行业龙头企业比亚迪、阳光电源、华为等已在其产品系列中广泛采用SiC。 在国际欧洲市场，其350kW超级充电站已采用Sic模块产品。 SiC模块也逐渐开始应用于新能源汽车的双向车载充电机和高性能电驱动单元。

三安光电化合物半导体布局

自2014年起，三安光电开始全面布局化合物半导体，旨在成为化合物半导体制造领域的领导者。 2014年5月，三安光电延续III-V族化合物（LED用砷化镓、氮化镓芯片）生产经验，正式进入化合物晶圆制造代工业务。

2014年5月，公司成立厦门三安集成，实施年产30万片砷化镓（GaAs）、6万片氮化镓（GaN）外延片生产线建设。 2015年10月，三安集成电路开始试生产。

2015年6月，国家集成电路产业基金斥资48.39亿元投资三安光电。 随后12月，大基金再次斥资16亿元参与三安光电增发。 该大基金目前持有三安光电11.3%的股份。 ，其第二大股东。 此外，三安光电还同意与大型基金投资主体华芯投资、国家开发银行、三安集团建立战略合作关系，大力支持其以III-V族化合物半导体为主的集成电路业务发展。

2016年11月，三安光电与GCS合资成立厦门三安环宇集成电路有限公司，其中三安光电持股51%。

2017年1月，三安光电HBT工艺通过重点客户产品认证。

2018年12月，三安集成宣布推出国内首个6英寸SiC晶圆代工工艺，目前已完成全部工艺资质测试。 成为国内首个进入大规模量产的商用6英寸化合物半导体集成电路制造平台。 它可以提供650V、1200V及更高额定值肖特基势垒二极管（SBD）的器件结构，并将很快推出900V、1200V及更高额定值SBD的SiC工艺。

目前，三安集成已成为国内化合物半导体制造平台的领先者。 公司产品及工艺布局较为齐全，产品类别涵盖射频、电力电子、光通信、滤波器等领域。 2018年在职员工人数超过800人，收入约1.71亿。 元，发货客户数量达到73家，发货产品种类达到270种。

在射频代工领域，三安集成加快了国内市场的进展，获得了更多工艺平台的客户认证，加快了公司产品量产的步伐。 在电力电子领域，公司推出了成熟的650V/1200V SiC器件工艺，并获得了包括北美客户在内的行业客户的认证和订单； GaN器件相关工艺将于2019年第三季度完成所有工艺可靠性认证并推向市场。 在光通信领域，针对传统通信市场以及新兴的5G相关市场、数据中心和消费市场，推出了发射端和接收端的成套解决方案。

随着公司GaAs和光通信产品逐步得到客户验证和使用，GaN和SiC产品逐渐从研发转向量产，2019年起出货量将逐步增加。

根据公司2019年中报公告，“三安集成已获得国内重要客户的合格供应商认证，并与行业标杆企业展开业务范围内的全面合作。”

值得一提的是，2019年3月，美的携手三安集成电路共建联合实验室，有望加速公司第三代化合物半导体芯片的快速导入。 国内家电行业龙头企业美的集团宣布与三安集成战略合作，成立第三代半导体联合实验室。 将与三安集成共同开发第三代半导体功率器件，有望加速三安产品进入美的白色家电应用。

此次，三安光电70亿私募融资计划将强化公司在化合物半导体领域的技术实力，加速相关技术和产品的应用。 本次私募增持计划中，家电巨头格力电器的加入，将使三安集成的化合物半导体功率器件有望进入格力电器供应链，进一步助力国内化合物半导体产业发展。